微分光電子ホログラフィーによる熱電子放出材料等の表面構造と高温物性に関する研究

利用差分光电子全息技术研究热电子发射材料的表面结构和高温物理性能

• 批准号: 17656018
• 负责人: 二瓶 好正
• 金额: $ 2.18万
• 依托单位: Tokyo University of Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2005 至 2006
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-17656018/
• 关键词: X線光電子回折; 光電子ホログラフィー; 三次元原子像; 微分光電子ホログラフィー; Dualターゲット; X線光電子分光; Cu(110); 人工多層膜分光結晶; 三次元像再生

X線光電子回折(XPED)法は、薄膜等における表面化学状態分析や結晶構造の解析に非常に有効な手法である。現在XPED法による構造解析には、予想される構造モデルに対しシミュレーション実験を行う必要があり、計算や試行錯誤のために時間が費やされている。一方、光電子回折パターンをホログラムとみなし直接的に結晶の三次元原子像を得る光電子ホログラフィー(PH)による解析が提案された。しかし、PHを用いて再生した三次元原子像には、光電子波の特性のために虚像や歪みが多く、改良が必要とされている。そこで以前の研究では、PHを応用し二つの光電子回折パターンの差分をとることによって、光電子波の特性を軽減し、三次元像再生を行う微分光電子ホログラフィー(DPH)を提案した。DPHは二種の特性X線を必要とし、放射光を用いない実験室系での適用報告は未だされていない。本研究では実験室系でのDPHを想定し検討されてきた三次元原子像精度や最適条件に関し、光電子運動エネルギーの面から検討した。

X-ray photoelectron reflection (XPED) method is very useful for surface chemical analysis and crystal structure analysis. Now the XPED method for structural analysis is expected to be implemented in a timely manner. A solution for the three-dimensional atomic image of photoelectron reflection is proposed. The characteristics of photoelectron waves are reflected in the three-dimensional atomic image. Previous studies on photoelectron reflection, photoelectron wave characteristics, photoelectron wave regeneration, photoelectron polarization, photoelectron polarization, photoelectron polarization. DPH has two kinds of characteristics: X-ray, radiation, room system, application report, etc. In this paper, we discuss the precision and optimum conditions of three-dimensional atomic image in the laboratory system, and the surface of photoelectron motion.

项目成果

Growth of Fe on Ge(1 1 1) at room temperature studied by X-ray photoelectron diffraction

• DOI: 10.1016/j.susc.2006.10.031
• 发表时间: 2007-02
• 期刊: Surface Science
• 影响因子: 1.9
• 作者: W. Chu;A. Tsuruta;M. Owari;Y. Nihei

Surface structural analysis of h-BN/Ni(111)by X-ray photoelectron diffraction excited by Al Kα and Cr Lα lines

Al Kα 和 Cr Lα 线激发的 X 射线光电子衍射分析 h-BN/Ni(111) 的表面结构

• 发表时间: 2006
• 期刊: Surface and interface analysis 38
• 作者: Masanori Fuyuki;Kazuya Watanabe;W.G.Chu;H.Mochizuki
• 通讯作者: H.Mochizuki

X線光電子回折の現状と将来

X射线光电子衍射的现状与未来

• 发表时间: 2005
• 期刊: 応用物理 74
• 作者: H.Mochiduki;K.Amano;M.Nojima;M.Owari;Y.Nihei;二瓶好正
• 通讯作者: 二瓶好正

Highly angular resolved photoelectron diffraction study on semiconductor surface phase transition

半导体表面相变的高角分辨光电子衍射研究

• 发表时间: 2006
• 期刊: Surface and Interface Analysis (submitted)
• 作者: K.Amano H.Mochiduki;M.Nojima;M.Owari;Y.Nihei
• 通讯作者: Y.Nihei

Surface structural analysis of h-BN/Ni(111) by X-ray photoelectron diffraction exited by Al-ka line and Cr-ka line

Al-ka线和Cr-ka线激发的X射线光电子衍射分析h-BN/Ni(111)的表面结构

• 发表时间: 2006
• 期刊: Surface and Interface Analysis (submitted)
• 作者: H.Mochiduki;K.Amano;M.Nojima;M.Owari;Y.Nihei
• 通讯作者: Y.Nihei