Control of interfacial nanostructure between wide-gap semiconductors and their electrodes

宽禁带半导体与其电极之间界面纳米结构的控制

• 批准号: 26420702
• 负责人: MAEDA Masakatsu
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Nihon University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26420702/
• 关键词: 界面構造制御; 反応制御; 炭化ケイ素; 窒化ガリウム; パワーエレクトロニクス; ショットキー障壁; 電極材料; 通電熱処理; p型窒化ガリウム; コンタクト通電特性; 有効正孔濃度; 水素透過能; パラジウム電極; ニッケル電極; n型炭化ケイ素; 界面反応制御; 脆弱層形成の抑制; 過渡現象; ｐ型窒化ガリウム

项目成果

Effect of Ti3SiC2 formation on p-type GaN by vacuum annealing on the contact properties

真空退火在 p 型 GaN 上形成 Ti3SiC2 对接触性能的影响

• DOI: 10.1088/1757-899x/61/1/012034
• 发表时间: 2014
• 期刊: IOP Conf. Ser. Mater. Sci. Eng.
• 作者: Aiman b. M. H.;M. Maeda and Y. Takahashi
• 通讯作者: M. Maeda and Y. Takahashi

Ni nano level thin film formation on p-GaN and improvement of electrical properties by hydrogen release enhancement

p-GaN 上 Ni 纳米级薄膜的形成以及通过增强氢释放来改善电性能

• 发表时间: 2015
• 期刊: J. Smart Process. Soc.
• 作者: Aiman b. M. H.;K. Tsuchida;M. Maeda and Y. Takahashi
• 通讯作者: M. Maeda and Y. Takahashi

Effect of crystal orientation on ohmic contact formation for n-type gallium nitride

晶体取向对n型氮化镓欧姆接触形成的影响

• DOI: 10.1088/1757-899x/61/1/012033
• 发表时间: 2014
• 期刊: IOP Conf. Ser. Mater. Sci. Eng.
• 作者: K. Kimura;Aiman b. M. H.;M. Maeda and Y. Takahashi
• 通讯作者: M. Maeda and Y. Takahashi

超塑性材料の固相接合における微小空洞消失機構解析

超塑性材料固相连接微腔消失机理分析

• 发表时间: 2016
• 期刊: 第22回エレクトロニクスにおけるマイクロ接合および実装技術に関するシンポジウム（Mate2016）
• 作者: 外山歩;白井友之;伊関孝郎;小松啓志;中村淳;大塩茂夫;戸田育民;村松 寛之;齋藤 秀俊;礒本良則，三宅正紘;梨木悠介，衡中皓，前田将克，高橋康夫
• 通讯作者: 梨木悠介，衡中皓，前田将克，高橋康夫

Nickel-titanium-based contact for n-type silicon carbide to combine high ohmic conductivity and mechanical properties

用于 n 型碳化硅的镍钛基触点，结合了高欧姆电导率和机械性能

• DOI: 10.1088/1757-899x/61/1/012031
• 发表时间: 2014
• 期刊: IOP Conf. Ser. Mater. Sci. Eng.
• 作者: M. Maeda;M. Sano and Y. Takahashi
• 通讯作者: M. Sano and Y. Takahashi