课题基金 / 基金详情

Control of interfacial nanostructure between wide-gap semiconductors and their electrodes

Control of interfacial nanostructure between wide-gap semiconductors and their electrodes
宽禁带半导体与其电极之间界面纳米结构的控制
批准号：
26420702
负责人：
MAEDA Masakatsu
金额：
$3.08万
依托单位：
Nihon University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26420702/
关键词：
界面構造制御反応制御炭化ケイ素窒化ガリウムパワーエレクトロニクスショットキー障壁電極材料通電熱処理p型窒化ガリウムコンタクト通電特性有効正孔濃度水素透過能パラジウム電極ニッケル電極n型炭化ケイ素界面反応制御脆弱層形成の抑制過渡現象ｐ型窒化ガリウム

项目摘要

项目成果

MAEDA Masakatsu的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Effect of Ti3SiC2 formation on p-type GaN by vacuum annealing on the contact properties
真空退火在 p 型 GaN 上形成 Ti3SiC2 对接触性能的影响
DOI： 10.1088/1757-899x/61/1/012034
发表时间： 2014
期刊： IOP Conf. Ser. Mater. Sci. Eng.
影响因子： --
作者： [Aiman b. M. H., M. Maeda and Y. Takahashi]
通讯作者： M. Maeda and Y. Takahashi
Ni nano level thin film formation on p-GaN and improvement of electrical properties by hydrogen release enhancement
p-GaN 上 Ni 纳米级薄膜的形成以及通过增强氢释放来改善电性能
DOI： --
发表时间： 2015
期刊： J. Smart Process. Soc.
影响因子： --
作者： [Aiman b. M. H., K. Tsuchida, M. Maeda and Y. Takahashi]
通讯作者： M. Maeda and Y. Takahashi
Effect of crystal orientation on ohmic contact formation for n-type gallium nitride
晶体取向对n型氮化镓欧姆接触形成的影响
DOI： 10.1088/1757-899x/61/1/012033
发表时间： 2014
期刊： IOP Conf. Ser. Mater. Sci. Eng.
影响因子： --
作者： [K. Kimura, Aiman b. M. H., M. Maeda and Y. Takahashi]
通讯作者： M. Maeda and Y. Takahashi
超塑性材料の固相接合における微小空洞消失機構解析
超塑性材料固相连接微腔消失机理分析
DOI： --
发表时间： 2016
期刊： 第22回エレクトロニクスにおけるマイクロ接合および実装技術に関するシンポジウム（Mate2016）
影响因子： --
作者： [外山歩, 白井友之, 伊関孝郎, 小松啓志, 中村淳, 大塩茂夫, 戸田育民, 村松 寛之, 齋藤 秀俊, 礒本良則，三宅正紘, 梨木悠介，衡中皓，前田将克，高橋康夫]
通讯作者： 梨木悠介，衡中皓，前田将克，高橋康夫
Multipass friction stir welding of the same or dissimilar thick aluminum alloy plates
  • 批准号：
    17K06824
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.91万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    MAEDA Masakatsu
  • 依托单位：
    Nihon University
Control of Interfacial Strain between Wide-Bandgap Semiconductor and Electrode to Improve Interfacial Electrical Conductance
  • 批准号：
    24656444
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.41万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    MAEDA Masakatsu
  • 依托单位：
    Osaka University
Improvement of Interfacial Functions in Eco-devices Based on Control of Interfacial Nanostructure
  • 批准号：
    21560746
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.75万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    MAEDA Masakatsu
  • 依托单位：
    Osaka University
海外基金