STRUCTURAL TUNING OF NANOGAPS USING FIELD-EMISSION-INDUCED ELECTROMIGRATION

使用场发射诱导电迁移对纳米间隙进行结构调整

基本信息

  • 批准号：
    25630122
  • 负责人：
    SHIRAKASHI JUN-ICHI
  • 金额：
    $ 2.58万
  • 依托单位：
    Tokyo University of Agriculture and Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份：
    2013
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2013-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（14）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Simultaneous Fabrication of Nanogaps Using Field-Emission-Induced Electromigration
利用场发射诱导电迁移同时制造纳米间隙
tic Electro-Deposition of Thin Si, Ge, and SiGe Films
Si、Ge 和 SiGe 薄膜的 tic 电沉积
  • DOI：
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    R. Suda;M. Ito;M. Yagi;A. Kojima;R. Mentek;N. Mori;J. Shirakashi and N. Koshida
  • 通讯作者：
    J. Shirakashi and N. Koshida
FPGAを用いた超高速フィードバック制御型エレクトロマイグレーション
使用 FPGA 的超高速反馈控制电迁移
ナノギャップでの原子のマイグレーション現象により作製したNi系ナノスケールデバイス
利用纳米间隙原子迁移现象制备镍基纳米器件
Ultra-Fast Feedback-Controlled Electromigration Using FPGA
使用 FPGA 的超快速反馈控制电迁移
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Kanamaru;M. Ando;R. Suda and J. Shirakashi
  • 通讯作者：
    R. Suda and J. Shirakashi
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