Study on High Field Carrier Transport in Gallium Nitride

氮化镓高场载流子输运研究

• 批准号: 22K20423
• 负责人: 前田 拓也
• 金额: $ 1.83万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2022
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2022-08-31 至 2024-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-22K20423/
• 关键词: 窒化ガリウム; パワーデバイス; 高周波デバイス; 高電界効果; ドリフト速度

2022年度は，窒化ガリウム(GaN)のドリフト速度測定に向けて，高電界ドリフト速度の測定系の立ち上げを行った．高電圧パルス電源とオシロスコープをマニュアルプローバーに直接組み合わせることで，寄生インダクタンスなどの影響を極力排除した極めて短いパルス幅での電流-電圧測定系の構築に取り組んだ．想定される抵抗範囲(50 Ω - 1 kΩ)の既知の抵抗に対して，立ち上がり時間10 ns, パルス幅 < 500 ns の電圧印加・電流測定に成功した．上記と並行して，測定デバイスの検討と設計，作製を行った．共同研究により所望のエピウエハを入手し，東京大学の武田先端知スーパークリーンルームによるデバイス作製プロセスの構築を行った．リソグラフィやGaNエッチング，電極蒸着などを駆使することで，測定用デバイスを作製した．現在は，作製したデバイスの基礎特性を評価に取り組んでおり，2023年度には高電界ドリフト速度を測定できる見込みである．

In 2022, the measurement of the velocity of GaN in the high-voltage field was carried out. High voltage power supply and high voltage voltage measurement system construction. To determine the resistance range (50 Ω - 1 kΩ) and the known resistance, the standing time is 10 ns, the amplitude is < 500 ns, and the voltage and current measurement is successful. In addition to the above, the design of the system is also discussed. Joint research on the construction of the system of the University of Tokyo Takeda The electrode evaporation process is controlled by the electrode evaporation process. Now, the basic characteristics of the system are evaluated. In 2023, the high voltage field speed is measured.