コンピュータによる制御パターンの探索を省略可能なアクティブゲート駆動回路
コンピュータによる制御パターンの探索を省略可能なアクティブゲート駆動回路
批准号:
23K13325
负责人:
山口 大輝
金额:
$2.91万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2023
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2023-04-01 至 2025-03-31
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2度の違いを区別可能な温度感知機構の解明
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批准号:24KJ1305
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2024
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负责人:山口 大輝
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依托单位:
国内基金
海外基金
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空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
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批准号:2026JJ60454
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:桂庆忠
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依托单位:
SiC MOSFET瞬态开关建模与开关振荡抑制研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:于安宁
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依托单位:
SiC MOSFET器件多时间尺度电热应力栅极主动控制研究
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批准号:JCZRQT202500104
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2025
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负责人:
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依托单位:
高可靠 4H-SiC MOSFET 能带调控机理与低沟道势垒
新结构研究
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批准号:2024JJ5044
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:吴丽娟
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依托单位:
舰船电源应用背景下的 SiC MOSFET/SiIGBT
拓扑混合模块辐射干扰预测研究
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批准号:TGS24E070005
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:彭子舜
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依托单位:
SiC MOSFET单粒子辐照损伤机理与加固结构研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2023
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负责人:邓小川
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依托单位:
瞬态极端应力下高功率SiC MOSFET时空演化损伤机理与加固技术
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批准号:62334004
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项目类别:重点项目
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资助金额:219万元
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批准年份:2023
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负责人:邓小川
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依托单位:
基于超快测温、超快成像同步原位监测的SiC MOSFET短路失效行为与机理研究
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批准号:62274122
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项目类别:面上项目
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资助金额:52万元
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批准年份:2022
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负责人:陈志文
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依托单位:
基于栅极内阻在线提取的SiC MOSFET主动结温控制技术研究
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批准号:--
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30万元
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批准年份:2022
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负责人:文阳
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依托单位:
SiC MOSFET和肖特基二极管软开关异常损耗机理研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2022
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负责人:林智
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依托单位: