Control of crystal growth of organic semiconductors by the Moses effect of bulk superconducting magnet

通过体超导磁体的摩西效应控制有机半导体晶体生长

基本信息

  • 批准号:
    25600082
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(23)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Synthesis and properties of thieno[3,2-b]thiophene derivatives for application of OFET active layer
用于OFET活性层的噻吩并[3,2-b]噻吩衍生物的合成及性能
  • DOI:
    10.1002/hc.21059
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0.3
  • 作者:
    Ito;H.;Yamamoto;T.;Yoshimoto;N.;Tsushima;N.;Muraoka;H.;Ogawa;S.
  • 通讯作者:
    S.
ペンタセン、フッ素化ペンタセン共蒸着膜形成過程の構造その場観察とデバイス特性
并五苯与氟化并五苯共沉积膜形成过程及器件特性的原位结构观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小栗貴文,多田圭佑,渡辺剛,小金澤智之,菊池護,谷正安,廣沢一郎,吉本則之;渡辺剛,安野聡,多田圭佑,陰野宏,吉本則之,広沢一郎;鈴木佳之,吉本則之,長谷川正 之,西館数芽;小栗貴文,多田圭佑,渡辺剛,小金澤智之,菊池 護,中村雅一,廣沢一郎,吉本則之;多田圭佑,渡辺剛,西田広作,小金澤智之,菊池護,廣沢一郎,吉本則之
  • 通讯作者:
    多田圭佑,渡辺剛,西田広作,小金澤智之,菊池護,廣沢一郎,吉本則之
α,ω-クオターチオフェン誘導体薄膜の結晶成長に及ぼす末端アルキル基の効果
末端烷基对α,ω-四噻吩衍生物薄膜晶体生长的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小鹿 曹汰;小金澤 智之;山本 秦平;鈴木 充朗;山田 容子;吉本 則之
  • 通讯作者:
    吉本 則之
有機薄膜トランジスタ動作中における硬X線光電子分光測定手法の開発
有机薄膜晶体管工作过程中硬X射线光电子能谱测量方法的开发
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小栗貴文,多田圭佑,渡辺剛,小金澤智之,菊池護,谷正安,廣沢一郎,吉本則之;渡辺剛,安野聡,多田圭佑,陰野宏,吉本則之,広沢一郎
  • 通讯作者:
    渡辺剛,安野聡,多田圭佑,陰野宏,吉本則之,広沢一郎
その場すれすれ入射小角X線散乱測定によるペンタセン薄膜形成中の膜厚の検討
使用原位掠入射小角 X 射线散射测量检查并五苯薄膜形成过程中的膜厚度
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小鹿曹汰;神谷亮輔;山本秦平;鈴木充朗;山田容子;吉本則之;渡辺剛,小金澤智之,菊池護,吉本則之,広沢一郎
  • 通讯作者:
    渡辺剛,小金澤智之,菊池護,吉本則之,広沢一郎
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In-situ structural analysis of organic semiconductor thin films by 2D X-ray diffraction
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    15K04647
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Characterization of crystal defects in organic semiconductors for progress in device performance
有机半导体晶体缺陷的表征以提高器件性能
  • 批准号:
    21560005
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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有机半导体晶体生长机理及有机晶体管特性
  • 批准号:
    18560002
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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磁力取向高质量有机薄膜的制备与器件研究
  • 批准号:
    14540525
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    $ 2.58万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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磁场控制有机导体薄膜的取向
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    12640551
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    2000
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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前駆体相からの結晶成長による単結晶有機薄膜蒸着プロセスの開発とデバイス応用
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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    24K08275
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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晶体生长中拓扑相诱导图案形成的研究
  • 批准号:
    24KJ0539
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    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
溶融金属中における合金結晶成長の原子スケール界面科学
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  • 批准号:
    23K26543
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    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体結晶成長における三次元格子整合エピタキシーの追究
氮化物半导体晶体生长中三维晶格匹配外延的追求
  • 批准号:
    24K01366
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
エピタキシャル遷移金属炭化物を用いた遷移金属ダイカルコゲナイドの結晶成長
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  • 批准号:
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  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SBIR Phase I: Universal Crystal Growth Capsule and Novel Wafer Dicing Tool for In-Space Manufacturing
SBIR 第一阶段:用于太空制造的通用晶体生长舱和新型晶圆切割工具
  • 批准号:
    2419346
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Standard Grant
CAREER: Transport Phenomena and the Uptake of Foreign Species during Crystal Growth
职业:晶体生长过程中的传输现象和外来物质的吸收
  • 批准号:
    2339644
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
超高温下での氷結晶最外表面層の構造変化と結晶成長カイネティクスの相関の解明
阐明超高温下冰晶最外层结构变化与晶体生长动力学之间的相关性
  • 批准号:
    23K26555
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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知道了