Conductivity control of oxide semiconductors with reduction-reactions introduced to control oxidation processes
Conductivity control of oxide semiconductors with reduction-reactions introduced to control oxidation processes
通过引入还原反应来控制氧化过程来控制氧化物半导体的电导率
批准号：
15K13350
负责人：
Fujita Shizuo
金额：
$2.5万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
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導電性部材
导电部件
导电部件
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
導電性部材の製造方法
导电部件的制造方法
导电部件的制造方法
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Corundum-Structured α-In2O3 as a Wide-Bandgap Semiconductor
刚玉结构 α-In2O3 作为宽带隙半导体
刚玉结构 α-In2O3 作为宽带隙半导体
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shizuo Fujita, Masashi Kitajima, and Kentaro Kaneko]
通讯作者：
and Kentaro Kaneko
燃料電池用セパレータ及びその製造方法
燃料电池隔膜及其制造方法
燃料电池隔膜及其制造方法
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Creating science of vacuum-ultraviolet optical processes in semiconductors
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批准号：20H00246
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$23.3万
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财政年份：2020
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负责人：Fujita Shizuo
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依托单位：
Illumination design based on brain science and cell physiology
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批准号：19K21973
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额：$4.08万
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财政年份：2019
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负责人：Fujita Shizuo
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依托单位：
Cell-photon engineering with ultra-narrow-band LEDs
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批准号：17K18879
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额：$4.08万
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财政年份：2017
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负责人：Fujita Shizuo
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依托单位：
Creation of optical functions below 200nm with ultra-wide band gap oxide semiconductor quantum structure
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批准号：17H01263
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$28.2万
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财政年份：2017
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负责人：Fujita Shizuo
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依托单位：
Evolution of functional single-crystalline oxide thin films by mist deposition
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批准号：25286050
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.73万
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财政年份：2013
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负责人：Fujita Shizuo
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依托单位：
海外基金