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Growth and Characterization of Silicon-based Two-Dimensional Materials

硅基二维材料的生长和表征

基本信息

批准号：
15K13943
负责人：
Ohta Akio
金额：
$ 2.5万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（19）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Ag誘起層交換成長法によるSi極薄膜の形成

银诱导层交换生长法形成超薄硅薄膜

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
黒澤昌志;大田晃生;洗平昌晃;財満鎭明
通讯作者：
財満鎭明

Impact of Thermal Annealing on Mophology and Chemical Bonding Features at Epitaxial Ag(111) Surface Grown on Ge(111)

热退火对 Ge(111) 上外延 Ag(111) 表面形貌和化学键合特性的影响

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Ito;A. Ohta;M. Kurosawa;M. Araidai;M. Ikeda;K. Makihara;and S. Miyazaki
通讯作者：
and S. Miyazaki

絶縁膜上のIV族系二次元結晶に関する第一原理計算

绝缘薄膜上IV族二维晶体的第一性原理计算

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
洗平昌晃;黒澤昌志;大田晃生;白石賢二
通讯作者：
白石賢二

絶縁基板上におけるIV族半導体薄膜の結晶方位制御技術：二次元物質への展開

绝缘基板上IV族半导体薄膜晶体取向控制技术：在二维材料中的应用

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
黒澤昌志;大田晃生;洗平昌晃;財満鎭明
通讯作者：
財満鎭明

Electronic States of two-dimensional crystals of group IV element on a-Al2O3(0001) surfaces

a-Al2O3(0001)表面上IV族元素二维晶体的电子态

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Araidai;M. Kurosawa;A. Ohta;and K. Shiraishi
通讯作者：
and K. Shiraishi

DOI：
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作者：
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作者：
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作者：
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Ohta Akio其他文献

學校教育與日本考古學:初等中等教育的考古活動之歴史及現在

学校教育与日本考古学：中小学教育中考古活动的历史与现状

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Asakawa Hitoshi;Matsui Sayaka;Trinh Quang Thang;Hirao Hajime;Inokuma Yasuhide;Ogoshi Tomoki;Tanaka Saki;Komatsu Kayo;Ohta Akio;Asakawa Tsuyoshi;Fukuma Takeshi;平田健・市元塁・瀬谷今日子・村野正景
通讯作者：
平田健・市元塁・瀬谷今日子・村野正景

Enhanced Aggregation of Stimuli Responsive Surfactants by Esterolytic Reactions

酯解反应增强刺激响应性表面活性剂的聚集

DOI：
10.5650/jos.ess19043
发表时间：
2019
期刊：
Journal of Oleo Science
影响因子：
1.5
作者：
Asakawa Tsuyoshi;Fujii Akina;Yoneda Nodoka;Ohta Akio;Asakawa Hitoshi
通讯作者：
Asakawa Hitoshi

Study of Antioxidative Properties of Some Mono Amino-Acid-Type and Dipeptide-Type Surfactants

部分单氨基酸型和二肽型表面活性剂抗氧化性能的研究

DOI：
10.1002/jsde.12180
发表时间：
2018
期刊：
Journal of Surfactants and Detergents
影响因子：
1.6
作者：
Hossain Faisal;Ohta Akio;Yamane Yumi;Shizuka An-na;Asakawa Hitoshi;Asakawa Tsuyoshi
通讯作者：
Asakawa Tsuyoshi

Single germanene phase formed by segregation through Al(111) thin films on Ge(111)

通过 Ge(111) 上的 Al(111) 薄膜偏析形成单锗烯相

DOI：
10.1088/2053-1583/ac2bef
发表时间：
2021
期刊：
2D Materials
影响因子：
5.5
作者：
Yuhara Junji;Muto Hiroaki;Araidai Masaaki;Kobayashi Masato;Ohta Akio;Miyazaki Seiichi;Takakura Sho-ichi;Nakatake Masashi;Lay Guy Le
通讯作者：
Lay Guy Le

原子間力顕微鏡による固液界面現象の原子・分子スケールその場観察

使用原子力显微镜在原子和分子尺度上原位观察固液界面现象

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Asakawa Hitoshi;Matsui Sayaka;Trinh Quang Thang;Hirao Hajime;Inokuma Yasuhide;Ogoshi Tomoki;Tanaka Saki;Komatsu Kayo;Ohta Akio;Asakawa Tsuyoshi;Fukuma Takeshi;淺川雅
通讯作者：
淺川雅