高エネルギー,ギャップ混晶半導体の成長と物性

高能带隙混合半导体的生长和物理性质

• 批准号: 60222006
• 负责人: 長谷川 文夫
• 金额: $ 1.79万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Special Project Research
• 财政年份: 1985
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1985 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-60222006/
• 关键词: 混晶半導体; 化合物半導体; AlN; AlAsN; AlAs; AlGaAs; プラズマCVD; クロライドVPE

研究の目的……プラズマCVD,クロライドVPEのような安価で安全な成長方法による高エネルギー・ギャップ混晶半導体、AlAsN,AlGaAs、の成長の可能性を明らかにする。前者はGaAs,GaInAsP、等の化合物半導体の保護膜,絶縁膜として有望であり、AlGaAsのクロライドVPEが可能になれば、レーザ・ダイオードの生産方法に大幅な変革をもたらす可能性がある。実験……本年度はまずAl【(CH_3)_3】…TMA…と【NH_3】を使ったAlNのプラズマCVD,TMAとAs【Cl_3】,あるいはAl【(CH_3)_2】ClとAs【Cl_3】を用いたAlAsのクロライドVPEを試みた。実験結果AlNのプラズマCVD……TMAと【NH_3】を別々のパスから反応室に導くことにより、AlNのプラズマCVDが可能であることを めて明らかにした。成長速度はTMAの供給量によって支配され、【NH_3】/TMA比が大きくなるほど膜質が良くなる。スパッタリングオーシェによる組成分布ではAl,N,の他に常に数%の酸素が検出されたが、これは測定機中の残留酸素による可能性がある。赤外吸收によるピークは650【cm^(-1)】、紫外吸收によるバンドギャップは4.8eV、X線回折パターンでは特定のピークは観測されなかった。AlAsのクロライドVPE……TMA又はAl【(CH_3)_2】ClとAs【Cl_3】をHeをキャリアガスとして高温領域(〜750℃)に送り、(AlCl+Al【Cl_3】)を作る。成長領域(ここも〜750℃)では【H_2】を導入することによりAlを折出させる。As【Cl_3】からのAsがあるため、GaAs基板上にAlAsが成長することを明らかにした。Alと石英反応管との反応を防ぐため、Cのコートをすること、As【Cl_3】/TMAの比を最適(〜0.64)にすることがキーポイントであった。最高成長速度は3μm/hr、今後界面の急峻性等について明らかにすることが必要である。

The purpose of the study is... In order to improve the performance of CVD, the method of safety growth is very important for the growth of mixed crystal semicrystal, AlAsN,AlGaAs, and the possibility of growth. In the former, GaAs,GaInAsP, isobaric compound half-body protective film, AlGaAs film, AlGaAs film, VPE film, and so on, are expected to be used in the former. Thank you. This year's award Al [(CH_3) _ 3]... TMA... [NH_3] make the CVD, VPE Al [(CH_3) _ 2] Clarion Al [(ClCl3]) use the "AlAs" to cause the TMAs to be damaged. The results show that AlN failed to CVD. TMA

项目成果

第33回(1986年春季)応用物理学関係連合講演会. 1p-W1. (1986)

第 33 届（1986 年春季）应用物理协会讲座 1p-W1 (1986)

第6回 国際固体素子・材料コンファレンス. (1986)

第六届国际固态器件和材料会议（1986 年）。

第33回(1986年春季)応用物理学関係連合講演会. 1a-T7. (1986)

第 33 届（1986 年春季）应用物理协会讲座。1a-T7（1986 年）。