Study of plasma-solid surface interaction control for future organic devices with the optimized dielectric constants

具有优化介电常数的未来有机器件的等离子体-固体表面相互作用控制研究

• 批准号: 25630293
• 负责人: ERIGUCHI Koji
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25630293/
• 关键词: プラズマ; 誘電率; 欠陥; 有機膜; シリコン; 有機材料; 電気容量

项目成果

Effects of ion energy on surface and mechanical properties of BN films formed by a reactive plasma-assisted coating method

离子能量对反应等离子体辅助涂覆BN薄膜表面和力学性能的影响

• 发表时间: 2014
• 作者: M. Noma;K. Eriguchi;S. Hasegawa;M. Yamashita;K. Ono
• 通讯作者: K. Ono

micro-Photoreflectance spectroscopy for microscale monitoring of plasma-induced physical damage

用于微尺度监测等离子体引起的物理损伤的微光反射光谱

• 发表时间: 2013
• 作者: A. Matsuda;Y. Nakakubo;Y. Takao;K. Eriguchi;K. Ono
• 通讯作者: K. Ono

Surface orientation dependence of plasma-induced ion bombardment damage in Si substrate

硅衬底中等离子体诱导离子轰击损伤的表面取向依赖性

• 发表时间: 2015
• 作者: Y. Okada;K. Eriguchi;K. Ono
• 通讯作者: K. Ono

Experimental evidence of layout-dependent low-k damage during plasma processing - Role of "near-field" in damage creation -

等离子体处理过程中布局相关的低 k 损伤的实验证据 - “近场”在损伤产生中的作用 -

• 发表时间: 2014
• 作者: T. Ikeda;K. Eriguchi;A. Tanihara;S. Kasai;K. Ono
• 通讯作者: K. Ono

Characterization of Plasma Process-Induced Latent Defects in Surface and Interface Layer of Si Substrate

• DOI: 10.1149/2.0121506jss
• 发表时间: 2015-01-01
• 期刊: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY
• 影响因子: 2.2
• 作者: Nakakubo, Yoshinori;Eriguchi, Koji;Ono, Kouichi
• 通讯作者: Ono, Kouichi