酸化亜鉛系半導体を用いた室温動作励起子ポラリトンレーザ実現に関する基礎研究
酸化亜鉛系半導体を用いた室温動作励起子ポラリトンレーザ実現に関する基礎研究
批准号:
15656080
负责人:
秩父 重英
金额:
$2.05万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2003
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2003 至 2004
中文摘要
本研究は、励起子束縛エネルギーの大きい酸化亜鉛(ZnO)の優れた材料的特長をデバイスに抽出して生かすべく、励起子共鳴波長程度のZnO単結晶薄膜を対向する反射鏡で挟み込むことにより微小共振器を形成し、励起子と電磁波の連成波(励起子ポラリトン)を共振器モードに結合させることによって、室温において共振器結合励起子ポラリトンを形成することを最終目標として行った。2年間で得られた成果のハイライトは以下の点である。1)申請者が独自に開発した「ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(HWPSE)法」を用い、a面サファイヤ上へのZnOおよびMg_<0.06>Zn_<0.94>O混晶のエピタキシャル成長に成功した。また、プラズマ分光測定を通じ、MgZnO薄膜形成中にZnおよびMg原子からの強い発光が観測される事を見出した。従って、成長にはターゲットから飛び出すZn-O分子やMg-O分子だけでなく、カチオン原子が寄与している事を明らかにした。2)微小共振器の構成部品となるSiO_2/ZrO_2誘電体多層膜および、MgZnO/ZnOとAIN/GaNの半導体多層膜の設計を、分布ブラッグ反射鏡の反射率計算から行った。その結果、誘電体多層膜では屈折率差が大きく取れることから、膜厚誤差ほぼ3nm以内で62.0nm/42.7nmの周期構造を8周期形成することにより99%の反射率が得られるが、半導体多層膜では同等の膜厚比で40周期程度堆積する必要がある事がわかった。この計算をもとに、実際に電子ビーム蒸着法と、HWPS法の2通りの方法でSiO_2/ZrO_2誘電体多層膜反射鏡の形成実験を行った。その結果、特にHWPS法を用いた場合に、表面の平均二乗粗さが0.2nm程度のSiO2やZrO2堆積できることが明らかになった。ブラッグ反射鏡としてはレコード級の平坦さである。3)HWPSE法以外の成長法(レーザMBE法やMBE法)により成長されたZnO薄膜結晶を用い、励起子と電磁波の連成波の観測実験を行った。その結果、薄膜試料であってもi)高温成長による低Zn空孔密度化、ii)高温アニールによる低格子間欠陥密度化を行うことによって高次励起子や励起子ポラリトンが観測できることを示した。以上のように、萌芽的内容であり実現の可能性が未知数であった酸化亜鉛の励起子ポラリトン形成に関して、有用な知見を与えられたと考えている。
英文摘要
本研究は、励起子束縛エネルギーの大きい酸化亜鉛(ZnO)の優れた材料的特長をデバイスに抽出して生かすべく、励起子共鳴波長程度のZnO単結晶薄膜を対向する反射鏡で挟み込むことにより微小共振器を形成し、励起子と電磁波の連成波(励起子ポラリトン)を共振器モードに結合させることによって、室温において共振器結合励起子ポラリトンを形成することを最終目標として行った。2年間で得られた成果のハイライトは以下の点である。1)申請者が独自に開発した「ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(HWPSE)法」を用い、a面サファイヤ上へのZnOおよびMg_<0.06>Zn_<0.94>O混晶のエピタキシャル成長に成功した。また、プラズマ分光測定を通じ、MgZnO薄膜形成中にZnおよびMg原子からの強い発光が観測される事を見出した。従って、成長にはターゲットから飛び出すZn-O分子やMg-O分子だけでなく、カチオン原子が寄与している事を明らかにした。2)微小共振器の構成部品となるSiO_2/ZrO_2誘電体多層膜および、MgZnO/ZnOとAIN/GaNの半導体多層膜の設計を、分布ブラッグ反射鏡の反射率計算から行った。その結果、誘電体多層膜では屈折率差が大きく取れることから、膜厚誤差ほぼ3nm以内で62.0nm/42.7nmの周期構造を8周期形成することにより99%の反射率が得られるが、半導体多層膜では同等の膜厚比で40周期程度堆積する必要がある事がわかった。この計算をもとに、実際に電子ビーム蒸着法と、HWPS法の2通りの方法でSiO_2/ZrO_2誘電体多層膜反射鏡の形成実験を行った。その結果、特にHWPS法を用いた場合に、表面の平均二乗粗さが0.2nm程度のSiO2やZrO2堆積できることが明らかになった。ブラッグ反射鏡としてはレコード級の平坦さである。3)HWPSE法以外の成長法(レーザMBE法やMBE法)により成長されたZnO薄膜結晶を用い、励起子と電磁波の連成波の観測実験を行った。その結果、薄膜試料であってもi)高温成長による低Zn空孔密度化、ii)高温アニールによる低格子間欠陥密度化を行うことによって高次励起子や励起子ポラリトンが観測できることを示した。以上のように、萌芽的内容であり実現の可能性が未知数であった酸化亜鉛の励起子ポラリトン形成に関して、有用な知見を与えられたと考えている。
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秩父重英, 宗田孝之: "II-VI族酸化物半導体ZnOにおける励起子領域の光学スペクトル"応用物理(研究紹介). 73・5(5月発巻). (2004)
Shigehide Chichibu、Takayuki Muneta:“II-VI族氧化物半导体ZnO中的激子区域的光谱”应用物理(研究简介)73・5(2004年5月号)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Koyama, S.F.Chichibu: "Importance of lattice-matching and surface arrangement for the helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO"Journal of Applied Physics. 96(in press). (2004)
T.Koyama、S.F.Chichibu:“晶格匹配和表面排列对于 ZnO 螺旋波激发等离子体溅射外延的重要性”应用物理学杂志。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
DOI:
10.1088/0268-1242/20/4/009
发表时间:
2005-04
期刊:
Semiconductor Science and Technology
影响因子:
1.9
作者:
[S. Chichibu;A. Uedono;A. Tsukazaki;T. Onuma;M. Zamfirescu;A. Ohtomo;A. Kavokin;G. Cantwell;C. Litton;T. Sota;Masashi Kawasaki]
通讯作者:
S. Chichibu;A. Uedono;A. Tsukazaki;T. Onuma;M. Zamfirescu;A. Ohtomo;A. Kavokin;G. Cantwell;C. Litton;T. Sota;Masashi Kawasaki
Radiative and nonradiative excitonic transitions in nonpolar (11-20) and polar (000-1) and (0001) ZnO epilayers
非极性 (11-20) 和极性 (000-1) 和 (0001) ZnO 外延层中的辐射和非辐射激子跃迁
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
Applied Physics Letters 84(7)
影响因子:
--
作者:
[T.Koida, SF.Chichibu, A.Uedono, T.Sota, A.Tsukazaki, M.Kawasaki]
通讯作者:
M.Kawasaki
In situ monitoring of Zn* and Mg* species during helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy of ZnO and Mg_<0.06>Zn_<0.94>O films
ZnO 和 Mg_<0.06>Zn_<0.94>O 薄膜螺旋波激发等离子体溅射外延过程中 Zn* 和 Mg* 物质的原位监测
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
Journal of Vacuum Science and Technology B 22(4)
影响因子:
--
作者:
[T.Koyama, T.Ohmori, N.Shibata, T., Onuma, S.F.Chichibu]
通讯作者:
S.F.Chichibu
共 9 条
六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御
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批准号:23K22786
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$1.91万
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财政年份:2024
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负责人:秩父 重英
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依托单位:
グラファイト型層状窒化ホウ素の気相合成と光電子素子材料としての物性解明
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批准号:23K17757
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2023
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负责人:秩父 重英
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依托单位:
六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御
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批准号:22H01516
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.4万
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财政年份:2022
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负责人:秩父 重英
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依托单位:
高効率可視・紫外光源を目指した非極性 III 族窒化物半導体量子構造の形成
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批准号:06F06385
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.02万
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财政年份:2006
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负责人:秩父 重英
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依托单位:
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法の提案と酸化物半導体ナノ構造の形成
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批准号:13750264
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2001
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负责人:秩父 重英
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依托单位:
窒化物半導体量子井戸構造の光学遷移過程における励起子局在効果の研究
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批准号:11750268
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1999
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负责人:秩父 重英
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依托单位:
MOCVD成長高品質銅カルコパイライト半導体エピタキシャル層の発光素子化検討
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批准号:07750370
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1995
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负责人:秩父 重英
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依托单位:
海外基金