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ポリシラン及びそのラジカルイオンの電子構造決定

聚硅烷及其自由基离子电子结构的测定

基本信息

批准号：
06650938
负责人：
市川恒樹
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では,光電導電性高分子であるポリシランの電気電導を担っている分子軌道である,ポリシランの最高被占軌道および最低空軌道の電子構造を実験的に知り,電導性の高いポリシランの合成指針となる情報を提供することを目的とする。この目的のため,ポリシランのラジカルカチオンおよびラジカルアニオンを低温マトリックス中に生成させ,その不対電子が与えるESRスペクトルおよび電子スペクトルを解析した。ラジカルカチオンあるいはアニオンの不対電子は親分子の最高被占軌道あるいは最低空軌道にあるから,ラジカルカチオンあるいはアニオンのスペクトル解析により,最高被占軌道あるいは最低空軌道の電子構造が決定できる。その結果以下の事実が判明した。ラジカルアニオンの不対電子はこれまで考えられていたようなSi原子のsp混成原子軌道から構成される軌道ではなく,Si原子のp軌道からなる疑似π軌道をつくって安定化している。またこの疑似π軌道は主鎖全体には広がっておらず,Si原子5〜6個上に局在化している。ラジカルカチオンの不対電子も同様に,-Si-S-主鎖全体には広がっておらず,Si原子5〜6個上に局在化している。このように中性高分子の電子伝導に関与する最低空軌道および最高被占軌道内で不対電子の局在化が生じるのは,σ共役による安定化の程度が低く,価電子帯および伝導帯のバンド幅が狭いことによるものである。電子の局在化が生じれば伝導機構は熱エネルギーによるホッピングとなるが,電気伝導の実験結果もホッピング機構を支持している。

In this study, optoelectronics, high molecular weight, high temperature, high temperature, high molecular weight, low temperature, high temperature, high temperature, low temperature, high temperature, high temperature, low temperature, high temperature, high temperature, low temperature, high temperature, high temperature, low temperature, high voltage, high The purpose of this paper is to determine whether or not the cryogenic generator is generated in the middle of the cryogenic cycle, and that the power supply is different from that of the electronic. the purpose of this paper is to analyze the performance of the cryogenic generator in the middle of the cryogenic cycle, and the relationship between the computer and the ESR. The highest level of the electronic device is occupied. The lowest level of the electronic device is the highest. The lowest level is the highest. The lowest level is the highest. The results show that the following events have been identified. The Si atom is mixed with the sp atom, and the Si atom is connected to the circuit circuit. The Si atom is suspected to be stable. It is suspected that all the owners of the π channel are in trouble, and five or six upper levels of the Si atom are in chemical operation. We are responsible for the same number of computers.-Si-S- is responsible for all the computers, and the Si atom has 5 or 6 supermarkets in the market. The neutral polymer electronic guide and the lowest altitude cable are occupied at the highest level, and the electrical power bureau is in the process of chemical engineering. The degree of stabilization of the σ co-service is very low, and the amplitude of the electrical equipment is very low. The electronic engineering bureau is in charge of the chemical industry and health education institutions to supervise and approve the election, and the election results show that the financial institutions are in support of the election.