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Solution-based gate dielectrics for high performance graphene transistors
用于高性能石墨烯晶体管的基于溶液的栅极电介质
基本信息
- 批准号：16H06631
- 负责人：
- 金额：$ 1万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-08-26 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（2）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Solution-based formation of high quality gate dielectrics on graphene using microwave-assisted annealing
使用微波辅助退火在石墨烯上基于溶液形成高质量栅极电介质
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Kwan-Soo Kim;Goon-Ho Park;Hirokazu Fukidome;Tetsuya Suemitsu;Taiichi Otsuji;Maki Suemitsu
- 通讯作者：Maki Suemitsu
Solution-based formation of high-quality gate dielectrics on epitaxial graphene by microwave-assisted annealing
- DOI：10.7567/jjap.56.06gf09
- 发表时间：2017-05
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Kwan-Soo Kim;Goon-Ho Park;H. Fukidome;T. Suemitsu;T. Otsuji;W. Cho;M. Suemitsu
- 通讯作者：Kwan-Soo Kim;Goon-Ho Park;H. Fukidome;T. Suemitsu;T. Otsuji;W. Cho;M. Suemitsu
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