Improvement of SiO2/SiC interface properties with beam induced interface reactions and subsequent defect passivation
Improvement of SiO2/SiC interface properties with beam induced interface reactions and subsequent defect passivation
通过束诱导界面反应和随后的缺陷钝化改善 SiO2/SiC 界面性能
批准号：
15K13951
负责人：
WATANABE HEIJI
金额：
$2.5万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
关键词：
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DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Cathodoluminescence study of SiO2/4H-SiC structures treated with high-temperature post-oxidation annealing
高温氧化后退火处理的SiO2/4H-SiC结构的阴极发光研究
高温氧化后退火处理的SiO2/4H-SiC结构的阴极发光研究
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.858.445
发表时间：
2016
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
[A. Chanthaphan, Y. Fukushima, K. Yamamoto, M. Aketa, H. Asahara, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe]
通讯作者：
and H. Watanabe
DOI：
10.1063/1.4923470
发表时间：
2015-06-29
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
[Fukushima, Yuta, Chanthaphan, Atthawut, Watanabe, Heiji]
通讯作者：
Watanabe, Heiji
Improvement of SiO2/SiC interface quality by beam induced interface reactions
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批准号：25630124
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2013
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负责人：WATANABE HEIJI
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依托单位：
Development of new functional semiconductors by utilizing novel liquid-phase crystallization technique and understanding of their optoelectronic properties
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批准号：25246028
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$29.54万
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财政年份：2013
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负责人：WATANABE HEIJI
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依托单位：
海外基金
