積層構造における緑色発光とその応用に関する研究
積層構造における緑色発光とその応用に関する研究
批准号:
06650029
负责人:
入江 泰三
金额:
$1.28万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1994
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1994 至 --
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英文摘要
層状化合物半導体CdInGaS_4は室温で強い赤色のフォトルミネッセンスを示すことから、発光材料として注目されている物質である。われわれはCd_3InGaS_8という新物質が、低温で極めて強い緑色のフォトルミネッセンスを示すことを見いだし、この新物質はCdSとCdInGaS_4とが積層した物質であることを明らかにした。われわれは、この強い緑色発光はCdSの発光ではあるが、CdInGaS_4が積層していることによって、エネルギーギャップの大きなCdInGaS_4側からCdS側へキャリアが注入されて発光が強められているとのモデルを提案した。本研究はこのモデルを実験的に検証することを目的としている。今回は、CdSをCd_<1-x>Zn_xS系に置き換えることによって、あるxの値でCd_<1-x>Zn_xS系の方がCdInGaS_4よりもエネルギーギャップが大きくなり、つまりギャップが逆転し、緑色発光が弱くなるとの想定の下に、実験を行った。比較のためにガラス上に同じ条件でつけた試料も作成した。CdInGaS_4上につけたものでは、x=0では強い緑色発光を示すが、xの増加と共に緑色発光は同時に現れる赤色の発光に比して弱くなる。ところが、ガラス上につけたものではx=0では緑色よりも赤色の発光の方が強く、xを増やしても緑色と赤色の比はあまり変わらない。緑色と赤色の強度比をxの関数としてプロットすると、CdInGaS_4上につけたものでは、x=0〜0.3の間に急激に減少し、0.3以上では不変となる。x=0.3は丁度エネルギーギャップが逆転する組成である。この結果はわれわれのモデルを支持すると思われる。
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会议论文
I-III-VI_2族半導体における格子欠陥の評価と制御に関する研究
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批准号:04205120
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1992
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
IーIIIーVI_z族化合物半導体の格子欠陥制御に関する研究
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批准号:03205109
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1991
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
三元・多元化合物の物性と評価
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批准号:03352015
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1991
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
IーIIIーVI_2族半導体における格子欠陥の評価と制御に関する研究
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批准号:02205108
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1990
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
I-III-VI_2族化合物半導体の格子欠陥制御に関する研究
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批准号:01604597
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1989
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
I-III-VI_2族化合物半導体の格子欠陥制御に関する研究
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批准号:63604586
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1988
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
I-III-VI_2族化合物半導体の格子欠陥制御に関する研究
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批准号:62604602
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1987
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
層状化合物半導体 CdInGaS_4 の緑色発光に関する研究
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批准号:59460055
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$3.33万
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财政年份:1984
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
Cd In_2 S_4のバンド構造に関する実験的研究
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批准号:X00090----154075
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1976
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
スピネル形半導体中におけるCrイオンの磁性と伝導に及ぼす影響
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批准号:X00090----854043
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.48万
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财政年份:1973
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负责人:入江 泰三
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依托单位:
海外基金