Self-organized Formation of Ge-based Two-dimensional Crystals and Control of Crystalline Structure and Electronic State
Self-organized Formation of Ge-based Two-dimensional Crystals and Control of Crystalline Structure and Electronic State
批准号:
18K19020
负责人:
Ohta Akio
金额:
$3.99万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份:
2018
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2018-06-29 至 2020-03-31
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Growth of Hetero-epitaxial Al on Ge(111) and Segregation of Ge Crystal by Annealing
Ge(111)上异质外延Al生长及退火导致Ge晶体偏析
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, and S. Miyazaki]
通讯作者:
and S. Miyazaki
DOI:
10.35848/1347-4065/ab69de
发表时间:
2019-06
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[Masato Kobayashi;A. Ohta;M. Kurosawa;M. Araidai;N. Taoka;Tomohiro Simizu;M. Ikeda;K. Makihara;S. Miyazaki]
通讯作者:
Masato Kobayashi;A. Ohta;M. Kurosawa;M. Araidai;N. Taoka;Tomohiro Simizu;M. Ikeda;K. Makihara;S. Miyazaki
First-Principles Study on Hydrogen Adsorption and Desorption of Silicene and Germanene
硅烯和锗烯氢吸附和解吸的第一性原理研究
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi]
通讯作者:
and K. Shiraishi
熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成
热处理在Al/Ge(111)上形成超薄Ge层
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[小林 征登, 大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 田岡 紀之, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮﨑 誠一]
通讯作者:
宮﨑 誠一
Al/Ge(111)の表面偏析制御による極薄Ge結晶形成
通过控制Al/Ge(111)表面偏析形成超薄Ge晶体
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[小林 征登, 大田 晃生, 田岡 紀之, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮﨑 誠一]
通讯作者:
宮﨑 誠一
共 16 条
Formation of Ge two-dimensional crystals embedded into Si oxide and its device application
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批准号:20K21142
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2020
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负责人:Ohta Akio
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依托单位:
Formation and Characterization of Germanium Two-Dimensional Crystal on Insulating Substrate
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批准号:19H02169
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$10.98万
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财政年份:2019
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负责人:Ohta Akio
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依托单位:
Study on defect distribution and resistive switching behaviors of Si oxide thin films
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批准号:15H05520
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额:$14.89万
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财政年份:2015
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负责人:Ohta Akio
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依托单位:
Growth and Characterization of Silicon-based Two-Dimensional Materials
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批准号:15K13943
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.5万
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财政年份:2015
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负责人:Ohta Akio
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依托单位:
海外基金