離調効果を導入した光双安定半導体レーザの高性能化, 複合化に関する研究

失谐光学双稳态半导体激光器的高性能与复合化研究

基本信息

  • 批准号:
    62550278
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    1987
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1987 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

将来の光情報処理・光コンピューティングの有力素子と考えられる双安定半導体レーザへのDFB構造の導入およびその離調効果の利用によって, 素子の高性能化が可能であることを理論的, 実験的に示した. 双安定DFBレーザにおける離調効果の理論的検討にあたっては, まず, 半導体レーザの利得スペクトルを考慮した解析法を提案し, これまで用いられてきた方法よりも厳密な特性解析を可能であることをしめした. この新たに提案した解析法に基づき, 双安定DFBレーザの静特性, 動特性を詳細に解析した. その結果, 静特性については, 双安定性を特徴づけるヒステリシス幅, 立ち上がり, 立ち下がり閾値は発振波長に非常に強く依存しているので, 離調による制御が可能なことが明らかとなった. 動特性では, 短波長側への離調によって, スイッチング速度はON・OFF動作とも2倍以上に高速化できる可能性があることを示した. この速度向上は, 離調にともなう増幅領域の微分利得増大によるところが大きく, ON動作におけるスイッチON遅れ時間は微分利得にほぼ比例していて, OFF動作における立ち下がり時間は微分利得と光子密度の積の平方根にほぼ比例して高速化されることがわかった. また同時に, スイッチOFF実現に必要なリセットパルス幅も短波長側への離調によって短縮されることが示された. さらに, スイッチング速度については, 活性層へのpドーピングによる一層の高速化を検討し, 最適なドーピングレベルの存在を明らかにした. 一方, 2電極構造の双安定DFBレーザを用いた基礎的な実験を行ない, 離調によるヒステリシス幅および閾値の変動を実験的に確認するとともに, これを高速化する可能性についても見通しを得た. これらを総合して, 離調効果を積極的に利用することによって, 光双安定レーザの特性を大幅に改善する可能性があることが新しい知見としてえられた.
In the future, the optical information processing, optical fiber structure, power element, etc. will be introduced into the bistable semiconductor structure, and the use of high performance elements will be possible. A theoretical analysis of the effects of bistable DFB is proposed, which is based on the consideration of the gain of semiconductor. The static and dynamic characteristics of bistable DFB are analyzed in detail. As a result, the static characteristics are very dependent on the threshold wavelength, and the stability characteristics are very stable. Dynamic characteristics, short wavelength side tuning, speed, ON/OFF operation, more than twice the speed, possibility of high speed, etc. The differential gain of the amplitude field increases with the speed upward, and the differential gain of the time field increases with the speed upward. At the same time, it is necessary to reduce the wavelength of the short wavelength side by shortening the wavelength of the short wavelength side. In addition, the speed of the active layer is reduced, and the speed of the active layer is increased. The bi-stable DFB structure of a square, 2-electrode structure is used in the basic operation, the off-tuning, the amplitude and the threshold value are determined, and the possibility of speeding up is obtained. The possibility of greatly improving the characteristics of the optical bistable system is discussed in this paper.

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Hajime Shoji, Yasuhiko Arakawa, and Yoichi Fujii: The Transaction of the IEICE. E70-4. 309-311 (1987)
Hajime Shoji、Yasuhiko Arakawa 和 Yoichi Fujii:IEICE 的交易。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
藤井陽一編: "先端光技術" アグネ承風社, 282 (1988)
藤井阳一主编:《先进光学技术》Agne Seifusha,282(1988)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Yoichi Fujii and C.D.Hussey: IEE Proceedings. 133-4. 249-255 (1986)
Yoichi Fujii 和 C.D.Hussey:IEE 论文集。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
小路元,荒川泰彦,藤井陽一: 電子通信学会光・量子エレクトロニクス研究会. OQE86-159. 95-101 (1987)
Hajime Koji、Yasuhiko Arakawa、Yoichi Fujii:电子和通信工程师学会光学和量子电子研究组。OQE86-159 (1987)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
小路元,荒川泰彦,藤井陽一: 電子情報通信学会光・量子エレクトロニクス研究会. OQE87-54. (1987)
Hajime Koji、Yasuhiko Arakawa、Yoichi Fujii:电子、信息和通信工程师研究所光学和量子电子研究组 (1987)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

藤井 陽一其他文献

コルチゾール産生腺腫における新規PRKACA変異同定と機能解析
皮质醇腺瘤中新 PRKACA 突变的鉴定和功能分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    樋口 誠一郎;高 躍;姚 躍;大和 梓;橋本 直子;永野 秀和;中山 哲俊;西村 基;山形 一行;横山 真隆;藤井 陽一;小川 誠司;田中 知明
  • 通讯作者:
    田中 知明
糖尿病・内分泌代謝科
糖尿病、内分泌代谢科
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    樋口 誠一郎;高 躍;姚 躍;大和 梓;橋本 直子;永野 秀和;中山 哲俊;西村 基;山形 一行;横山 真隆;藤井 陽一;小川 誠司;田中 知明;坂野 僚一 杉山 摩利子 恒川 卓 伊藤 禎浩 有馬 寛
  • 通讯作者:
    坂野 僚一 杉山 摩利子 恒川 卓 伊藤 禎浩 有馬 寛
コルチゾール産生腺種におけるCTNNB1の新規構造異常と分子分類(Novel structural variants in CTNNB1 and molecular classification cortisol-producing adenoma)
CTNNB1 的新结构变异和产生皮质醇的腺瘤的分子分类
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤井 陽一;樋口 誠一郎;佐藤 悠佑;白石 友一;宮野 悟;久米 春喜;市川 智彦;岩間 厚志;田中 知明;小川 誠司
  • 通讯作者:
    小川 誠司
孤発例の皮下脂肪織炎様T細胞リンパ腫でも高頻度でTIM3の胚細胞変異を認める
即使在皮下脂膜炎样 T 细胞淋巴瘤的散发病例中,也经常观察到 TIM3 生殖细胞突变。
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    竹内 康英;Chantana Polprasert;垣内 伸之;吉田 健一;真田 昌;秋田 直洋;竹田 淳恵;藤井 陽一;鈴木 啓道;南谷 泰仁;白石 友一;千葉 健一;田中 洋子;宮野 悟;Ponlapat Rojnuckarin;小川 誠司;牧島 秀樹
  • 通讯作者:
    牧島 秀樹
公開データとの統合による神経芽腫の網羅的ゲノム・エピゲノム解析
通过整合公共数据对神经母细胞瘤进行全面的基因组和表观基因组分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    渡邉 健太郎;木村 俊介;関 正史;磯部 知弥;河合 智子;樋渡 光輝;吉田 健一;片岡 圭亮;佐藤 悠祐;藤井 陽一;白石 友一;千葉 健一;田中 洋子;岡 明;康 勝好;秦 健一郎;宮野 悟;小川 誠司;滝田 順子
  • 通讯作者:
    滝田 順子

藤井 陽一的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('藤井 陽一', 18)}}的其他基金

尿路上皮がんにおける尿中遺伝子変異の検出による早期診断、治療効果の検証
通过检测尿路上皮癌的尿路基因突变进行早期诊断并验证治疗效果
  • 批准号:
    23K14613
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
HIV-1Nef蛋白質によるT細胞致死作用の解析
HIV-1Nef蛋白对T细胞致死作用分析
  • 批准号:
    09258210
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
HIV-1Nef蛋白質によるT細胞致死作用の解析
HIV-1Nef蛋白对T细胞致死作用分析
  • 批准号:
    08269211
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
HIV-1Nef蛋白質によるT細胞致死作用の解析
HIV-1Nef蛋白对T细胞致死作用分析
  • 批准号:
    08269211
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
HIV-1Nef蛋白質によるT細胞致死作用の解析
HIV-1Nef蛋白对T细胞致死作用分析
  • 批准号:
    07277209
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
ペアド・ソリトン伝送システムに関する研究
成对孤子传输系统研究
  • 批准号:
    07650392
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
HIV-1nef蛋白質のHIV感染・非感染T細胞に対する作用の解析
HIV-1nef蛋白对HIV感染和未感染T细胞的影响分析
  • 批准号:
    06255206
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
HIV-1 nef蛋白質のHIV感染・非感染T細胞に対する作用の解析
HIV-1 nef蛋白对HIV感染和未感染T细胞的影响分析
  • 批准号:
    05262206
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
光ファイバリング共振器を応用した多点型高精度温度センサの実用化に関する研究
光纤环形谐振器多点高精度温度传感器的实际应用研究
  • 批准号:
    05650325
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
HIV-1nef可溶性蛋白質のHIV感染T細胞に対する作用の解析
HIV-1nef可溶性蛋白对HIV感染T细胞的影响分析
  • 批准号:
    04269204
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

相似海外基金

Thermal engineering in semiconductor heterojunction for space transducers
空间换能器半导体异质结的热工程
  • 批准号:
    DP240102230
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Discovery Projects
Flexible fMRI-Compatible Neural Probes with Organic Semiconductor based Multi-modal Sensors for Closed Loop Neuromodulation
灵活的 fMRI 兼容神经探针,带有基于有机半导体的多模态传感器,用于闭环神经调节
  • 批准号:
    2336525
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase II: Innovative Glass Inspection for Advanced Semiconductor Packaging
SBIR 第二阶段:先进半导体封装的创新玻璃检测
  • 批准号:
    2335175
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Cooperative Agreement
Collaborative Research: A Semiconductor Curriculum and Learning Framework for High-Schoolers Using Artificial Intelligence, Game Modules, and Hands-on Experiences
协作研究:利用人工智能、游戏模块和实践经验为高中生提供半导体课程和学习框架
  • 批准号:
    2342747
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Standard Grant
GRASP - GREEN AGILE SEMICONDUCTOR PRODUCTION
GRASP - 绿色敏捷半导体生产
  • 批准号:
    10099437
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    EU-Funded
格子緩和層とType-II型ヘテロ材料を用いた半導体レーザによる高温動作限界の打破
利用晶格弛豫层和II型异质材料突破半导体激光器的高温工作极限
  • 批准号:
    24K07610
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
RII Track-4: NSF: Development of Semiconductor Lasers and Passive Devices on a Single Sapphire Platform for Integrated Microwave Photonics
RII Track-4:NSF:在单个蓝宝石平台上开发用于集成微波光子学的半导体激光器和无源器件
  • 批准号:
    2327229
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: All-Semiconductor Nanostructured Lenses for High-Tech Industries
SBIR 第一阶段:用于高科技行业的全半导体纳米结构镜头
  • 批准号:
    2335588
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Standard Grant
NSF Engines: Central Florida Semiconductor Innovation Engine
NSF 引擎:佛罗里达州中部半导体创新引擎
  • 批准号:
    2315320
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Cooperative Agreement
Transforming Net Zero with Ultrawide Bandgap Semiconductor Device Technology (REWIRE)
利用超宽带隙半导体器件技术 (REWIRE) 改造净零
  • 批准号:
    EP/Z531091/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.15万
  • 项目类别:
    Research Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了