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IーIIIーVI_z族化合物半導体の格子欠陥制御に関する研究

I-III-VI_z族化合物半导体晶格缺陷控制研究

基本信息

批准号：
03205109
负责人：
入江泰三
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Tokyo University of Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、2、3のIーIIIーVI_z族半導体について、結晶成長から評価まで一貫した研究を行い、評価もできるだけ多くの方法で多面的に行うことによって、格子欠陥の構造、電子状態を明らかにし、これらを制御することによって物性を制御しようとすることを目的とした。今回までに得られた成果の中で重要なことは、1、CuInSe_z単結晶中の過剰Seの量、Cu/In等を制御する結晶成長法を確立したこと。2、上記方法により故意に導入した格子欠陥による準位をその同定を行ったこと。3、IーIIIーVI_z族及びその混晶系のラマン散乱の基礎デ-タを確立し特にCuInSe_zについては偏光測定も含めて詳細な基礎デ-タを確立したこと。4、研究途上で見いだしたCdInGaS_4中の強い緑色発光について研究し、これがCdInGaS_4中に異相として含まれるCdSによるものであるが、CdSとCdInGaS_4が積層構造をとったときに特に強い発光が得られることを明らかにし、実際に人工的にCdS/CdInGaS_4ヘテロ接合をつくり強い緑色発光を得たこと等である。今後残された問題としてはCuInSe_zについては輸送現象の測定を極低温にまで拡張して、不純物準位のより正確な決定をし、P.L.測定と合わせて欠陥の同定を行うことである。CdInGaS_4中の緑色発光に関してはCdS/CdInGaS_4の積層膜を人工的に作製してP.L.や電界発光をしらべることである。またCuGaS_z系についてはIIIーV族とのヘテロ接合を更に試みる必要がある。

In this study, we conducted a series of studies on crystal growth, crystal growth In this paper, we have established the crystal growth method for the control of Se content and Cu/In in CuInSe_2 crystals. 2. The method of recording is deliberately introduced into the grid. 3. I-III-VI_z and II-VI_z mixed crystal system 4. On the way of research, we can see the strong green emission in CdInGaS_4. We can study the heterophase of CdInGaS_4 and CdS/CdInGaS_4 multilayer structure. We can get the strong green emission in CdInGaS_4. In the future, the determination of CuInSe transport phenomena, the determination of impurity levels, and the determination of P.L. concentrations will be discussed. The green luminescence in CdInGaS_4 is related to CdS/CdInGaS_4 multilayer film. CuGaS_z is a complex complex of III-V and V-V systems.