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Development of lightly-tilted crystal face trench MOS channels toward the realization of ultra-low resistance GaN power devices

开发微倾斜晶面沟槽MOS沟道以实现超低电阻GaN功率器件

基本信息

批准号：
22K14294
负责人：
平井悠久
金额：
$ 3万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2022
资助国家：
日本
起止时间：
2022-04-01 至 2025-03-31
项目状态：
未结题

项目摘要

予算申請時の予備実験環境を活用して、GaNウェットエッチ技術の条件依存性を精査した。研究当初は150度のような高温リン酸液を用いた処理で微傾斜結晶面を作製していたが、本年度の実験によって100度以下の低温でも作製可能であることが明らかになった。実験が容易な低温薬液でGaN微傾斜結晶面を作製可能な条件を見つけられたことにより、実用化のハードルを下げることができた。得られた新規条件を適用しながら、微傾斜結晶面のMOSキャパシタ素子を作製した。本研究用の新規フォトマスクを設計・作製し、評価に最適な素子作製条件を調整するための試作を行った。微細トレンチのフォトリソグラフィ実験では、GaN特有の透明基板に対する適切な露光現像条件の探索に時間を要したが、最終的に、微傾斜結晶面を用いたトレンチ側壁MOSキャパシタの作製に成功した。作製した微傾斜結晶面のMOSキャパシタについて、パワーデバイス要素技術としての特性を評価するため、C-V特性評価を行った。オリジナルのトレンチ側壁構造を適用することで、寄生容量の小さく、従来法より評価に適したC-V特性を得ることができた。この結果をもとに界面欠陥準位密度を評価したところ、目標とした~1011 cm-2eV-1よりもさらに優れた<10^11 cm-2eV-1の界面欠陥準位密度を示す特性が得られた。本研究で作製したGaN微傾斜結晶面が、開口形状であるという構造的な観点だけでなく、電気特性の観点からも、MOSデバイスの要素技術として優れたポテンシャルを有していることを、実験的に初めて明らかにすることができた。

给予氮化镓晶体管以阻碍环境生存的条件，氮化镓晶体管的技术条件依赖于储存性精锗。研究当初は150度のような高温リン酸液を用いた処理で微傾斜結晶面を作製していたが、本年度の実験によって100度以下の低温でも作製可能であることが明らかになった。保留易熔性高温超导液GaN微晶面时效可能会影响条件的选择，因此保留易熔性高温超导液的时效可能会影响条件的选择，保留易熔性高温超导液的时效可能会影响条件的选择。得到了一个新的生长条件，采用微倾斜晶面MOS晶体，将晶体中的氮素子作还原剂。本研究用の新規フォトマスクを設計·作製し、評価に最適な素子作製条件を調整するための試作を行った。微晶体管的半导体器件的制造工艺复杂多样，GaN特有的透明基板的半导体切割光学成像条件探索困难重重，最困难的是，微晶体管表面采用半导体激光器的半导体器件壁MOS器件的制造工艺复杂多样，制造成功率很高。作硅微晶体斜晶面硅MOS晶体管，硅微晶体晶体硅元素技术晶体管，硅特性晶体管，C-V特性晶体管。护理人员应确保患者的护理质量，使患者的使用寿命延长，壁容积减少，来法申请量减少，C-V特性得到缓解，并获得适当的治疗。枸杞果粒表面过渡位密度不高，目层厚度约为1011 cm-2eV-1，要求膜层厚度小于10^11 cm-2eV-1，膜层厚度小于10^11 cm-2eV-1，膜层厚度小于10^11 cm-2eV-1，膜层厚度小于10^11 cm-2 eV-1。本研究制作的氮化镓微晶体晶体面阵、矽口形微晶体制造的示波器、螺杆特性示波器示波器、MOS晶体管的晶体元件技术测试标准规范有缺陷缺陷，阻碍的初始缺陷规范有缺陷，阻碍的初始缺陷规范有缺陷。