レーザ共鳴電離法によるスパッタリング表面初期過程の研究

激光共振电离法溅射表面初始过程研究

• 批准号: 05650028
• 负责人: 井上 雅彦
• 金额: $ 0.51万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1993
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1993 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-05650028/
• 关键词: レーザ共鳴電離法; スパッタリング初期過程; 2次元合金

本研究の目的は、イオンビーム衝撃に伴うスパッタリング現象の初期過程、特に多元合金系における表面組成変化の様子をレーザ共鳴電離法を用いて明らかにすることである。本年度の研究内容は以下のとうりである。(1)過渡現象を追跡する上で初期状態が明確に定義された表面を試料として用いる必要がある。そこで準備段階として(Au,Ag)/Si(111)の2次元合金系において形成される超格子構造の熱的安定性、構造相転移等について研究を行った。その結果、Si(111)-5XI-Au表面にAgを蒸着すると√<3>×√<3>-(Au,Ag)構造となるが、Si(111)-√<3>×√<3>-Au表面にAgを蒸着すると、θ_<Ag>≦0.6では√<21>×√<21>R±10.89^0-(Au,Ag),またθ_<Ag>≧0.6では2√<3>×2√<3>-(Au,Ag)となること、等が明らかとなった。(2)昨年度報告したレーザ共鳴電離法における線形応答理論において不明瞭であった点,即ち連続的な関数を離散化する手続きの部分を明確に定式化した。これにより実際のデータ解析に必要な窓行列の行列要素の計算手順を具体的に示すことができた。(3)イオン照射による多元合金系の表面組成変化の一例としてN^+_2イオン照射によるT:N単結晶薄膜の形成初期過程を調べた。その結果、薄膜成長方位は、Ti/N^+_2比により制御されうること、また形成された膜においてTiN(001)面よりもTiN(111)面の方が原子スケールで平担な表面となることが明らかとなった。

这项研究的目的是阐明使用激光谐振电离与离子束撞击相关的溅射现象的初始过程，尤其是多合算系统中表面组成的变化。今年的研究内容如下：（1）必须使用具有明确定义的初始状态作为样本的表面以跟踪瞬变。因此，作为制备阶段，我们对在（AU，AG）/SI（111）和结构相变的二维合金系统中形成的超晶格结构的热稳定性进行了研究。结果，已经表明，当Ag沉积在Si（111）-5xi-au表面上时，结构将变为√<3>×√<3> - （au，ag），而当ag沉积在Si（111） - √<3>×<3>×√<3> -Au表面上时，它会变成√21>√21> gual×√<21> 10.8-10.8-10.8-10.8-10.8-10^0. 18^and and and和θ_<ag> 0.6，2√ <3>×2√<3> - （au，ag）。 （2）在去年报道的激光共振电离方法的线性响应理论中含糊不清的点，即离散连续功能的程序的一部分。这允许对实际数据分析所需的窗口矩阵的矩阵元素进行具体说明。 （3）作为离子辐照引起的多合金系统的表面组成变化的一个例子，研究了通过N^+_ 2离子辐照形成t：n t：n t：n单晶薄膜的初始过程。结果，揭示了薄膜生长的方向可以由Ti/N^+_ 2比控制，并且在形成的膜中，TIN（111）表面是原子尺度上的平坦表面，而不是TIN（001）表面。

项目成果

Y.Beag,K.Min,M.Inoue,M.Kiuchi,K.Fujii and R.Shimizu: "Reflection High Energy Electron Diffraction Observation of Dynamic Ion Beam Mixing Process in Titanium Nitride Formation" Jpn.J.Appl.Phys.32. 4714-4717 (1993)

Y.Beag、K.Min、M.Inoue、M.Kiuchi、K.Fujii 和 R.Shimizu：“氮化钛形成中动态离子束混合过程的反射高能电子衍射观察”Jpn.J.Appl.Phys。

K.Min,Y.Beag,M.Inoue and R.Shimizu: "A New Apparatus for Ion-Assisted Surface Modification [1] Construction of Apparatus" Technology Reports of the Osaka University. 43. 175-180 (1993)

K.Min、Y.Beag、M.Inoue 和 R.Shimizu：“离子辅助表面改性的新型装置[1]装置的构建”大阪大学技术报告。

M.Inoue: "On the Matrix Elements in the Linear Response Theory for Multiphoton Resonance Ionization Spectroscopy" Technology Reports of the Osaka University. 44(発表予定). (1994)

M. Inoue：“关于多光子共振电离光谱的线性响应理论中的矩阵元素”，大阪大学技术报告 44（待出版）。

J.Yuhara,M.Inoue and K.Morita: "Thermal Stability of 2D Atomic Structures of Au-Ag Adsorbates on Si(111) Surfaces" J.Vac.Sci.Technol.A11. 2714-2717 (1993)

J.Yuhara、M.Inoue 和 K.Morita：“Si(111) 表面上 Au-Ag 吸附物的二维原子结构的热稳定性”J.Vac.Sci.Technol.A11。