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塩化物法によるAlGaAsの原子層エピタキシ-

氯化法AlGaAs原子层外延

基本信息

批准号：
63460054
负责人：
長谷川文夫
金额：
$ 1.98万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份：
1988
资助国家：
日本
起止时间：
1988 至 1989
项目状态：
已结题

项目摘要

1.研究の目的……常温で安定でカ-ボン汚染の心配の無い三塩化物AlCl_3、GaCl_3とAsH_3を用いた、原子層エピタキシ-の可能性を明らかにする。2.本年度の研究実績……6本の石英管を束ねた蓮根形の回転基板ホルダ-と、その各々の石英管にGaCl_3/H_2、AsH_3/H_2、パ-ジ用H_2を供給する6本の固定石英反応管を有する成長装置を開発した。基板は蓮根状の穴の中にセットされ、この回転部を60度ずつ回すことにより、各々のガスが交互に穴の中を通過し、基板が原料ガスにさらされる。GaCl_3はステンレス製のエバポレ-タ-に入れられ、60-70℃(1.4-2.7mmHg)に保たれ、H_2をキャリアガスとして反応管に送られる。AsH_3はクラッキングを行わずに供給する。ガスの流速は約5cm/secである。反応管内は常圧で、抵抗炉により一様に加熱される。GaCl_3、AsH_3の供給分圧、時間を各々3×10^<-3>atm、6secとした時、200-500℃の範囲で1サイクル当り1原子層のGaAs成長が得られた。GaCl_3の供給分圧、時間は各々5×10^<-4>atm、5sec以上必要であるが、AsH_3は1sec以上の供給で充分原子層エピキタシ-が可能であった。GaCl_3は200℃では三価の塩化物のままであるから、この結果はAlCl_3/H_2、AsH_3を用いたAlAsの原子層エピキタシ-の可能性を示唆するものである。

1. The purpose of the research... is to be stable at room temperature-to clarify the possibility of using the free triphenylphosphonium compounds AlCl_3, GaCl_3 and AsH_3 to contaminate the atomic layer. 2. The research results of this year: 6. The quartz tube bundle with lotus root shape substrate, GaCl_3/H_2, AsH_3/H_2, H_2 supply for each quartz tube, 6. The growth device for fixed quartz tube was developed. The substrate has a 60-degree angle of rotation, and the substrate has a 60-degree angle of rotation. The substrate has a 60-degree angle of rotation. GaCl_3-H_2-H_2-H AsH_3 is the best choice. The flow rate is about 5cm/sec. The reverse pressure inside the tube is constant and the resistance to heating is high. GaCl_3, AsH_3 supply pressure, time, 3×10^<-3>atm, 6 sec, 200-500℃ temperature range, 1 atomic layer GaAs growth is achieved. GaCl_3 supply pressure, time is 5×10^<-4>atm, 5 sec or more necessary, AsH_3 supply is 1sec or more sufficient atomic layer The results show that the atomic layer structure of AlAs can be changed from AlCl_3/H_2 to AsH_3 at 200℃.