Crystal growth mechanism of organic semiconductors and characteristics of organic transistor
有机半导体晶体生长机理及有机晶体管特性
基本信息
- 批准号:18560002
- 负责人:
- 金额:$ 2.48万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2006
- 资助国家:日本
- 起止时间:2006 至 2008
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
真空蒸着法による有機半導体薄膜の成長初期過程の解明を目的とし、微少角入射(GIXD)In-planeX線回折により有機半導体薄膜の面内構造を調査し、その膜厚依存性を解明するとともにトランジスタ特性を調査した。本研究において、SiO2ウエハ上に蒸着した平均膜厚0.2~100nmのオリゴチオフェンのIn-plane GIXDパタンを得ることに成功し、膜厚の増加と共に分子間のパッキングが変化することを明らかにした。
Vacuum steaming the method に よ る の organic semiconductor film growth process early の interpret を purpose と し, a small Angle of incidence (GIXD) - planeX lines In inflexion に よ り organic semiconductor thin film の in-plane tectonic し を investigation, そ の film thickness dependence を interpret す る と と も に ト ラ ン ジ ス タ features を survey し た. This study に お い て, SiO2 ウ エ ハ に steamed with し た average film thickness 0.2 ~ 100 nm の オ リ ゴ チ オ フ ェ ン の In - plane GIXD パ タ ン を have る こ と に し success, membrane thickness の raised plus と に intermolecular の パ ッ キ ン グ が variations change す る こ と を Ming ら か に し た.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
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专利数量(0)
Thin-film structure of semiconducting end-capped origothiophenes
半导体封端的聚噻吩薄膜结构
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:N. Yoshimoto;W. Y. Li;K. Omote;J. Ackermann;C. Videlot-Ackermann;H. Brisset;F. Fages
- 通讯作者:F. Fages
Polymorphism in pentacene thin films on SiO2 substrate
- DOI:10.1063/1.2709516
- 发表时间:2007-02-19
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:Kakudate, Toshiyuki;Yoshimoto, Noriyuki;Saito, Yoshio
- 通讯作者:Saito, Yoshio
Solution growth of semiconducting distyryl-oligothiophenes
半导体二苯乙烯基低聚噻吩的溶液生长
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Ito ;W.Y. Li;N. Yoshimoto;H. Fujishiro;Y. Asabe
- 通讯作者:Y. Asabe
Epitaxial relationships of vapor deposited thin films of octithiophene on KBr (001)
KBr (001) 上八噻吩气相沉积薄膜的外延关系
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Toshiyuki;Kakudate;Akira Murayama;Tomoharu Asano;Kouji Matsumoto;K.Kawamura
- 通讯作者:K.Kawamura
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- 资助金额:
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$ 2.48万 - 项目类别:
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2011 Thin Film and Crystal Growth Mechanisms Gordon Research Conference & Gordon-Kenan Research Seminar
2011年薄膜和晶体生长机制戈登研究会议
- 批准号:
1124624 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 2.48万 - 项目类别:
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2009 Gordon Research Conference on Thin Film and Crystal Growth Mechanisms; New London, NH; Summer 2009
2009年戈登薄膜和晶体生长机制研究会议;
- 批准号:
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$ 2.48万 - 项目类别:
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2005 Thin Film and Crystal Growth Mechanisms Gordon Conference; South Hadley, MA; June 26-July 1, 2005
2005年薄膜和晶体生长机制戈登会议;
- 批准号:
0528943 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 2.48万 - 项目类别:
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