IーIIIーVI_z族化合物半導体の格子欠陥制御に関する研究

I-III-VI_z族化合物半导体晶格缺陷控制研究

• 批准号: 03205109
• 负责人: 入江 泰三
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Tokyo University of Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1991
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1991 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-03205109/
• 关键词: IーIIIーVI_z族半導体; 結晶成長と評価; 格子欠陥; ラマン散乱; 緑色発光; 積層構造; ヘテロ接合

本研究では、2、3のIーIIIーVI_z族半導体について、結晶成長から評価まで一貫した研究を行い、評価もできるだけ多くの方法で多面的に行うことによって、格子欠陥の構造、電子状態を明らかにし、これらを制御することによって物性を制御しようとすることを目的とした。今回までに得られた成果の中で重要なことは、1、CuInSe_z単結晶中の過剰Seの量、Cu/In等を制御する結晶成長法を確立したこと。2、上記方法により故意に導入した格子欠陥による準位をその同定を行ったこと。3、IーIIIーVI_z族及びその混晶系のラマン散乱の基礎デ-タを確立し特にCuInSe_zについては偏光測定も含めて詳細な基礎デ-タを確立したこと。4、研究途上で見いだしたCdInGaS_4中の強い緑色発光について研究し、これがCdInGaS_4中に異相として含まれるCdSによるものであるが、CdSとCdInGaS_4が積層構造をとったときに特に強い発光が得られることを明らかにし、実際に人工的にCdS/CdInGaS_4ヘテロ接合をつくり強い緑色発光を得たこと等である。今後残された問題としてはCuInSe_zについては輸送現象の測定を極低温にまで拡張して、不純物準位のより正確な決定をし、P.L.測定と合わせて欠陥の同定を行うことである。CdInGaS_4中の緑色発光に関してはCdS/CdInGaS_4の積層膜を人工的に作製してP.L.や電界発光をしらべることである。またCuGaS_z系についてはIIIーV族とのヘテロ接合を更に試みる必要がある。

This study で は, 2, 3 の I ー III ー VI_z clan semiconductor に つ い て, crystal growth か ら review 価 ま で consistently し た research を い, review 価 も で き る だ け more く の way で polyhedral に line う こ と に よ っ て, grid owe 陥 の structure, electronic state を Ming ら か に し, こ れ ら を suppression す る こ と に よ っ て property を suppression し よ う と す る Youdaoplaceholder2 とを purpose と た た. Today back ま で に have ら れ た results の で important な こ と は, 1, CuInSe_z 単 crystallization の In turning Se の quantity, such as Cu/In を suppression す る を crystal growth method to establish し た こ と. 2. The above method: によ によ deliberately に imports into the <s:1> た cell, lacking the 陥による level をそ, and <s:1> is fixed to the を row った った と と. 3, I ー III ー VI_z clan and び そ の mixed crystal system の ラ マ ン based デ - messy の タ し を established special に CuInSe_z に つ い て は polarimetry も containing め て in detail based デ な - タ を establish し た こ と. (4), the research way で see い だ し た CdInGaS_4 の is strong in い 発 green light に つ い て research し, こ れ が CdInGaS_4 に in heterogeneous と し て containing ま れ る CdS に よ る も の で あ る が, CdS と CdInGaS_4 が laminated structure を と っ た と き に, strong に い 発 が too light ら れ る こ と を Ming ら か に し, be に artificial に CdS/CdInGaS_4 ヘ テ ロ joint を つ く り strong い 発 green light を must た こ と etc で あ る. The future residual さ れ た problem と し て は CuInSe_z に つ い て は determination of transport phenomena の を extremely low temperature に ま で company, zhang し て, impurity content must の よ り な right decision を し, P.L. To determine whether と and わせて are deficient in 陥 <s:1>, set を lines う とである とである とである. CdInGaS_4 の 発 green light in に masato し て は CdS/CdInGaS_4 の laminated membrane を artificial に cropping し て P.L. や electricity industry 発 light を し ら べ る こ と で あ る. ま た CuGaS_z department に つ い て は III ー V と の ヘ テ ロ joint を try more に み る necessary が あ る.

项目成果

H.Tanino,T.Maeda,H.Fujikake,H.Nakanishi,S.Endo and T.Irie: "“Raman spectra of CuInSe_z"" Phys.Rev.B. (1992)

H. Tanino、T. Maeda、H. Fujikake、H. Nakanishi、S. Endo 和 T. Irie：““CuInSe_z 的拉曼光谱””Phys.Rev.B (1992)

S.Ando,T.Okada,S.Endo and T.Irie: "“Edge emission enhancement in CdS by laminated CdInGaS_4"" J.Crystal Growth. (1991)

S. Ando、T. Okada、S. Endo 和 T. Irie：“通过层压 CdInGaS_4 增强 CdS 的边缘发射”J. Crystal Growth (1991)。

K.Takarabe,K.Kawai,and S.Minomura,T.Irie,M.Taniguchi: "“Erectronic structure of some IーIIIーVI_z chalcopyrite semiconductors studied by synchrotron radiation"" Japan.J.Appl.Phys.71. 441-447 (1992)

K. Takarabe、K. Kawai、S. Minomura、T. Irie、M. Taniguchi：“通过同步辐射研究的一些 I-III-VI_z 黄铜矿半导体的电子结构”Japan.J.Appl.Phys.71。 -447 (1992)

H.Matsushita,S.Endo and T,Irie: "“Raman ーScattering properties of IーIIIーVI_z Group Chalcopyrite Semiconductors"" Jpn.J.Appl.Phys,. 31. 18-22 (1992)

H.Matsushita、S.Endo 和 T,Irie：“I-III-VI_z 族黄铜矿半导体的拉曼散射特性”Jpn.J.Appl.Phys,. 31. 18-22 (1992)