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Study on defect distribution and resistive switching behaviors of Si oxide thin films

Study on defect distribution and resistive switching behaviors of Si oxide thin films
氧化硅薄膜缺陷分布及阻变行为研究
批准号：
15H05520
负责人：
Ohta Akio
金额：
$14.89万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H05520/
关键词：
光電子収率分光電子状態欠陥準位計測不揮発性メモリ欠陥計測

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Photoemission Study on Electrical Dipole at SiO2/Si and HfO2/SiO2 Interface
SiO2/Si和HfO2/SiO2界面电偶极子的光电研究
DOI： 10.7567/jjap.56.04cb04
发表时间： 2017
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki]
通讯作者： S. Miyazaki
Total Photoelectron Yield Spectroscopy of Electronic States of GaN Surface
GaN 表面电子态的总光电子产率谱
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [A. Ohta, N. Truyen, N. Fujimura, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki]
通讯作者： and S. Miyazaki
Total Photoelectron Yield Spectroscopy of Electronic States of Oxide Thin Films and Wide Bandgap Semiconductors
氧化物薄膜和宽带隙半导体电子态的总光电子产率光谱
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [A. Ohta, T. Yamamoto, N. Truyen, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki]
通讯作者： and S. Miyazaki
高誘電率絶縁膜/SiO2界面のダイポール形成と化学構造の関係
高介电常数绝缘膜/SiO2界面偶极子形成与化学结构的关系
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [藤村 信幸, 大田 晃生, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一]
通讯作者： 宮崎 誠一
共 53 条
    Formation of Ge two-dimensional crystals embedded into Si oxide and its device application
    • 批准号：
      20K21142
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.16万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Ohta Akio
    • 依托单位：
      Nagoya University
    Formation and Characterization of Germanium Two-Dimensional Crystal on Insulating Substrate
    • 批准号：
      19H02169
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.98万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Ohta Akio
    • 依托单位：
      Nagoya University
    Self-organized Formation of Ge-based Two-dimensional Crystals and Control of Crystalline Structure and Electronic State
    • 批准号：
      18K19020
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $3.99万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Ohta Akio
    • 依托单位：
      Nagoya University
    Growth and Characterization of Silicon-based Two-Dimensional Materials
    • 批准号：
      15K13943
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Ohta Akio
    • 依托单位：
      Nagoya University
    海外基金