Conductivity control of oxide semiconductors with reduction-reactions introduced to control oxidation processes

通过引入还原反应来控制氧化过程来控制氧化物半导体的电导率

基本信息

  • 批准号:
    15K13350
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
導電性部材
导电部件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
導電性部材の製造方法
导电部件的制造方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Corundum-Structured α-In2O3 as a Wide-Bandgap Semiconductor
刚玉结构 α-In2O3 作为宽带隙半导体
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shizuo Fujita;Masashi Kitajima;and Kentaro Kaneko
  • 通讯作者:
    and Kentaro Kaneko
燃料電池用セパレータ及びその製造方法
燃料电池隔膜及其制造方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
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  • 通讯作者:
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  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    01604023
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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