Creation of optical functions below 200nm with ultra-wide band gap oxide semiconductor quantum structure

利用超宽带隙氧化物半导体量子结构创造200nm以下的光学功能

基本信息

  • 批准号:
    17H01263
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 28.2万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(27)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
岩塩構造MgxZn1-xOにおける深紫外線カソードルミネセンスの温度および励起密度依存性
岩盐结构 MgxZn1-xO 中深紫外阴极发光的温度和激发密度依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小野瑞生;石井恭平;金子健太郎;山口智広;本田徹;藤田静雄;尾沼猛儀
  • 通讯作者:
    尾沼猛儀
Study on growth of high quality MgZnO films on MgO substrates for DUV light emission
用于深紫外光发射的 MgO 衬底上生长高质量 MgZnO 薄膜的研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Ishii;T. Onuma;T. Uchida;R. Jinno;K. Kaneko;S. Fujita
  • 通讯作者:
    S. Fujita
Growth of rocksalt-structured MgZnO thin films and their optical properties
岩盐结构MgZnO薄膜的生长及其光学性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Ishii;M. Ono;T. Onuma;K. Kaneko;S. Fujita
  • 通讯作者:
    S. Fujita
岩塩構造MgxZn1-xOの吸収端の観測と電子状態計算
岩盐结构MgxZn1-xO吸收边观测及电子结构计算
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    尾沼猛儀;小野瑞生;石井恭平;金子健太郎;山口智広;藤田静雄;本田徹
  • 通讯作者:
    本田徹
Deep UV cathodoluminescence properties of rocksalt-structured MgZnO alloys
岩盐结构MgZnO合金的深紫外阴极发光性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takeyoshi Onuma;Mizuki Ono;Kanta Kudo;Kyohei Ishii;Kentaro Kaneko;Shizuo Fujita;Tohru Honda
  • 通讯作者:
    Tohru Honda
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Fujita Shizuo其他文献

Enhancement of epitaxial lateral overgrowth in the mist chemical vapor deposition of α-Ga2O3 by using a-plane sapphire substrate
使用a面蓝宝石衬底增强α-Ga2O3喷雾化学气相沉积中的外延横向过度生长
  • DOI:
    10.7567/1347-4065/ab55c6
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Jinno Riena;Yoshimura Nobuhiro;Kaneko Kentaro;Fujita Shizuo
  • 通讯作者:
    Fujita Shizuo
Growth and preliminary MOSFETs of corundum-structured oxide semiconductors
刚玉结构氧化物半导体的生长和初步MOSFET
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Itoh Yoshito;Kaneko Kentaro;Fujita Shizuo
  • 通讯作者:
    Fujita Shizuo

Fujita Shizuo的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Fujita Shizuo', 18)}}的其他基金

Creating science of vacuum-ultraviolet optical processes in semiconductors
创建半导体真空紫外光学工艺科学
  • 批准号:
    20H00246
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 28.2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Illumination design based on brain science and cell physiology
基于脑科学和细胞生理学的照明设计
  • 批准号:
    19K21973
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 28.2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Cell-photon engineering with ultra-narrow-band LEDs
使用超窄带 LED 的细胞光子工程
  • 批准号:
    17K18879
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 28.2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Conductivity control of oxide semiconductors with reduction-reactions introduced to control oxidation processes
通过引入还原反应来控制氧化过程来控制氧化物半导体的电导率
  • 批准号:
    15K13350
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 28.2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Evolution of functional single-crystalline oxide thin films by mist deposition
通过雾沉积演化功能性单晶氧化物薄膜
  • 批准号:
    25286050
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 28.2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

相似海外基金

ポテンシャルを精密に制御した半導体量子井戸構造中の熱電子冷却に関する研究
电势精确控制的半导体量子阱结构热电子冷却研究
  • 批准号:
    24KJ0678
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 28.2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
酸化物二重量子井戸構造の共鳴トンネル現象を用いた新原理モットトランジスタ
利用氧化物双量子阱结构中谐振隧道现象的新原理莫特晶体管
  • 批准号:
    23K23216
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 28.2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
2次元ハイブリッド物質における多重量子井戸ポラリトン:2次元と3次元を繋ぐ光学応答
2D 混合材料中的多量子阱极化子:连接 2D 和 3D 的光学响应
  • 批准号:
    24K01387
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 28.2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Si tunnel transistor with high on-state current assited by resonant state in quantum well
量子阱谐振态辅助的高通态电流硅隧道晶体管
  • 批准号:
    23H01476
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 28.2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Time-resolved spectroscopic and microscopic measurements of multiple quantum well (MQW) on porous GaN wafer
多孔 GaN 晶圆上多量子阱 (MQW) 的时间分辨光谱和显微测量
  • 批准号:
    10061384
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 28.2万
  • 项目类别:
    Collaborative R&D
Development of fundamental technologies for III-V semiconductor membrane photonic integrated circuits using quantum well intermixing
利用量子阱混合开发III-V族半导体膜光子集成电路基础技术
  • 批准号:
    23H00172
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 28.2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Synthesis of alloyed quantum dots with gradient quantum well structure
梯度量子阱结构合金量子点的合成
  • 批准号:
    23K04896
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 28.2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of resonant-tunneling Mott transistor based on double quantum well structures of strongly correlated oxides.
开发基于强相关氧化物双量子阱结构的谐振隧道莫特晶体管。
  • 批准号:
    22H01948
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 28.2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Piezoelectric measurement of multiple quantum well (MQW) on porous GaN wafer
多孔 GaN 晶圆上多量子阱 (MQW) 的压电测量
  • 批准号:
    10022629
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 28.2万
  • 项目类别:
    Collaborative R&D
量子井戸を用いたプラズモンーエキシトン結合場の制御と化学反応への応用
利用量子阱控制等离子体激子耦合场及其在化学反应中的应用
  • 批准号:
    22K05036
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 28.2万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了