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量子サイズ効果を利用した新太陽電池の作製

利用量子尺寸效应制造新型太阳能电池

基本信息

批准号：
08780465
负责人：
伊原学
金额：
$ 0.7万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-08780465/
关键词：
太陽電池ヘテロ接合鉄シリサイド

项目摘要

1.FeSi_2薄膜の作製β-FeSi_2薄膜をSiとFeの同時スパッタリング法によって作製した。Siターゲット上に取り付けるFeチップの配置を変え、FeとSiの組成を制御した。FeとSiの組成比をICPにより確認した結果、ある特定の配置でFeとSiの組成比が1:2の薄膜を作製できることがわかった。スパッタリングで得られた薄膜はアモルファスであるためXRDによる測定ではFeSi_2のピークは確認できなかった。しかしアニーリングによる結晶化の結果、XRD測定でβ-FeSi_2多結晶薄膜の合成が確認できた。また、光吸収測定から、スッパッタリング、アニーリングによって得られた膜はバンドギャプ約0.9eVの直接遷移型のβ-FeSi_2であることがわかった。2.FeSi_2/Si太陽電池の作製と評価比抵抗2〜3Ωcmのn-Si基板上にβ-FeSi_2薄膜を製膜して、pnヘテロ接合太陽電池を作製した。電極として膜側に薄くAuを、基板側にAlを蒸着して、I-V特性を測定したところ理想係数2.5の非常に良好なヘテロpn接合が作製できていることがわかった。またアニール条件を変えながら光起電力の測定も行った。700℃で3時間アニールした試料では500Wの水銀灯をあてたところ70mVの起電力が、1000℃で12時間アニールした試料では、晴れの日の太陽光の下で350mVの起電力が得られた。

1. Fabrication of β-FeSi_2 thin films by Si and Fe simultaneous separation method Si Fe and Si composition ratio: 1:2 FeSi_2 was determined by XRD. Crystallization results and XRD measurements confirm the synthesis of β-FeSi_2 polycrystalline thin films. A direct migration type β-FeSi_2 film of about 0.9eV was obtained by measuring the absorption and absorption spectra. 2. The fabrication and evaluation of FeSi2/Si solar cells are compared with the fabrication of β-FeSi2 thin films on n-Si substrates with resistance of 2 ~ 3Ωcm. The electrode film side is thin, the substrate side is thin, and the I-V characteristics are measured. The ideal coefficient is 2.5. The junction is very good. The condition of light emission is determined by the measurement method. 700℃ for 3 hours, 70mV for mercury lamp, 1000℃ for 12 hours, 350mV for sunlight.