強磁性トンネル効果の理論的研究

铁磁隧道效应的理论研究

• 批准号: 07640470
• 负责人: 前川 禎通
• 金额: $ 0.7万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07640470/
• 关键词: 強磁性トンネル接合; 巨大磁気抵抗; 磁性微粒子; クーロン・ブロッケード; スピン・ブロッケード

2つの強磁性体を電極とし,十分に薄い絶縁体膜をトンネル障壁とする強磁性トンネル接合のトンネル電流は2つの電極の磁化の相対角度に依存し,いわゆる巨大磁気抵抗効果(GMR)を示す。強磁性トンネル接合での磁化過程とトンネル電流の関係は1980年(前川禎通:固体物理15,171('80))に初めて明らかにされたが,1988年の金属人工格子によるGMRの発見以来,その現象の類似性が認識されるようになってきた。そして,最近では様々な強磁性トンネル現象が実験的に示されている。その中に強磁性微粒子を含む酸化膜のGMR(H.Fujimori et al.:Mat.Sci.Eng.B31,219('95))がある。Al_2O_3中に数10Å程度の大きさのCo微粒子を分散させる。この場合,各微粒子は単磁区になっており,系は超常磁性を示す。この系では電気伝導は電子が絶縁体中をトンネルし,Co微粒子間を飛び移ることによる。さらにこのような微粒子系では電子が移動することによる静電エネルギーの変化も無視できない。すなわち,微粒子の電気容量が小さいため,電子のトンネルにより微粒子間で電荷のアンバランスが起こる。そのため静電エネルギーが増加し,トンネル効果が抑えられる。本研究では,磁性体間の電子のトンネル効果とトンネルとにより生じる静電エネルギーの変化を取り入れて,このような微粒子系のトンネルコンダクタンスの一般式を導き出した。今,強磁性体中の電子のスピン分極の割合をP,磁場により誘起される磁化の割合をm(0【less than or equal】m【less than or equal】1)とする時,コンダクタンスG=G_0(1+P^2m^2)exp(-2√2kC/K_BT).ここで,G_0は磁場の加わっていないときのコンダクタンス,Tは温度である。また,k及びCはそれぞれの障壁の電子状態及び微粒子の分布に依存する定数である。この式は上記の実験をうまく説明する。微小な系での静電エネルギーの変化がトンネル効果に本質的な働きをする例に単一電子トンネル素子がある。この系では電子の伝播経路に微小な領域が作られており,そこには電子が1個づつしか飛び込めない。この効果をクーロン・ブロッケイと呼ぶ。今,強磁性体でできた微小領域を2個電子の伝播経路に導入すると単一電子トンネル素子に磁場の効果がつけ加わる。これをスピン・ブロッケイドと呼ぶ。このように微細加工技術を用いてスピンの効果と静電エネルギーを組み合わせることにより新しい現象が期待される。

2. Ferromagnetic material electrode is very thin, dielectric film is thin The relationship between magnetization process and current generation of ferromagnetic junction has been recognized since the discovery of metal artificial lattice in 1980 (Maekawa Sadomichi: Solid State Physics 15, 171 ('80)). Recently, the phenomenon of ferromagnetism has been shown to be a real phenomenon. GMR of acidified films containing ferromagnetic particles (H.Fujimori et al.: Mat.Sci.Eng.B31,219('95))がある。Al_2O_3 particles are dispersed in a range of 10 ~ 10 μ m. In this case, each particle is in the magnetic region, which is an extraordinary magnetic field. This is a system of electrical conduction and electron transfer between particles. The particle system is composed of electrons, electrons and electrons.すなわち,微粒子の电気容量が小さいため,电子のトンネルにより微粒子间で电荷のアンバランスが起こる。The static electricity generated by the system increases, and the static electricity generated by the system decreases. In this study, the effects of electron generation between magnetic materials and electrostatic generation are introduced, and the general formula of electron generation between magnetic particles is derived. Now, when the electrons in ferromagnetic materials are separated into polarizations, P, and the magnetic field is induced into magnetizations, M(0 [less than or equal] m [less than or equal] 1), G=G_0(1+P^2m^2)exp(-2 2kC/K_BT). G_0 magnetic field increases,T temperature decreases. The electronic state of the barrier and the distribution of particles depend on the constant number of k and C. This is the first time I've ever seen one. For example, a single electron element can be used to generate electrostatic energy. This system is a small field of electrons and electrons. This is the first time that I've seen you. Today, ferromagnetic materials have two electron propagation paths in a tiny domain, and the effect of a magnetic field on a single electron propagation element is increased.これをスピン·ブロッケイドと呼ぶ。This new phenomenon is expected when micromachining technology is used to combine the effects of electrostatic sensors with electrostatic charges.

项目成果

R.Eder: "Ground State Properties and Dynamics of the Bilayer tJ Model" Phys.Rev.B. 52. 7709-7714 (1995)

R.Eder：“双层 tJ 模型的基态特性和动力学”Phys.Rev.B。

新庄輝也: "巨大磁気抵抗" 日本物理学会, (1996)

Teruya Shinjo：“巨磁阻”日本物理学会，（1996）

Y.Ohta: "Excitation Spectra of the Negative-U Hubbard Model:A Small-Cluster Study" Phys.Rev.B. 52. 15617-15620 (1995)

Y.Ohta：“负 U 哈伯德模型的激发光谱：小簇研究”Phys.Rev.B。

J.Inoue: "Spiral State and Giant Magnetoresistance in Perovskite Mn-Oxides" Phys.Rev.Lett.74. 3407-3410 (1995)

J.Inoue：“钙钛矿锰氧化物中的螺旋态和巨磁阻”Phys.Rev.Lett.74。

藤森啓安: "新素材を拓く,「金属人工格子」" アグネ技術センター, (1995)

Keiyasu Fujimori：“开辟新材料，‘金属人工晶格’”Agne 技术中心，(1995)