^<18>O_2^+イオン銃の試作

^<18>O_2^+ 离子枪原型

• 批准号: 06555022
• 负责人: 井上 雅彦
• 金额: $ 1.79万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06555022/
• 关键词: Sputtering; depth profiling; AES; GaAs; AlAs; superlattice; O_2^+; SIMS

超高真空を必要とする各種表面分析装置において、動作ガス圧が低いということから電子衝撃型イオン銃がよく用いられる。ところが、このイオン銃は電子源であるタングステン熱フィラメントが酸素雰囲気中で容易に焼き切れてしまうため、O_2^+ビームの発生には適していない。本研究ではこの欠点を解決して超高真空装置で使用可能なO_2^+イオン銃を開発することを目的とした。まず最初に以前に開発した電子衝撃型イオン銃のタングステンフィラメントをレニウムフィラメントに交換し、基本的な動作特性の測定で行い、最適動作条件の決定を行った。その結果到達真空度4×10^<-10>Torrの超高真空オージェ電子分光装置において、動作真空度8×10^<-10>Torr,加速電圧1kVでO_2^+イオンビーム電流80nAを得,15時間以上の安定動作に成功した。次にイオンスパッタ援用深さ方向分析の国際的な標準試料の有力な候補として提案されているGaAs/AlAs人工超格子試料に対して、上記O_2^+イオンビームを用いてオージェ電子分光による深さ方向分析を行った。おそらくこれは世界初の試みであると思われる。通常のAr^+イオンスパッタリングの場合と比べて以下の点で顕著な差異が生じた。1)AlAs層よりもGaAs層の方がスパッタ速度が約43%ほど大きい。2)GaAs→AlAs界面よりもAlAs→GaAs界面の方が深さ分解能が悪い。3)As-LMMオージェ電子強度はAlAs層よりもGaAs層において大きい。特に、3)はAr^+イオンスパッタリングの場合とまったく正反対の挙動である。以上のことと、従来のGaAs系での報告例を合わせて考えると、AlAs層においてAs原子O原子の置換が生じやすく、このためAl酸化物が形成されてスパッタ速度が遅くなり、また原子ミキシングが増大してAlAs→GaAs界面が荒れたものと思われる。

Ultra-high vacuum is necessary for various surface analysis devices, and the action is low-pressure and low-pressure.ところが、このイオン铳はelectron source であるタングステン热フィラメントが acid element atmosphere気中でEASYに焼きcutれてしまうため、O_2^+ビームの発生にはsuitableしていない. The purpose of this study is to solve the problem of possible use of ultra-high vacuum equipment and to open up the problem of ultra-high vacuum equipment.まずInitially before に开発したElectronic impact type イオン鳳のタングステンフィラメントをレニウムIt can be used for the exchange of フィラメントに, the measurement of basic operating characteristics, and the determination of optimal operating conditions. The result reaches a vacuum degree of 4×10^<-10>Torr's ultra-high vacuum オージェelectronic spectrometer, an operating vacuum degree of 8×10^< -10>Torr, the acceleration voltage is 1kV and the current is 80nA, and the stable operation is successful after 15 hours or more. The proposal of a powerful candidate for the international standard sample GaAs/AlAs using deep direction analysis The artificial superlattice sample O_2^+イオンビームを was analyzed using the electron spectroscopic depth and direction analysis.おそらくこれは世界first no trialみであると思われる. Usually のAr^+イオンスパッタリングのoccasion と than べて の点で顕与な difference が生じた. 1) The speed of AlAs layer and GaAs layer is about 43%. 2) The interface between GaAs→AlAs and the AlAs→GaAs interface are square and deep and the decomposition energy is high. 3) The electron strength of As-LMM is higher than that of AlAs layer and GaAs layer. Special に、3)はAr^+イオンスパッタリングのoccasionとまったくpositive and negative 対の挙挙动である. The above report examples of GaAs system での を合わせて考えると, AlAs layer においてAs atoms O atoms の生 じやすく, このためThe formation speed of Al acid compound is the same as the speed of the formation of the Al acid compound, and the atomic speed is the sameングがincreasing large してAlAs → GaAs interface が野れたものと思われる.

项目成果

Masahiko Inoue et al.: "Dopth Profile Amalysis of a GaAs/AlAs superlattice structure by Auger electron spectroscopy with O_2^+ ion sputtering" Jpn.J.Appl.phys.(発表予定). (1995)

Masahiko Inoue 等人：“通过 O_2^+ 离子溅射的俄歇电子能谱分析 GaAs/AlAs 超晶格结构”Jpn.J.Appl.phys（即将发表）。