超高精度プラズマプロセス用オンウエハーモニタリングシステムの構築
超高精度等离子体工艺片上监控系统构建
基本信息
- 批准号:14655030
- 负责人:
- 金额:$ 2.18万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
- 财政年份:2002
- 资助国家:日本
- 起止时间:2002 至 2003
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
LSIプロセスおよびマイクロマシン技術をもとにプラズマモニタリング用マイクロセンサー(阻止電界型イオンエネルギーアナライザー、電子エネルギーアナライザー、フォトン検出器、マイクロ分光器、側壁導電性測定プローブ)を開発した。以下に実績をのべる。1.阻止電界型イオンエネルギーアナライザー電極用Al、電極間絶縁用のSiO2の材料を交互に積層させて、これにコンタクトホールを形成し、阻止電界型のイオンエネルギーアナライザーを試作した。電子阻止電極に電圧を加え、コレクタ電極に流れる電流のI-V特性からイオンエネルギー分布を評価することに成功した。イオンエネルギーのピークは30V程度であり、プラズマの空間電位より見積もられる値と一致した。2.電子エネルギーアナライザーシリコン基板状に電極パッドを作成し、これに絶縁膜を堆積させ、その後コンタクトホールを形成する。本センサーを用いてI-V特性からウェハ上のパターン内に入射する電子のエネルギーを評価することに成功した。ウェハ上で検出される電子のエネルギーはプラズマ中のものより高く現れた。3.フォトン検出器絶縁膜中にそのバンドギャップよりも高いエネルギーの光が入射すると電子-正孔対が生成する。このホールを絶縁膜中に作製した電極にバイアスをかけてホール電流として測定する。各種絶縁膜構造に対して、プロセスガスを変えて測定を行った。ホール電流の大小が光照射によるデバイスダメージと大きな相関があることが明らかになった。4.マイクロ分光器光導波路、回折構造、光検出器を集積して、マイクロ分光器を試作した。光導波試験により、入射光が波長ごとに分解され、分光された光が光検出器により検出されることを確認した。5.側壁導電性測定プローブコンタクトホールエッチング時にホール側壁に形成される保護膜(フロロカーボン膜)の導電性を測定するためのプローブを作製した。本プローブにより側壁保護膜(フロロカーボン膜)に導電性があることがはじめて分かった。
LSI chip technology enables the development of chip technology (block type chip technology, electronic chip technology, chip detector, chip spectrometer, sidewall conductivity measurement). The following is a summary of the results achieved. 1. To prevent the formation of Al for electrodes and SiO2 for insulation between electrodes, try to prevent the formation of Al for electrodes. The I-V characteristics of the current flowing through the electron blocking electrode are evaluated successfully. The IONEEREL ® chip has a voltage of 30V, and the space potential of the PULARMA ® chip has a consistent value. 2. The electron beam is formed by depositing an insulating film on a substrate and forming a substrate electrode. This paper describes the application of I-V characteristics in the evaluation of electron emission. It's not like you're going to be able to do that. 3. The electron detector has an electron hole pair in the middle of the insulating film. This is the first time I've ever seen a woman. All kinds of insulation film structure The size of the current is different from that of the light. 4. Optical splitter optical waveguide, folding structure, optical detector integration, optical splitter test Optical waveguide test, incident light wavelength, decomposition, spectroscopy, optical detector, detection 5. Measurement of the conductivity of the sidewall when the protective film is formed This film is conductive and has a high conductivity.
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
寒川誠二: "Generating high-efficiency neutral beams by using negative ions in an ICP source"Journal of Vacuum Science and Technology. A25(5). 1566 (2002)
Seiji Samukawa:“在 ICP 源中使用负离子产生高效中性束”《真空科学与技术杂志》A25(5) (2002)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
寒川誠二: "Estimation of dissociation degree of N2 in an ICP by vacuum ultraviolet emission spectroscopy"Journal of Applied Physics. 92. 2990 (2002)
Seiji Samukawa:“通过真空紫外发射光谱法估算 ICP 中 N2 的解离度”应用物理学杂志 92. 2990 (2002)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Shimmura: "Effects of fluorocarbon gas species on electrical conductivity and chemical structure of deposited polymer in SiO_2 etching processes"J.Vac.Sci.Technol.B. 22. 533-538 (2004)
T.Shimmura:“碳氟化合物气体种类对 SiO_2 蚀刻过程中沉积聚合物的电导率和化学结构的影响”J.Vac.Sci.Technol.B。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Shimmura: "Mitigation of accumulated electric charge by deposited fluorocarbon film during SiO_2 etching"J.Vac.Sci.Technol.A. 22. 433-436 (2004)
T.Shimmura:“SiO_2 蚀刻过程中沉积的氟碳薄膜对累积电荷的缓解”J.Vac.Sci.Technol.A。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
寒川 誠二其他文献
テラへルツ波パルスによる超高速スピン分光と制御
使用太赫兹波脉冲的超快自旋光谱和控制
- DOI:
- 发表时间:
2016 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
大堀 大介;久保山 英哲;村田 正行;山本 淳;野村 政宏;遠藤 和彦;寒川 誠二;中嶋誠 - 通讯作者:
中嶋誠
高均一GaAs量子ナノディスクにおけるピコ秒キャリアダイナミクス
高度均匀的砷化镓量子纳米盘中的皮秒载流子动力学
- DOI:
- 发表时间:
2014 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
木場 隆之;田中 亨;田村 洋典;肥後 昭男;寒川 誠二;村山 明宏 - 通讯作者:
村山 明宏
バイオテンプレート極限加工GaAs量子ナノディスクの反射ポンププローブ分光
生物模板精加工 GaAs 量子纳米盘的反射泵探针光谱
- DOI:
- 发表时间:
2013 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
田中 亨;佐々木 義;木場 隆之;Kyhm Kwangseuk;田村 洋典;肥後 昭男;寒川 誠二;村山 明宏 - 通讯作者:
村山 明宏
Fabrication of a Vertical-Channel Double Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Using a Neutral Beam Etching
使用中性束蚀刻制造垂直沟道双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管
- DOI:
- 发表时间:
2006 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
遠藤和彦;寒川誠二;Kazuhiko Endo;Seiji Samukawa;寒川 誠二;寒川 誠二 - 通讯作者:
寒川 誠二
寒川 誠二的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('寒川 誠二', 18)}}的其他基金
High-mobility Semiconductor Devices due to Control of Phonon Field caused by Defect-free Nano-periodic Structures
通过无缺陷纳米周期结构控制声子场实现高迁移率半导体器件
- 批准号:
20H05649 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 2.18万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
中性粒子ビーム表面改質によるカーボンナノチューブ構造・物性制御と電気特性
中性粒子束表面改性控制碳纳米管结构及物理性能和电性能
- 批准号:
20651039 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 2.18万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
高精度プラズマプロセスのためのオンウェハーモニタリングシステムに関する研究
高精度等离子体工艺在片监测系统研究
- 批准号:
04F04143 - 财政年份:2004
- 资助金额:
$ 2.18万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
サブ10nm量子ドットの超解像近接場分光
亚10nm量子点的超分辨率近场光谱
- 批准号:
16656027 - 财政年份:2004
- 资助金额:
$ 2.18万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
相似海外基金
プラズマプロセスによる膜形成の一般則の統合研究
等离子体工艺成膜一般规律的综合研究
- 批准号:
24H00205 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.18万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
プラズマプロセスの機能的出力をもたらす多様な多次元分布の統一的理解
对驱动等离子体过程功能输出的不同多维分布的统一理解
- 批准号:
24H00036 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.18万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
先端プラズマプロセスが実現するナノハイブリッド材料設計
通过先进等离子体工艺实现纳米混合材料设计
- 批准号:
23KJ1056 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.18万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
放電手法制御によるプラズマプロセス精密制御機構の解明とその応用
放电法控制等离子过程精密控制机理的阐明及其应用
- 批准号:
23K03368 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.18万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of core/shell nano-composite magnetic particles by low oxygen powder metallurgy
低氧粉末冶金核/壳纳米复合磁性粒子的研制
- 批准号:
22KF0432 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.18万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Organic synthesis process from carbon dioxide and water using plasma
使用等离子体从二氧化碳和水进行有机合成工艺
- 批准号:
23H01356 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.18万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
金属有機構造体を用いたプラズマ生成活性種の選択的活用
使用金属有机框架选择性地利用产生等离子体的活性物质
- 批准号:
22K18700 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.18万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
高密度環境プラズマが拓く二次元ヘテロ構造材料の新展開
高密度环境等离子体开发二维异质结构材料新进展
- 批准号:
21J13463 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.18万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Development of a cryo-plasma environment simulator for icy bodies in the outer solar system
开发外太阳系冰体的低温等离子体环境模拟器
- 批准号:
21K18614 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.18万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
先端アクアプラズマプロセスによる環動高分子を用いた革新的タフコンポジットの創製
使用先进的水等离子工艺,使用环移动聚合物创建创新的坚韧复合材料
- 批准号:
21H04450 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.18万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)














{{item.name}}会员




