Conductivity control of oxide semiconductors with reduction-reactions introduced to control oxidation processes
通过引入还原反应来控制氧化过程来控制氧化物半导体的电导率
基本信息
- 批准号:15K13350
- 负责人:
- 金额:$ 2.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
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专利数量(0)
Corundum-Structured α-In2O3 as a Wide-Bandgap Semiconductor
刚玉结构 α-In2O3 作为宽带隙半导体
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Shizuo Fujita;Masashi Kitajima;and Kentaro Kaneko
- 通讯作者:and Kentaro Kaneko
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Enhancement of epitaxial lateral overgrowth in the mist chemical vapor deposition of α-Ga2O3 by using a-plane sapphire substrate
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Grant-in-Aid for Exploratory Research
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- 批准号:
18028006 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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$ 2.5万 - 项目类别:
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