超高密度集績回路用ポジ型ビジスト材料のレジスト機構に関する研究

超高密度集成电路正向型材料抗蚀机理研究

• 批准号: 03650637
• 负责人: 市川 恒樹
• 金额: $ 0.83万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1991
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1991 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03650637/
• 关键词: ポリメチルメタクリレ-ト; レジスト; 主鎖切断; ERS; ラジカル; 電子スピンエコ-; ベ-タ開裂

超高密度集積回路用ポジ型放射線レジストとして使用されるポリメチルメタクリレ-ト(PMMA)を放射線照射し、生じるラジカル種をパルスERSによって同定・定量したところ、以下の事実が明らかになった。(1)放射線照射によってPMMA中に生じる一次ラジカルは、主鎖から水素の取れた2級アルキルラジカル,および側鎖のエステル基のメチル基から水素の取れた側鎖ラジカルの2種類である。(2)主鎖ラジカルは室湿でほぼ安定であるが、側鎖ラジカルは側鎖脱離によって主鎖3組アルキルラジカルに変化し、さらにこれがβ切断によって主鎖切断を経て主鎖末端ラジカルになる。また断切の一方は二重結合によって安定化する。(3)PMMAがボジ型レジストとなるのは、4級炭素と2級炭素が交互に配列した主鎖となっているため、側鎖ラジカルから変じた主鎖3級ラジカルがβ切断を生じ易いためである。他のポリマ-でもこのような主鎖構造をもてばポジ型(分解型)レデストとなる。

The ultra-high density integrator circuit uses the same type of radiation to irradiate, generate and quantify the radiation. The following things are clear. (1)Radiation irradiation in PMMA produces a primary phase, a primary phase, and a secondary phase of the primary phase, and a secondary phase of the secondary phase. (2)The main lock is wet and stable, and the side lock is disengaged. The main lock is 3 groups of wet and stable, and the main lock is cut off. A double bond is formed between the two sides. (3)PMMA is the type of carbon, carbon. The main lock structure is composed of two types (decomposition type).

项目成果

Tsuneki Ichikawa: "Effect of Substituted Methyl Group on the MainーChain Scission of Alkyl Radical in Solid" Radiat.Phys.Chem.(1992)

Tsuneki Ichikawa：“取代甲基对固体中烷基自由基主链断裂的影响”Radiat.Phys.Chem.(1992)