Independent control of phonon and electron transports based on the interface physics by using heteronanostrucutre interfaces

利用异质纳米结构界面基于界面物理的声子和电子传输的独立控制

基本信息

  • 批准号:
    15K13276
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(110)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Epitaxial iron oxide nanocrystals with memory function grown on Si substrates
  • DOI:
    10.7567/apex.9.055508
  • 发表时间:
    2016-04
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    T. Ishibe;H. Matsui;Kentaroh Watanabe;S. Takeuchi;A. Sakai;Y. Nakamura
  • 通讯作者:
    T. Ishibe;H. Matsui;Kentaroh Watanabe;S. Takeuchi;A. Sakai;Y. Nakamura
Epitaxial growth of iron oxide nanodots on Si substrate using Fe-coating Ge nuclei
使用 Fe 涂层 Ge 核在 Si 基底上外延生长氧化铁纳米点
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takafumi Ishibe;Kentaro Watanabe;Shotaro Takeuchi;Akira Sakai and Yoshiaki Nakamura
  • 通讯作者:
    Akira Sakai and Yoshiaki Nakamura
溶液成長ZnO単結晶ナノロッド:成長時の格子間水素ドナーの取り込みと残留キャリア濃度分布
溶液生长的 ZnO 单晶纳米棒:生长过程中间隙氢供体的掺入和残余载流子浓度分布
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    坂根 駿也;山阪 司祐人;渡辺 健太郎;中村 芳明;渡辺 健太郎,中村 芳明
  • 通讯作者:
    渡辺 健太郎,中村 芳明
ナノ構造を用いた熱電特性制御とSi系熱電材料開発
利用纳米结构控制热电性能及硅基热电材料的开发
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    後藤洋介;大石不二夫;田中邦明;臼井博明;中村芳明
  • 通讯作者:
    中村芳明
非整合チムニーラダー構造を有するFeGegナノ結晶のSi基板上へのエピタキシャル成長
Si 衬底上非相干烟囱梯结构 FeGeg 纳米晶的外延生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    寺田吏;石部貴史;渡辺健太郎;中村芳明
  • 通讯作者:
    中村芳明
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Nakamura Yoshiaki其他文献

International Students Mobility and Japan’s Policy and Initiatives
国际学生流动性与日本的政策和举措
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sakane Shunya;Ishibe Takafumi;Mizuta Kosei;Fujita Takeshi;Kiyofuji Yuga;Ohe Jun-ichiro;Kobayashi Eiichi;Nakamura Yoshiaki;Kazuo Kuroda
  • 通讯作者:
    Kazuo Kuroda
Clinicopathological, genomic and immunological features of hyperprogressive disease during PD-1 blockade in gastric cancer patients
PD-1阻断期间胃癌患者超进展性疾病的临床病理学、基因组和免疫学特征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Togashi Yosuke;Kamada Takahiro;Sasaki Akinori;Nakamura Yoshiaki;Fukuoka Shota;Tada Yasuko;Kawazoe Akito;Shitara Kohei;Nishikawa Hiroyoshi
  • 通讯作者:
    Nishikawa Hiroyoshi
遠心型血液ポンプ用動圧スラスト軸受で発生する溶血に及ぼす軸受隙間の影響
轴承间隙对离心血泵动压推力轴承溶血的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Matsui Atsuya;Bellier Jean-Pierre;Kanai Takeshi;Satooka Hiroki;Nakanishi Akio;Terada Tsukasa;Ishibe Takafumi;Nakamura Yoshiaki;Taguchi Hiroyasu;Naruse Nobuyasu;Mera Yutaka;最乗 裕, 矢野哲也, 迫田大輔, 小阪 亮, 岡本英治
  • 通讯作者:
    最乗 裕, 矢野哲也, 迫田大輔, 小阪 亮, 岡本英治
超小型軸流血液ポンプ用磁性流体軸シールの損失検討
超小型轴流血泵磁流体轴封损耗研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Matsui Atsuya;Bellier Jean-Pierre;Kanai Takeshi;Satooka Hiroki;Nakanishi Akio;Terada Tsukasa;Ishibe Takafumi;Nakamura Yoshiaki;Taguchi Hiroyasu;Naruse Nobuyasu;Mera Yutaka;最乗 裕, 矢野哲也, 迫田大輔, 小阪 亮, 岡本英治;東祐希,能塚雄介,高橋英嗣,山岡禎久;岡本英治,矢野哲也,関根一光,井上雄介,白石泰之,山家智之,三田村好矩
  • 通讯作者:
    岡本英治,矢野哲也,関根一光,井上雄介,白石泰之,山家智之,三田村好矩
ミクロ細孔を有するW4V3O19複合酸化物結晶の高結晶化と物性評価
微孔W4V3O19复合氧化物晶体的高结晶度及物性评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Terada Tsukasa;Ishibe Takafumi;Nakamura Yoshiaki;仁藤 廣一・石川 理史・上田 渉;仲井眞 一歌・神山 曜帆・石川 理史・上田 渉
  • 通讯作者:
    仲井眞 一歌・神山 曜帆・石川 理史・上田 渉

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Nakamura Yoshiaki', 18)}}的其他基金

Identification of germline variants in SCRUM-Japan
SCRUM-Japan 中种系变异的鉴定
  • 批准号:
    21K15605
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Methodology of thermoelectric performance enhancement by hybridization of electronic quantum states and high conductivity states
通过电子量子态和高电导态杂化增强热电性能的方法
  • 批准号:
    19K22110
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Establishment of basic technologies for developmental engneering using transplantation of spermatogenic stem cells in chicken
建立鸡生精干细胞移植发育工程基础技术
  • 批准号:
    18K14570
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Institutional Innovation Analysis of Ridesharing in Five Countries
五国共享出行制度创新分析
  • 批准号:
    18K01850
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
High performance Si thermoelectric material design based on phonon-carrier wave control in novel heteronanostructures
新型异质纳米结构中基于声子载波控制的高性能硅热电材料设计
  • 批准号:
    16H02078
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Development of coherently-connected nanodot structure for rare-metal-free thermoelectric materials
无稀有金属热电材料的相干连接纳米点结构的开发
  • 批准号:
    25286026
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

相似国自然基金

基于压致微结构Al-Si-Cu-Mg合金的强韧化与耐蚀机理研究
  • 批准号:
    QN25E010006
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
Si3N4 NPs通过CCN3/MAPK/IRE1 α轴诱导 内质网自噬调控内皮细胞黏附连接解离 促进血管生成
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
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    省市级项目
Ti-Al-Sn-Zr-Mo-Si系高温钛合金的成分优化与服役行为研究
  • 批准号:
    2025JJ30018
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
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反应堆用不锈钢表面激光熔覆含Cr/Si-Y2O3复合涂层及其耐S-CO2腐蚀
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  • 批准年份:
    2025
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    省市级项目
节点金属原子调控Co-TCPP电子态结构促进Si光阴极CO2还原性能和机制研究
  • 批准号:
    2025JJ60094
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
Sr/RE复合变质下Al-Si-Mg-Cu合金的强韧化机制研究
  • 批准号:
    2025JJ80374
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
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高丰度同位素28Si原材料制备技术-高丰度同位素28Si气源制备及外延生长技术验证
  • 批准号:
    2025C02223
  • 批准年份:
    2025
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高承载-自修复水润滑轴承橡胶界面性能调控及其与Si3N4配副的超滑机理研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
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    省市级项目
车用Al-Mg-Si-Zr合金Cube织构演变规律及高成形性机理
  • 批准号:
    JCZRLH202500854
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目
大尺寸 Si 基 GaN 材料外延及功率器件开发关键技术
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2025
  • 资助金额:
    0.0 万元
  • 项目类别:
    省市级项目

相似海外基金

電圧印加による単結晶SiおよびGeの低温変形メカニズム解明
通过施加电压阐明单晶 Si 和 Ge 的低温变形机制
  • 批准号:
    24K01361
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
自律低温プロセスによるSi量子ドットの高収率生成と高品質化の同時実現
通过自主低温工艺同时实现硅量子点的高产率生产和高质量
  • 批准号:
    24K07564
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Si基板上GaAs系ナノワイヤの大容量分子線エピタキシャル成長と光電変換応用
Si衬底上大容量GaAs纳米线分子束外延生长及光电转换应用
  • 批准号:
    24KJ0323
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
微細加工と組成制御によるSiGe/Si面直界面を有する熱電薄膜構造の開発
通过微加工和成分控制开发具有SiGe/Si垂直界面的热电薄膜结构
  • 批准号:
    24K17513
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Si基板上GaN縦型パワーデバイスの低抵抗および高耐圧化に関する研究
硅衬底低阻高击穿GaN垂直功率器件研究
  • 批准号:
    23K26158
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
音響気体温度計を用いた新SI定義に基づく高温温度標準の構築
使用声学气体温度计构建基于新 SI 定义的高温标准
  • 批准号:
    23K20942
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Si表面におけるシランカップリング剤分子層の反応および金属めっきへの影響
Si表面硅烷偶联剂分子层的反应及对金属镀层的影响
  • 批准号:
    24K08051
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Si結晶上のIn原子層における共有結合型のモアレ超構造:超大規模第一原理計算で実証
硅晶体上 In 原子层中的共价莫尔超结构:通过超大规模第一原理计算证明
  • 批准号:
    24K08251
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
119番新元素発見に向けた極薄不感層Si半導体検出器の開発
开发超薄死层硅半导体探测器发现新元素119
  • 批准号:
    24K03198
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Vertical GaN-on-Si membrane power transistors: Efficient power electronics for mass-market applications (VertiGaN)`
垂直硅基氮化镓薄膜功率晶体管:面向大众市场应用的高效电力电子器件 (VertiGaN)`
  • 批准号:
    EP/X014924/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Research Grant
{{ showInfoDetail.title }}

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知道了