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Evolution of functional single-crystalline oxide thin films by mist deposition
通过雾沉积演化功能性单晶氧化物薄膜
基本信息
- 批准号：25286050
- 负责人：
- 金额：$ 11.73万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Growth, properties and devices of gallium-oxide-based widegap semiconductors
氧化镓基宽禁带半导体的生长、性能和器件
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：二之宮成樹;藤森佑人;川崎朋晃;田中正俊;大野真也;関谷隆夫;Yuzo Shinozuka;Shizuo Fujita
- 通讯作者：Shizuo Fujita
Mist deposition technology as a green route for thin film growth
雾沉积技术作为薄膜生长的绿色途径
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Kakuda;S. Morikawa;S. Kuboya;R. Katayama;H. Yaguchi;K. Onabe;Shizuo Fujita
- 通讯作者：Shizuo Fujita
Epitaxial growth of corundum-structured wide band gap III-oxide semiconductor thin films
- DOI：10.1016/j.jcrysgro.2014.02.032
- 发表时间：2014-09-01
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：Fujita, Shizuo;Kaneko, Kentaro
- 通讯作者：Kaneko, Kentaro
Enhanced thermal stability of alpha gallium oxide films supported by aluminum doping
- DOI：10.7567/jjap.54.030301
- 发表时间：2015-03-01
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Lee, Sam-Dong;Ito, Yoshito;Fujita, Shizuo
- 通讯作者：Fujita, Shizuo
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Enhancement of epitaxial lateral overgrowth in the mist chemical vapor deposition of α-Ga2O3 by using a-plane sapphire substrate
使用a面蓝宝石衬底增强α-Ga2O3喷雾化学气相沉积中的外延横向过度生长
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Fujita Shizuo
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- 影响因子：0
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Itoh Yoshito;Kaneko Kentaro;Fujita Shizuo - 通讯作者：
Fujita Shizuo
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12F02382 - 财政年份：2012
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$ 11.73万 - 项目类别：
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22550143 - 财政年份：2010
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$ 11.73万 - 项目类别：
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基于纳米地球科学的环境材料探索与创造
- 批准号：
22246117 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 11.73万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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- 批准号：
0851234 - 财政年份：2009
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Continuing Grant
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