课题基金 / 基金详情

Growth and Characterization of Silicon-based Two-Dimensional Materials

Growth and Characterization of Silicon-based Two-Dimensional Materials
硅基二维材料的生长和表征
批准号:
15K13943
负责人:
Ohta Akio
金额:
$2.5万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-01 至 2017-03-31

项目摘要

项目成果

Ohta Akio的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(19)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Ag誘起層交換成長法によるSi極薄膜の形成
银诱导层交换生长法形成超薄硅薄膜
DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
作者: [黒澤 昌志, 大田 晃生, 洗平 昌晃, 財満 鎭明]
通讯作者: 財満 鎭明
Impact of Thermal Annealing on Mophology and Chemical Bonding Features at Epitaxial Ag(111) Surface Grown on Ge(111)
热退火对 Ge(111) 上外延 Ag(111) 表面形貌和化学键合特性的影响
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki]
通讯作者: and S. Miyazaki
絶縁膜上のIV族系二次元結晶に関する第一原理計算
绝缘薄膜上IV族二维晶体的第一性原理计算
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二]
通讯作者: 白石 賢二
絶縁基板上におけるIV族半導体薄膜の結晶方位制御技術:二次元物質への展開
绝缘基板上IV族半导体薄膜晶体取向控制技术:在二维材料中的应用
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [黒澤 昌志, 大田 晃生, 洗平 昌晃, 財満 鎭明]
通讯作者: 財満 鎭明
17
    Formation of Ge two-dimensional crystals embedded into Si oxide and its device application
    • 批准号:
      20K21142
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额:
      $4.16万
    • 财政年份:
      2020
    • 负责人:
      Ohta Akio
    • 依托单位:
    Formation and Characterization of Germanium Two-Dimensional Crystal on Insulating Substrate
    • 批准号:
      19H02169
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $10.98万
    • 财政年份:
      2019
    • 负责人:
      Ohta Akio
    • 依托单位:
    Self-organized Formation of Ge-based Two-dimensional Crystals and Control of Crystalline Structure and Electronic State
    • 批准号:
      18K19020
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额:
      $3.99万
    • 财政年份:
      2018
    • 负责人:
      Ohta Akio
    • 依托单位:
    Study on defect distribution and resistive switching behaviors of Si oxide thin films
    • 批准号:
      15H05520
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • 资助金额:
      $14.89万
    • 财政年份:
      2015
    • 负责人:
      Ohta Akio
    • 依托单位:
    海外基金