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Development of the very high efficiency thin-film multiple quantum well solar cells

Development of the very high efficiency thin-film multiple quantum well solar cells
超高效率薄膜多量子阱太阳能电池的开发
批准号：
26630107
负责人：
Watanabe Kentaroh
金额：
$2.58万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26630107/
关键词：
半導体III-V族化合物太陽電池量子井戸定量光学評価MOCVDエピタキシャル成長III-V族化合物半導体量子構造エピタキシャルリフトオフフォトルミネッセンスエレクトロルミネッセンス化合物半導体多重量子井戸超格子CPV薄膜III-V族セル集光型太陽光発電低コスト化

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Self-Organized Texture of GaAs by Wet etching for Light Trapping in MQWs Solar Cells
通过湿法蚀刻形成砷化镓自组织织构，用于 MQW 太阳能电池中的光捕获
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Watanabe,T. Inoue, M. Sugiyama, and Y. Nakano]
通讯作者： and Y. Nakano
Quasi-Fermi level splitting evaluation based on electroluminescence analysis in multiple quantum-well solar cells for investigating cell performance under concentrated light
基于多量子阱太阳能电池电致发光分析的准费米能级分裂评估，用于研究聚光下的电池性能
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Inoue, K. Toprasertpong, A. Delamarre, K. Watanabe, M. Paire, L. Lombez, J.-F. Guillemoles, M. Sugiyama, and Y. Nakano]
通讯作者： and Y. Nakano
Spatial carrier collection efficiency imaging by luminescence
空间载流子收集效率发光成像
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [A. Delamarre, L. Lombez, K. Watanabe, M. Sugiyama, J.-F. Guillemoles]
通讯作者： J.-F. Guillemoles
Thin-film solar cells with InGaAs/GaAsP multiple quantum wells and a rear surface etched with light trapping micro-hole array
具有 InGaAs/GaAsP 多量子阱和背面蚀刻有光捕获微孔阵列的薄膜太阳能电池
DOI： 10.7567/jjap.54.08ka13
发表时间： 2015
期刊： Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子： --
作者： [Kentaroh Watanabe, Tomoyuki Inoue, Hassanet Sodabanlu, Masakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano]
通讯作者： and Yoshiaki Nakano
共 8 条
    Development of the Infrared Laser Lift-Off Process for Low-Cost GaAs Based Solar Cells
    • 批准号：
      17H04979
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • 资助金额：
      $15.39万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Watanabe Kentaroh
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    国内基金
    海外基金
    III-V族化合物半导体器件太赫兹建模和电路验证
    • 批准号：
      62034003
    • 项目类别：
      重点项目
    • 资助金额：
      303万元
    • 批准年份：
      2020
    • 负责人：
      高建军
    • 依托单位：
      华东师范大学
    抗宇宙射线辐射型III-V族化合物半导体多结太阳电池的新探索：超薄陷光设计与器件机理研究
    • 批准号：
      62004226
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      24.0万元
    • 批准年份：
      2020
    • 负责人：
      朱琳
    • 依托单位：
      中山大学
    锑基III-V族化合物孪晶超格子纳米线的液相控制制备及相关电学性质研究
    • 批准号：
      21901004
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      25.0万元
    • 批准年份：
      2019
    • 负责人：
      钱银银
    • 依托单位：
      安徽工程大学
    AlGaInP系III-V族化合物半导体量子阱混杂研究
    • 批准号：
      61106043
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      26.0万元
    • 批准年份：
      2011
    • 负责人：
      林涛
    • 依托单位：
      西安理工大学