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塩化物法によるAlGaAs原子層エピタキシーの成長機構

氯化法AlGaAs原子层外延生长机理

基本信息

批准号：
04227207
负责人：
長谷川文夫
金额：
$ 1.41万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1992
资助国家：
日本
起止时间：
1992 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-04227207/
关键词：
原子層エピタキシー結晶成長機構塩化物法 GaAs AlGaAs ALE 三塩化物

项目摘要

表面光吸収(SPA)装置がやっと完成し、GaCl_3とAsH_3を用いたGaAsの原子層エピタキシー(ALE)のSPA信号を測定することが出来るようになった。GaCl_3とAsH_3を用いたSPA信号はNECと農工大より報告されているGaClを用いたALEのSPA信号のいずれとも異なっており、分光特性もNTTから報告されている、TEAを用いたGa面のものとも異なっていた。有機金属を原料とするALE(MOALE)では、SPA信号の解析から、GaAs表面はMonomethyl Gaで覆われていることが、ほぼ確定的となっている。一方、塩化物を用いたALEでは、NECはGaCl/H_2が供給された瞬間にGaAs表面はGaで覆われ、塩素は付いていないと主張しており、農工大では初め表面は塩化物で覆われているが、水素パージ中に塩素が脱離してGa面になると述べている。我々の詳細なSPA信号の測定及び解析結果では、我々のALEの原料が彼らのものと異なるために、GaCl_3を供給した直後にはGaAs表面にGaClとGaCl_3が配位結合した塩化物が吸着しているが、水素パージ中に結合の弱いGaCl_3が脱離し、最終的にはGaAs表面はGaClで覆われるとの結論に達した。このGaCl_3の脱離は流速に依存し、かつ分単位の時間を要する。昨年報告したリブォルバー型のALE成長装置では、流速も遅く(約6cm/s)、パージ時間も15秒程度であったため、配位結合したGaCl上のGaCl_3が十分脱離しない内にAsH_3が供給され、1Mono Layer以上の成長が起こったと考えれば、前の結果も理解できる。ちなみにSPA測定用装置で十分パージ時間を長くして成長を行ったところ、パージ時間45秒で約1ML/cycle,90秒で0.9ML/cycleであった。パージ後の信号レベルは明らかにGa面とは異なっており、表面はGaClで覆われていると考えられる。

The surface light absorption device (SPA) is completed, and the GaCl_3 AsH_3 is tested with the GaAs atom (ALE) SPA signal. The GaCl_3 AsH_3 uses the SPA signal, the NEC, the University of Agriculture and Technology, the report, the GaCl, the ALE signal, the SPA signal, the SPA signal, the spectroscopic characteristic, the NTT signal, the report, and the TEA. Organic metal raw materials such as ALE (MOALE), SPA signal analysis, GaAs surface Monomethyl Ga are coated with the equipment, and the equipment is confirmed by the device. On the one hand, the chemical compound is used for ALE, NECC GaCl