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Development of new functional semiconductors by utilizing novel liquid-phase crystallization technique and understanding of their optoelectronic properties

Development of new functional semiconductors by utilizing novel liquid-phase crystallization technique and understanding of their optoelectronic properties
利用新型液相结晶技术开发新型功能半导体并了解其光电特性
批准号：
25246028
负责人：
WATANABE HEIJI
金额：
$29.54万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25246028/
关键词：
界面物性界面反応Ⅳ族混晶半導体ゲルマニウム光電子融合デバイス表面・界面物性

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Enhancement of photoluminescence from n-type tensile-strained GeSn wires on an insulator fabricated by lateral liquid-phase epitaxy
DOI： 10.1063/1.4936992
发表时间： 2015-11-30
期刊： APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子： 4
作者： [Shimura, Takayoshi, Matsue, Masahiro, Watanabe, Heiji]
通讯作者： Watanabe, Heiji
Design and control of Ge-based metal-oxide-semiconductor interfaces for high-mobility field-effect transistors with ultrathin oxynitride gate dielectrics
DOI： 10.1063/1.4813829
发表时间： 2013-07
期刊： Applied Physics Letters
影响因子： 4
作者： [Y. Minoura;A. Kasuya;T. Hosoi;T. Shimura;Heiji Watanabe]
通讯作者： Y. Minoura;A. Kasuya;T. Hosoi;T. Shimura;Heiji Watanabe
横方向液相エピタキシャル成長により作製した引張歪み高濃度n型Ge細線の低温発光特性と共振器の形成
横向液相外延生长拉伸应变高浓度n型Ge细线的低温发光性能及空腔形成
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [冨田 崇史, 岡 博史, 井上 慶太郎, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司]
通讯作者： 渡部 平司
Photoluminescence from n-type tensile-strained Ge and GeSn wires on an insulator fabricated by lateral liquid-phase epitaxy
横向液相外延制造的绝缘体上 n 型拉伸应变 Ge 和 GeSn 线的光致发光
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Shimura, M. Matsue, K. Tominaga, K. Kajimuira, T. Amamoto, T. Hosoi, and H. Watanabe]
通讯作者： and H. Watanabe
共 48 条
    Improvement of SiO2/SiC interface properties with beam induced interface reactions and subsequent defect passivation
    • 批准号：
      15K13951
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      WATANABE HEIJI
    • 依托单位：
      Osaka University
    Improvement of SiO2/SiC interface quality by beam induced interface reactions
    • 批准号：
      25630124
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      WATANABE HEIJI
    • 依托单位：
      Osaka University
    海外基金