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イオン注入用半絶縁性GaAsに関する研究(特に欠陥とCrの関係について)

イオン注入用半絶縁性GaAsに関する研究(特に欠陥とCrの関係について)
离子注入用半绝缘GaAs研究（特别是缺陷与Cr的关系）
批准号：
57460109
负责人：
長谷川 文夫
金额：
$4.67万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份：
1982
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1982 至 1984
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-57460109/
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塩化物法によるAlGaAs原子層エピタキシーの成長機構
  • 批准号：
    05211204
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $0.96万
  • 财政年份：
    1993
  • 负责人：
    長谷川 文夫
  • 依托单位：
    University of Tsukuba
塩化物法によるAlGaAs原子層エピタキシーの成長機構
  • 批准号：
    04227207
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.41万
  • 财政年份：
    1992
  • 负责人：
    長谷川 文夫
  • 依托单位：
    University of Tsukuba
塩化物法によるAlGaAs原子層エピタキシ-の成長機構
  • 批准号：
    03243208
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.6万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    長谷川 文夫
  • 依托单位：
    University of Tsukuba
金属シリサイド/pーSi_<1ーx>Ge_x界面の作製とその制御
  • 批准号：
    02232206
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $0.96万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    長谷川 文夫
  • 依托单位：
    University of Tsukuba