シフトレジスタ機能付超高速光メモリ構成法の研究
具有移位寄存器功能的超高速光存储器配置方法研究
基本信息
- 批准号:15656016
- 负责人:
- 金额:$ 2.24万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
- 财政年份:2003
- 资助国家:日本
- 起止时间:2003 至 2004
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
偏光双安定面発光半導体レーザ(VCSEL)を用い、極めて小さな光入力エネルギーで動作可能な全光型フリップ・フロップ、および光バッファメモリ構成法の研究を行い、以下の成果を得た。1.全光型フリップ・フロップ動作光バッファメモリの動作条件を明らかにすることを主な目的として、波長0.98μm帯偏光双安定面発光半導体レーザを用いて、全光型フリップ・フロップ動作の光入力エネルギーの低減を検討した。正方形のメサ構造をもつVCSELは、作製上から生ずる非対称性をもち、偏光が直交する2つの発振モードの波長は数GHz異なるのが一般的である。セット光とリセット光の波長をそれぞれ個別に最適化することにより、0.2〜0.3fJ程度の小さな光入力エネルギーでフリップ・フロップ動作を実現した。2.光バッファメモリ偏光双安定性をもつ面発光半導体レーザアレイを用いて、光パケット交換用の全光型バッファメモリが実現できること、二次元アレイ面発光半導体レーザを用いて、記録情報を二次元アレイ内で一括転送し記録できる、シフトレジスタ機能をもたせることが可能なことがわかった。このシフトレジスタ機能の追加により光バッファメモリの構成が簡単になり大容量化できることから、フォトニックネットワークの発展に大きな寄与ができるものと考えている。GaAs/InGaAs系材料を用いてメサ構造面発光半導体レーザの二次元アレイを作製し、メサの大きさを5μm角にすることにより偏光双安定を実現した。又、光入力によるフリップ・フロップ動作を実現した。又、シフトレジスタ機能付バッファメモリの具体的な構成法を検討し、実証実験を行うことができる測定系の準備を終えた。
The polarizing double stabilizer semiconductor (VCSEL) is used, the light penetration force is very small, the action may be full-light, the light is full, and the results are as follows. 1. The operation condition of the all-optical beam is clear, and the wave length is 0.98 μ m. The wavelength of the polarizer is 0.98 μ m. The semi-optical semi-optical sensor is used, and the all-optical sensor is used. The square is made of the VCSEL, the upper part is made of the non-symmetrical, the polarizer is orthogonal, and the wave length is GHz. In this paper, the optical wave length of light is measured, and the effect of light intensity on the wavelength of the optical wave is analyzed in this paper. In this paper, the optical wave length and wavelength of the optical wave are measured, and the effects of the light intensity and 0.2~0.3fJ are analyzed in detail. two。 The polarizer is bistable, the surface is semi-stable, the light is used, the full light is used, the light is visible, the second half is used, the information is recorded, the memory is used, and the memory is used. Please tell me that the machine can tell you that you may not be able to do so. On the basis of the information, the information system can be used to improve the performance of the system. The system is designed to increase the capacity of the system. GaAs/InGaAs series materials are made of polarizers, polarizers and bistable polarizers. In addition, the force of light does not make sense. The action is to make a difference. In addition, the equipment can be used to determine the specific information of the system, and to determine the accuracy of the measurement system.
项目成果
期刊论文数量(48)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
河口仁司: "[招待論文]面発光半導体レーザの偏光双安定スイッチング"電子情報通信学 信学技報. OPE2003-195,LQE2003-132. 13-16 (2003)
Hitoshi Kawaguchi:“[特邀论文]表面发射半导体激光器的偏振双稳态切换”IEICE 技术报告。 OPE2003-195,LQE2003-132 (2003)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
河口仁司, 他 分担: "Handbook of Laser Technology and Applications, B2.8"Institute of Physics publishing. 42 (2003)
Hitoshi Kawaguchi 等人贡献:“激光技术和应用手册,B2.8”物理研究所出版 42 (2003)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Y.Sato, Y.Takahashi, Y.Kawamura, H.Kawaguchi: "Field dependence of electron spin relaxation during transport in GaAs"Japanese Journal Applied Physics. Vol.43, No.2A. L230-L232 (2004)
Y.Sato、Y.Takahashi、Y.Kawamura、H.Kawaguchi:“GaAs 传输过程中电子自旋弛豫的场依赖性”日本应用物理学杂志。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
河口仁司: "超高速光エレクトロニクス技術ハンドブック、9.2章「光双安定デバイス」"リアライズ理工センター. 11 (2003)
川口仁:“超高速光电子技术手册,第9.2章“光学双稳态器件””Realize科学与工程中心11(2003)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Y.Sato, M.Yamaguchi, Y.Takahashi, Y.Kawamura, H.Kawaguchi: "Spin relaxation measurement of the spin-polarized electrons during transport in GaAs using double-quantum well heterostructure"the European Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO/ Europe 2
Y.Sato、M.Yamaguchi、Y.Takahashi、Y.Kawamura、H.Kawaguchi:“使用双量子阱异质结构对 GaAs 传输过程中自旋极化电子的自旋弛豫测量”欧洲激光与电光会议
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