课题基金 / 基金详情

Improvement of SiO2/SiC interface quality by beam induced interface reactions

Improvement of SiO2/SiC interface quality by beam induced interface reactions
通过束诱导界面反应改善 SiO2/SiC 界面质量
批准号：
25630124
负责人：
WATANABE HEIJI
金额：
$2.58万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25630124/
关键词：
電子・電気材料パワーエレクトロニクス

项目摘要

项目成果

WATANABE HEIJI的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(8)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Insights into ultraviolet-induced electrical degradation of thermally grown SiO2/4H-SiC(0001) interface
DOI： 10.1063/1.4860987
发表时间： 2014-01-06
期刊： APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子： 4
作者： [Ikeguchi, Daisuke, Hosoi, Takuji, Watanabe, Heiji]
通讯作者： Watanabe, Heiji
カソードルミネッセンス法による熱酸化 SiO2 /SiC 構造の評価
阴极发光法评价热氧化SiO2/SiC结构
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [鄭彦宏, Chanthaphan Atthawut, 許恒宇, 楊謙, 劉新宇, 趙艷黎, 李誠譫, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司, 福島悠太，Furkan Alan，樋口直樹，Atthawut Chanthaphan，細井卓治，志村考功，渡部平司]
通讯作者： 福島悠太，Furkan Alan，樋口直樹，Atthawut Chanthaphan，細井卓治，志村考功，渡部平司
研究室ホームページ
实验室主页
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Implementation of High-k Gate Dielectrics in Silicon Carbide Power MOS Devices
高 k 栅极电介质在碳化硅功率 MOS 器件中的实现
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [福島悠太, アラン フルカン, 樋口直樹, チャンタパン アタウット, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司, 福島悠太，Furkan Alan，樋口直樹，Atthawut Chanthaphan，細井卓治，志村考功，渡部平司, H. Watanabe]
通讯作者： H. Watanabe
共 7 条
    Improvement of SiO2/SiC interface properties with beam induced interface reactions and subsequent defect passivation
    • 批准号：
      15K13951
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      WATANABE HEIJI
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of new functional semiconductors by utilizing novel liquid-phase crystallization technique and understanding of their optoelectronic properties
    • 批准号：
      25246028
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $29.54万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      WATANABE HEIJI
    • 依托单位：
      Osaka University
    海外基金