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Solution-based gate dielectrics for high performance graphene transistors

Solution-based gate dielectrics for high performance graphene transistors
用于高性能石墨烯晶体管的基于溶液的栅极电介质
批准号：
16H06631
负责人：
PARK GOONHO
金额：
$1.0万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-08-26 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16H06631/
关键词：
グラフェン溶液法絶縁膜トランジスタマイクロウェーブ電界効果トランジスタ

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Solution-based formation of high quality gate dielectrics on graphene using microwave-assisted annealing
使用微波辅助退火在石墨烯上基于溶液形成高质量栅极电介质
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [Kwan-Soo Kim, Goon-Ho Park, Hirokazu Fukidome, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Maki Suemitsu]
通讯作者： Maki Suemitsu
Solution-based formation of high-quality gate dielectrics on epitaxial graphene by microwave-assisted annealing
DOI： 10.7567/jjap.56.06gf09
发表时间： 2017-05
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [Kwan-Soo Kim;Goon-Ho Park;H. Fukidome;T. Suemitsu;T. Otsuji;W. Cho;M. Suemitsu]
通讯作者： Kwan-Soo Kim;Goon-Ho Park;H. Fukidome;T. Suemitsu;T. Otsuji;W. Cho;M. Suemitsu
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海外基金
面向溶液法的二苯并吩嗪类高效深红-近 红外热活化延迟荧光材料的激发态调控 及器件应用研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    10.0万元
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
    陈嘉雄
  • 依托单位：
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溶液法二硫化钼电子结构调控及其忆阻 器用于时延储备池计算的物理实现
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    10.0万元
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
    胡国华
  • 依托单位：
    香港中文大學
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底部籽晶溶液法SiC晶体生长及表面台阶形貌控制
  • 批准号：
    52302007
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    齐小方
  • 依托单位：
    天津理工大学