权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

I-III-VI_2族化合物半導体の格子欠陥制御に関する研究

I-III-VI_2族化合物半导体晶格缺陷控制研究

基本信息

批准号：
01604597
负责人：
入江泰三
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Tokyo University of Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

前年度にひき続き、CuInSe_2を中心に研究を行った。また、I-III-VI_2族から導かれるCdInGaS_4についても調べた。1.CuInSe_2Znをド-プしたCuInSe_2単結晶の電気抵抗率、Hall係数を77K〜300Kの温度領域について測定した。これより求めたHall移動度の温度変化から、電子は低温ではイオン化不純物によって散乱されていることがわかった。光吸収スペクトルの測定から、吸収端のすそのひろがりは、キャリア濃度の増加と共に増大していることがわかった。Cd,Zn,In,Seをそれぞれド-プした試料のフォトルミネッセンススペクトルを測定した。Seをド-プしたP形試料のスペクトルは三つの主なピ-ク(0.98eV,1.02eV,1.03eV)から成るが、Cd,Zn,Inをド-プしたn形試料は、いずれも0.9eV近傍にピ-クを持つ幅の広い発光バンドを示した。Znをド-プした試料の発光ピ-クは、ド-プ量の増加と共に長波長側へ移動した。また、このピ-クは励起光強度の増加、温度の上昇、いずれの場合にも高エネルギ-側へ移動したことから、発光はドナ・アクセプタ対発光であると考えられる。Hall係数の温度変化のデ-タと共に解析した結果、ドナレベルは伝導帯の下0.02eV,アクセプタレベルは価電子帯の上約0.1eVに存在することがわかった。2.CdInGaS_4Cd_3InGaS_6は低温で強い緑色発光を示すが、結晶構造をX線回折で調べたところ、CdSとCdInGaS_4の積層した物質であり、この積層性が緑色発光に強く関わっていることがわかった。すなわち、われわれが見いだした強い緑色発光は、CdInGaS_4結晶中にできている自然超格子によるものと考えられるに至った。

In the previous year, the research work of the CuInSe_2 Center was conducted. In the family of color III, color III, color VI2, there is no difference between CdInGaS and CDInGaS _ 4. 1.CuInSe_2Zn temperature-temperature characteristic CuInSe _ 2 crystal resistance rate, Hall number, 77K~300K temperature field temperature test. Please determine the degree of Hall mobility, temperature control, temperature control, The light absorption device is used to measure the temperature, the temperature at the end of the light absorption device, the temperature and the temperature of the light absorption device. Cd,Zn,In,Se. Please do not know what to do. Se (0.98eV), Cd,Zn,In (1.02eV), 1.03eV, (0.98eV, 1.02eV, 1.03eV), (0.98eV, 1.02eV, 1.03eV), (0.98eV, 1.02eV, 1.03eV), (0.98eV, 1.02eV, 1.03eV) The Zn system is used to increase the volume of light and light, as well as the amount of energy. The light intensity increases, the temperature increases, and the temperature increases. Hall temperature-dependent temperature response-the results of the general analysis of the results, under the guidance of the 0.02eV, do not need to know that there is a negative impact on the 0.1eV of the electric power plant. 2.CdInGaS_4Cd_3InGaS_6 low temperature intensity photoluminescence display, crystal analysis of X-ray back-folding X-ray diffraction, CDs-based CdInGaS _ 4 active thermal emission properties, thermal active light intensity, high-temperature optical emission, high-temperature emission, high temperature, high temperature, high In the CdInGaS_4 crystal, there is a natural super-lattice in the crystal, and the color is very strong.