^<18>O_2^+イオン銃の試作

^<18>O_2^+ 离子枪原型

• 批准号: 06555022
• 负责人: 井上 雅彦
• 金额: $ 1.79万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06555022/
• 关键词: Sputtering; depth profiling; AES; GaAs; AlAs; superlattice; O_2^+; SIMS

超高真空を必要とする各種表面分析装置において、動作ガス圧が低いということから電子衝撃型イオン銃がよく用いられる。ところが、このイオン銃は電子源であるタングステン熱フィラメントが酸素雰囲気中で容易に焼き切れてしまうため、O_2^+ビームの発生には適していない。本研究ではこの欠点を解決して超高真空装置で使用可能なO_2^+イオン銃を開発することを目的とした。まず最初に以前に開発した電子衝撃型イオン銃のタングステンフィラメントをレニウムフィラメントに交換し、基本的な動作特性の測定で行い、最適動作条件の決定を行った。その結果到達真空度4×10^<-10>Torrの超高真空オージェ電子分光装置において、動作真空度8×10^<-10>Torr,加速電圧1kVでO_2^+イオンビーム電流80nAを得,15時間以上の安定動作に成功した。次にイオンスパッタ援用深さ方向分析の国際的な標準試料の有力な候補として提案されているGaAs/AlAs人工超格子試料に対して、上記O_2^+イオンビームを用いてオージェ電子分光による深さ方向分析を行った。おそらくこれは世界初の試みであると思われる。通常のAr^+イオンスパッタリングの場合と比べて以下の点で顕著な差異が生じた。1)AlAs層よりもGaAs層の方がスパッタ速度が約43%ほど大きい。2)GaAs→AlAs界面よりもAlAs→GaAs界面の方が深さ分解能が悪い。3)As-LMMオージェ電子強度はAlAs層よりもGaAs層において大きい。特に、3)はAr^+イオンスパッタリングの場合とまったく正反対の挙動である。以上のことと、従来のGaAs系での報告例を合わせて考えると、AlAs層においてAs原子O原子の置換が生じやすく、このためAl酸化物が形成されてスパッタ速度が遅くなり、また原子ミキシングが増大してAlAs→GaAs界面が荒れたものと思われる。

For ultra-high vacuum equipment, it is necessary to use all kinds of surface analysis devices for testing and operation. It is easy to cut the electricity source and O2^ + to make sure that it is not easy to cut the electricity source, and to make sure that it is not easy to do so. The purpose of this study is to solve the problem of ultra-high vacuum equipment using O2^ + vacuum system. At the beginning of the day, it was necessary to start the operation of the basic operation characteristics, the measurement of the basic operation characteristics, the determination of the operation conditions, and the operation conditions that determine the operation conditions. The test results show that the vacuum degree is 4 × 10 ^ & lt;-10>Torr ultra-high vacuum electron spectroscopic equipment, the operating vacuum is 8 × 10 ^ & lt;-10>Torr, and the acceleration of 1kV O _ 2 ^ + thermal shock current 80nA is achieved, and the stability operation is successful for more than 15 hours. The next step is to apply the standard of deep directional analysis to the international standard of directional analysis. We are waiting for the proposal to improve the quality of GaAs/AlAs artificial superlattice materials. On the above note, O _ 2 ^ + is used for in-depth directional analysis. I don't know. I don't know. I don't know. Usually, the number of points below is lower than that of the lower point, which is worse than that of the lower point. 1) the speed of the AlAs is about 43% of the total speed of the GaAs. 2) GaAs "AlAs interface"AlAs" GaAs interface "deep" decomposition energy. 3) As-LMM

项目成果

Masahiko Inoue et al.: "Dopth Profile Amalysis of a GaAs/AlAs superlattice structure by Auger electron spectroscopy with O_2^+ ion sputtering" Jpn.J.Appl.phys.(発表予定). (1995)

Masahiko Inoue 等人：“通过 O_2^+ 离子溅射的俄歇电子能谱分析 GaAs/AlAs 超晶格结构”Jpn.J.Appl.phys（即将发表）。