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自己集合単分子膜を利用した銀薄膜の安定化

使用自组装单层膜稳定银薄膜

基本信息

批准号：
19656185
负责人：
川村みどり
金额：
$ 1.47万
依托单位：
Kitami Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至 2008
项目状态：
已结题

项目摘要

前年度に引き続き、SiO_2基板上銀薄膜の構造に、チオール基を有する有機シラン分子を用いた自己集合膜を導入し、銀と有機分子中のチオール基の強固な結合を利用した、銀薄膜の安定性の改善を試みた。今年度は、銀薄膜の厚さを60nmに低減し、それに伴って、熱処理温度を400℃に引き下げて実験を行った。SiO_2基板上へのSAMの形成の確認については、今回新たに試みた角度分解光電子分光法によっても確認した。また、SAM形成後の基板に、Ag膜を真空蒸着法及びスパッタリング法によって堆積させた試料のマイクロスクラッチ試験法による密着強度を調査も行った。その結果、チオール基を有する分子とその他の分子、SAM非形成基板との明確な差異が認められた。次に真空中で熱処理(温度400℃、1時間)を施した結果においても、凝集等の表面形態変化は、SAM非形成基板及びチオール基を有しない分子(メチル基を有するOTMSなど)のSAM形成基板に比べて、著しく小さかった。従って、MPTMsのsAMをsiO_2基板に導入することによって、銀薄膜の安定化に対する一定の効果が確認できた。それに対応して、電気抵抗率も低抵抗値を維持している事が確認できた。既報の極薄アルミ層を用いた構造と比較すると、基板との界面に導入した場合は、どちらも同程度の効果であるが、表面に導入した場合は、相対的に熱的安定性の低いSAMでは、安定化効果が認められず、アルミ層の方が優れていることも判明した。結論として、銀薄膜構造にチオール基を有するSAMを導入する事により、チオール基と銀の強固な結合により、熱処理を施しても銀薄膜の安定化が可能であるという知見が得られた。銀電極等の用途において、非常に有用であると考えられる。

In the previous year, we introduced the use of thin film fabrication on SiO_2 substrates, the use of self-assembled films to improve the stability of thin films, and the use of thin film stability to improve test performance. This year, the film thickness, 60nm temperature, temperature and temperature. The SAM device on the SiO_2 substrate forms a confirmation device. This time, the angle decomposition photoelectron spectroscopy method is used to confirm the performance of the device. After the formation of SAM, the substrate, Ag film vacuum steaming method and vacuum coating method were used to determine the strength of the substrate. The results show that there are two kinds of molecules, such as other molecules and SAM non-forming substrates. In the secondary vacuum, the temperature is 400C, the temperature is 1 h, and the results show that the surface morphology, agglutination and other surface morphology, the SAM non-forming substrate and the OTMS substrate are formed by SAM, which is used to form a substrate. Make sure that the substrate of MPTMsAMSIMSO _ 2 is stabilized and that the film is stabilized. The resistance rate of electricity and electricity is low, the resistance rate is low, and the incident is confirmed. The results show that the stability of the substrate is lower than that of the substrate, the interface of the substrate and the interface of the substrate. [WT5HZ] [WT5BZ] Electricity and other applications are very useful and very useful.