Creation of optical functions below 200nm with ultra-wide band gap oxide semiconductor quantum structure
利用超宽带隙氧化物半导体量子结构创造200nm以下的光学功能
基本信息
- 批准号:17H01263
- 负责人:
- 金额:$ 28.2万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2017
- 资助国家:日本
- 起止时间:2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(27)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
岩塩構造MgxZn1-xOにおける深紫外線カソードルミネセンスの温度および励起密度依存性
岩盐结构 MgxZn1-xO 中深紫外阴极发光的温度和激发密度依赖性
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:小野瑞生;石井恭平;金子健太郎;山口智広;本田徹;藤田静雄;尾沼猛儀
- 通讯作者:尾沼猛儀
Study on growth of high quality MgZnO films on MgO substrates for DUV light emission
用于深紫外光发射的 MgO 衬底上生长高质量 MgZnO 薄膜的研究
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Ishii;T. Onuma;T. Uchida;R. Jinno;K. Kaneko;S. Fujita
- 通讯作者:S. Fujita
Growth of rocksalt-structured MgZnO thin films and their optical properties
岩盐结构MgZnO薄膜的生长及其光学性能
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Ishii;M. Ono;T. Onuma;K. Kaneko;S. Fujita
- 通讯作者:S. Fujita
岩塩構造MgxZn1-xOの吸収端の観測と電子状態計算
岩盐结构MgxZn1-xO吸收边观测及电子结构计算
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:尾沼猛儀;小野瑞生;石井恭平;金子健太郎;山口智広;藤田静雄;本田徹
- 通讯作者:本田徹
Deep UV cathodoluminescence properties of rocksalt-structured MgZnO alloys
岩盐结构MgZnO合金的深紫外阴极发光性能
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takeyoshi Onuma;Mizuki Ono;Kanta Kudo;Kyohei Ishii;Kentaro Kaneko;Shizuo Fujita;Tohru Honda
- 通讯作者:Tohru Honda
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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- 影响因子:0
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Fujita Shizuo
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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$ 28.2万 - 项目类别:
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