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Crystal growth mechanism of organic semiconductors and characteristics of organic transistor

Crystal growth mechanism of organic semiconductors and characteristics of organic transistor
有机半导体晶体生长机理及有机晶体管特性
批准号:
18560002
负责人:
YOSHIMOTO Noriyuki
金额:
$2.48万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2006
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2006 至 2008

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项目成果

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真空蒸着法による有機半導体薄膜の成長初期過程の解明を目的とし、微少角入射(GIXD)In-planeX線回折により有機半導体薄膜の面内構造を調査し、その膜厚依存性を解明するとともにトランジスタ特性を調査した。本研究において、SiO2ウエハ上に蒸着した平均膜厚0.2~100nmのオリゴチオフェンのIn-plane GIXDパタンを得ることに成功し、膜厚の増加と共に分子間のパッキングが変化することを明らかにした。
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会议论文
DOI: --
发表时间: 2007
期刊: J. Phsy. : Conf. Ser. 83
影响因子: --
作者: [N. Yoshimoto, W. Y. Li, K. Omote, J. Ackermann, C. Videlot-Ackermann, H. Brisset, F. Fages]
通讯作者: F. Fages
DOI: 10.1063/1.2709516
发表时间: 2007-02-19
期刊: APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子: 4
作者: [Kakudate, Toshiyuki, Yoshimoto, Noriyuki, Saito, Yoshio]
通讯作者: Saito, Yoshio
Solution growth of semiconducting distyryl-oligothiophenes
半导体二苯乙烯基低聚噻吩的溶液生长
DOI: --
发表时间: 2007
期刊:
影响因子: --
作者: [M. Ito , W.Y. Li, N. Yoshimoto, H. Fujishiro, Y. Asabe]
通讯作者: Y. Asabe
Epitaxial relationships of vapor deposited thin films of octithiophene on KBr (001)
KBr (001) 上八噻吩气相沉积薄膜的外延关系
DOI: --
发表时间: 2006
期刊: Molecular Crystals and Liquid Crystals Vol. 445
影响因子: --
作者: [Toshiyuki, Kakudate, Akira Murayama, Tomoharu Asano, Kouji Matsumoto, K.Kawamura]
通讯作者: K.Kawamura
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    In-situ structural analysis of organic semiconductor thin films by 2D X-ray diffraction
    • 批准号:
      15K04647
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $3.16万
    • 财政年份:
      2015
    • 负责人:
      YOSHIMOTO Noriyuki
    • 依托单位:
    Control of crystal growth of organic semiconductors by the Moses effect of bulk superconducting magnet
    • 批准号:
      25600082
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额:
      $2.58万
    • 财政年份:
      2013
    • 负责人:
      YOSHIMOTO Noriyuki
    • 依托单位:
    Characterization of crystal defects in organic semiconductors for progress in device performance
    • 批准号:
      21560005
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $3.08万
    • 财政年份:
      2009
    • 负责人:
      YOSHIMOTO Noriyuki
    • 依托单位:
    Fabrication and device propenles of high quality organic thin films by magmetic orientation
    • 批准号:
      14540525
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.3万
    • 财政年份:
      2002
    • 负责人:
      YOSHIMOTO Noriyuki
    • 依托单位:
    海外基金