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Measurement of Electron Drift Velocity in GaN under High Electric Field
高电场下GaN电子漂移速度的测量
基本信息
- 批准号：23K13362
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2025-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
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前田 拓也其他文献
Pmr1, a P-type ATPase, and Pdt1, an Nramp Homolog, Cooperatively Regulate Cell Morphogenesis in Fission Yeast : The Importance of Mn^<2+> Homeostasis
Pmr1（一种 P 型 ATP 酶）和 Pdt1（一种 Nramp 同源物）协同调节裂殖酵母中的细胞形态发生：Mn^<2> 稳态的重要性
- DOI：
- 发表时间：
2004 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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前田 拓也
Antibacterial Characteristics of N-Alkyl-2-alkylthiopyridinium and N-Alkyl-4-alkylthiopyridinium Salts.
N-烷基-2-烷硫基吡啶盐和N-烷基-4-烷硫基吡啶盐的抗菌特性。
- DOI：
- 发表时间：
1997 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
岡崎 貴世;前田 拓也;長宗 秀明;高麗 寛紀 - 通讯作者：
高麗 寛紀
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Study on High Field Carrier Transport in Gallium Nitride
氮化镓高场载流子输运研究
- 批准号：
22K20423 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
超低損失パワーデバイス実現に向けた窒化ガリウムのアバランシェ破壊特性の解明
阐明氮化镓的雪崩击穿特性以实现超低损耗功率器件
- 批准号：
18J20080 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ダイマー型アルキルビリジニウムの殺芽胞機構の解明
二聚烷基维啶鎓杀孢子机制的阐明
- 批准号：
09750879 - 财政年份：1997
- 资助金额：
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Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
近世中後期における身居形成と役負担について
论近代中后期个人居所的形成与角色负担
- 批准号：
06904057 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (B)
相似海外基金
パワーデバイス応用に向けたGaNの点欠陥制御および絶縁膜界面制御の第一原理計算
功率器件应用中GaN点缺陷控制和绝缘膜界面控制的第一性原理计算
- 批准号：
24K08270 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Si基板上GaN縦型パワーデバイスの低抵抗および高耐圧化に関する研究
硅衬底低阻高击穿GaN垂直功率器件研究
- 批准号：
23K26158 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高性能・高信頼パワーデバイスに向けたGaN MOS界面近傍欠陥の起源解明
阐明高性能、高可靠功率器件中 GaN MOS 界面附近缺陷的来源
- 批准号：
24KJ0142 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
WBGパワーデバイスに向けた新規Ag/Cu接合材料の低温低圧大面積実装技術の開発
WBG功率器件新型Ag/Cu键合材料低温、低压、大面积安装技术开发
- 批准号：
24KJ0162 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
パワーデバイス劣化機構の解明に向けた格子欠陥のオペランド観察技術の開発
开发晶格缺陷原位观察技术以阐明功率器件劣化机制
- 批准号：
23K26565 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
トポロジー最適化を用いた縦型GaNパワーデバイスの構造設計技術
采用拓扑优化的垂直GaN功率器件结构设计技术
- 批准号：
24K07597 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
強誘電性κ-Ga2O3の超低消費電力パワーデバイスの開拓
利用铁电κ-Ga2O3开发超低功耗功率器件
- 批准号：
23K22797 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ダイヤモンド・パワーデバイスの内部歪み・ストレスのデバイス性能・信頼性への影響解明
阐明金刚石功率器件的内应变和应力对器件性能和可靠性的影响
- 批准号：
24K07456 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
低損失GaNパワーIC実現に向けた高電圧ストレスによる破壊メカニズムの研究
高压应力击穿机理研究，实现低损耗GaN功率IC
- 批准号：
23H01469 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
パワー半導体デバイスの寿命と性能を最大限活かせる駆動回路設計手法の確立
建立最大化功率半导体器件寿命和性能的驱动电路设计方法
- 批准号：
23K13313 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists