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Solution-processed SiC Films and Its Application to Power Devices

Solution-processed SiC Films and Its Application to Power Devices
溶液法SiC薄膜及其在功率器件中的应用
批准号：
26630127
负责人：
Inoue Satoshi
金额：
$2.5万
依托单位：
Japan Advanced Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26630127/
关键词：
Silicon carbideSolution processPower deviceLiquid materialContact resistance

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发表时间： 2016
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期刊：
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  • 批准号：
    20K19546
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 资助金额：
    $2.66万
  • 财政年份：
    2020
  • 负责人：
    Inoue Satoshi
  • 依托单位：
    Showa University
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  • 批准号：
    17K11696
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.91万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    Inoue Satoshi
  • 依托单位：
    Hokkaido University
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