金属シリサイド/pーSi_<1ーx>Ge_x界面の作製とその制御

金属硅化物/p-Si_<1-x>Ge_x界面的制备与控制

• 批准号: 02232206
• 负责人: 長谷川 文夫
• 金额: $ 0.96万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02232206/
• 关键词: Si_<1ーx>Ge_x; 分子線エピタキシ-; シリサイド; ジャ-マナイド; 赤外イメ-ジセンサ-

1.研究の目的…ショットキ-障壁型赤外センサ-の長波長化を目的にした、Silicide/pーSiGe接合に対するgermanideの影響を除去するために、PtとSiの同時蒸着によるPtSiの低温形成について検討した。2.本年度の研究実験…蒸着速度比Pt/Si=1/1とし、基板温度を80,200,350℃と変えてX線、RHEED、比抵抗、ショットキ-特性の測定を行った。80℃でも既にPtSiが形成されており、200℃になると[110]方向への配向が始まる。また比抵抗も、Pt/Si=1/1基板温度200℃で堆積した膜は、通常の熱処理による物とほぼ同じであった。蒸着速度比をPt/Si:4/3,1/1,3/4と変えると、Ptが多い場合には充分にPtSiが形成されているにもかかわらず、Siが多い場合にはX線のピ-クは現れず、アモルファスに成っていると考えられる。また、このようなPtSi_xでショットキ-を形成した場合には、熱的安定性が悪かった。これに対してPt/Si=1/1、基板温度200℃でPtSiを形成した場合には、熱的安定性も良く良好なショットキ-が得られた。しかしながら、ショットキ-特性はPtSi蒸着前の高真空中での基板熱処理温度に敏感で、900℃、20分のthermal cleaningを行うと、良好なショットキ-が得られないという現象が見られた。これについては今後更に検討を行う予定である。

1. The purpose of the study is... The barrier type infrared radiation device-the long-term wave length of the target, the Silicide/p SiGe joint, the germanide effect, the Pt Si, simultaneously steams the temperature of the PtSi to form a low temperature, and the temperature increases. two。 This year's "study". Steaming speed ratio Pt/Si=1/1 temperature, substrate temperature 80200350 ℃ temperature temperature X-ray, RHEED, specific resistance, specific temperature temperature-characteristic measurement. The existing PtSi is formed at 80 ℃ and the starting point of alignment is formed at 200 ℃. The temperature of Pt/Si=1/1 substrate is 200C, and the temperature of the substrate is 200C. Usually, the temperature is the same as that of the film. The speed of steaming is much faster than that of Pt/Si:4/3,1/1,3/4, Pt, Pt, and so on. The speed of steaming is much faster than that of Si. The stability of PTSI _ x, PTSI, PTSI _ x, PTSI _ x The temperature of the substrate is 200C and the temperature of the substrate is 200C

项目成果

H.KANAYA,et.al.: "Preferential PtSi Formation in Thermal Reaction between Pt and Si_<0.8>Ge_<0.2> MBE Layers" JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Vol.29. L850-L852 (1990)

H.KANAYA 等人：“Pt 和 Si_<0.8>Ge_<0.2> MBE 层之间热反应中的优先 PtSi 形成”日本应用物理学杂志。

H.KANAYA,et.al.: "Influence of the Surface Condition on the Thermal Relaxation of Strained SiGe Molecular Beam Epitaxy Layers" JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Vol.29. L2143-L2145 (1990)

H.KANAYA 等人：“表面条件对应变 SiGe 分子束外延层热弛豫的影响”日本应用物理学杂志。

K.FUJII,et al: "LowーTemperature Formation of the PtSi Layer by Codeposition of Pt and Si in a Molecular Beam Epitaxy System" Japanese.J.Appl.Phys.Vol.30. (1991)

K.FUJII 等人：“在分子束外延系统中通过共沉积 Pt 和 Si 来低温形成 PtSi 层”Japan.J.Appl.Phys.Vol.30 (1991)。