Creating science of vacuum-ultraviolet optical processes in semiconductors
创建半导体真空紫外光学工艺科学
基本信息
- 批准号:20H00246
- 负责人:
- 金额:$ 23.3万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(49)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Realization of near-band-edge cathodoluminescence in 190 nm wavelength range by rocksalt-structured MgZnO epitaxial films
岩盐结构MgZnO外延薄膜实现190 nm波长范围内的近带边阴极发光
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takeyoshi Onuma;Kotaro Ogawa;Wataru Kosaka;Hiroya Kusaka;Yuichi Ota;Kentaro Kaneko;Tomohiro Yamaguchi;Shizuo Fujita;Tohru Honda
- 通讯作者:Tohru Honda
MgO薄膜へのInドーピングが発光特性に与える影響
In掺杂对MgO薄膜发光性能的影响
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:高坂亘;小川広太郎;松田真樹;日下皓也;太田優一;山口智広;金子健太郎;本田徹;藤田静雄;尾沼猛儀
- 通讯作者:尾沼猛儀
Far-UV emission around 200 nm in rocksalt-structured MgZnO
岩盐结构 MgZnO 中 200 nm 左右的远紫外发射
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takeyoshi Onuma;Wataru Kosaka;Shoma Hoshi;Kanta Kudo;Kyohei Ishii;Mizuki Ono;Yuichi Ota;Izumi Serizawa;Kentaro Kaneko;Tomohiro Yamaguchi;Shizuo Fujita;Tohru Honda
- 通讯作者:Tohru Honda
時間分解PL測定による岩塩構造MgZnOの発光特性の評価
通过时间分辨PL测量评价岩盐结构MgZnO的发光特性
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:高坂亘;小川広太;日下皓也;金子健太郎;山口智広;嶋紘平;藤田静雄;本田徹;秩父重英;尾沼猛儀
- 通讯作者:尾沼猛儀
MgO単結晶の真空紫外励起子スペクトル
MgO单晶的真空紫外激子光谱
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:尾沼猛儀;高坂亘;工藤幹太;太田優一;山口智広;金子健太郎;藤田静雄;本田徹
- 通讯作者:本田徹
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Fujita Shizuo其他文献
Enhancement of epitaxial lateral overgrowth in the mist chemical vapor deposition of α-Ga2O3 by using a-plane sapphire substrate
使用a面蓝宝石衬底增强α-Ga2O3喷雾化学气相沉积中的外延横向过度生长
- DOI:
10.7567/1347-4065/ab55c6 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
Jinno Riena;Yoshimura Nobuhiro;Kaneko Kentaro;Fujita Shizuo - 通讯作者:
Fujita Shizuo
Growth and preliminary MOSFETs of corundum-structured oxide semiconductors
刚玉结构氧化物半导体的生长和初步MOSFET
- DOI:
- 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Itoh Yoshito;Kaneko Kentaro;Fujita Shizuo - 通讯作者:
Fujita Shizuo
Fujita Shizuo的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Fujita Shizuo', 18)}}的其他基金
Illumination design based on brain science and cell physiology
基于脑科学和细胞生理学的照明设计
- 批准号:
19K21973 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 23.3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Cell-photon engineering with ultra-narrow-band LEDs
使用超窄带 LED 的细胞光子工程
- 批准号:
17K18879 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 23.3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Creation of optical functions below 200nm with ultra-wide band gap oxide semiconductor quantum structure
利用超宽带隙氧化物半导体量子结构创造200nm以下的光学功能
- 批准号:
17H01263 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 23.3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Conductivity control of oxide semiconductors with reduction-reactions introduced to control oxidation processes
通过引入还原反应来控制氧化过程来控制氧化物半导体的电导率
- 批准号:
15K13350 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 23.3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Evolution of functional single-crystalline oxide thin films by mist deposition
通过雾沉积演化功能性单晶氧化物薄膜
- 批准号:
25286050 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 23.3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
高密度プラズマ支援製膜によるナノ構造制御次世代酸化物半導体薄膜低温形成法の創成
利用高密度等离子体辅助沉积创建具有纳米结构控制的下一代氧化物半导体薄膜低温形成方法
- 批准号:
23K21051 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 23.3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高性能三次元素子を目指したALD法による金属酸化物半導体の薄膜形成技術の研究
针对高性能三次元元素的ALD法金属氧化物半导体薄膜形成技术研究
- 批准号:
23K23226 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 23.3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
酸化物半導体が駆動する次世代強誘電体メモリデバイスの大規模集積化に関する研究
氧化物半导体驱动的下一代铁电存储器件大规模集成研究
- 批准号:
24H00309 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 23.3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
酸化物半導体表面プラズモンの電気的制御によるウインドウクロミックの創成
通过氧化物半导体表面等离子体的电控制创建窗口变色
- 批准号:
24K00917 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 23.3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
透明酸化物半導体の大型単結晶の育成とその特異な伝導特性機構の解明
透明氧化物半导体大单晶的生长及其独特的导电特性机制的阐明
- 批准号:
24K07563 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 23.3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
p型酸化物半導体を用いた酸化物トンネル電界効果型トランジスタの開発
使用p型氧化物半导体的氧化物隧道场效应晶体管的开发
- 批准号:
24K08254 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 23.3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
原子層プロセスによる結晶性酸化物半導体の高品位な合成と集積デバイス応用
使用原子层处理和集成器件应用高质量合成晶体氧化物半导体
- 批准号:
23K19123 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 23.3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
ALD法による多元系金属酸化物半導体の形成および高性能三次元素子の作製
ALD法多元金属氧化物半导体的形成及高性能三元元件的生产
- 批准号:
23KJ1590 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 23.3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体レーザーによる酸化物半導体の単結晶帯成長と高性能フレキシブルデバイスの創出
使用半导体激光器的氧化物半导体单晶带生长及高性能柔性器件的制作
- 批准号:
22K14303 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 23.3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
ワイドギャップp型酸化物半導体におけるキャリア生成と構造の相関
宽禁带 p 型氧化物半导体中载流子生成与结构之间的相关性
- 批准号:
22K05277 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 23.3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)