In-situ structural analysis of organic semiconductor thin films by 2D X-ray diffraction
通过二维 X 射线衍射对有机半导体薄膜进行原位结构分析
基本信息
- 批准号:15K04647
- 负责人:
- 金额:$ 3.16万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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In-situ Observation of Thin Film Growth of Organic Semiconductors by 2D-Xray Diffraction
通过 2D-X 射线衍射原位观察有机半导体薄膜生长
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:N.Yoshimoto;T. Watanabe;T. Koganezwa;M. Kikuchi;D. Kuzuhara;M. Suzuki;H. Yamada;I. Hirosawa,
- 通讯作者:I. Hirosawa,
Surface morphology of vacuum-evaporated pentacene film on Si substrate studied by in situ grazing-incidence small-angle X-ray scattering: I. The initial stage of formation of pentacene film
- DOI:10.7567/jjap.57.03eg12
- 发表时间:2018-02
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:I. Hirosawa;Takeshi Watanabe;T. Koganezawa;M. Kikuchi;N. Yoshimoto
- 通讯作者:I. Hirosawa;Takeshi Watanabe;T. Koganezawa;M. Kikuchi;N. Yoshimoto
有機半導体薄膜の結晶成長に及ぼすアルキル鎖長の効果
烷基链长度对有机半导体薄膜晶体生长的影响
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:吉本則之;三浦慎平;葛原大軌;菊池 護;小金澤智之;廣沢一郎
- 通讯作者:廣沢一郎
GISAXS によるペンタセン製膜中の表面形態評価 (II)
使用 GISAXS 评估并五苯成膜过程中的表面形态(II)
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:広沢 一郎;渡辺 剛;小金澤 智之;吉本 則之
- 通讯作者:吉本 則之
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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$ 3.16万 - 项目类别:
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- 资助金额:
$ 3.16万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)