Device modeling of SiC bipolar junction transistors and fabrication of high-frequency power converters
Device modeling of SiC bipolar junction transistors and fabrication of high-frequency power converters
SiC 双极结型晶体管的器件建模和高频功率转换器的制造
批准号：
16H06890
负责人：
Okuda Takafumi
金额：
$1.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-08-26 至 2018-03-31
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高温環境下におけるSiC SBDの動特性のモデリング
高温环境下SiC SBD动态特性建模
高温环境下SiC SBD动态特性建模
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[伊藤英之, 佐藤悠, 小林宏美, 森村成樹, 大沼学, 村山美穂, 橋本和樹，奥田貴史，引原隆士, 前田凌佑，奥田貴史，引原隆士]
通讯作者：
前田凌佑，奥田貴史，引原隆士
Analysis of dynamic characteristics of SiC Schottky barrier diodes at high switching frequency based on junction capacitance
基于结电容的SiC肖特基势垒二极管高开关频率动态特性分析
基于结电容的SiC肖特基势垒二极管高开关频率动态特性分析
DOI：
10.7567/jjap.57.04ff01
发表时间：
2018
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Maeda Ryosuke, Okuda Takafumi, Hikihara Takashi]
通讯作者：
Hikihara Takashi
Impact of Annealing Temperature on Surface Passivation of SiC Epitaxial Layers with Deposited SiO2 Followed by POCl3 Annealing
退火温度对沉积 SiO2 后进行 POCl3 退火的 SiC 外延层表面钝化的影响
退火温度对沉积 SiO2 后进行 POCl3 退火的 SiC 外延层表面钝化的影响
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takafumi Okuda, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto, and Jun Suda]
通讯作者：
and Jun Suda
Analysis of Dynamic Characteristics of SiC SBD at High Switching Frequency Based on Junction Capacitance
基于结电容的SiC SBD高开关频率动态特性分析
基于结电容的SiC SBD高开关频率动态特性分析
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ryosuke Maeda, Takafumi Okuda, and Takashi Hikihara]
通讯作者：
and Takashi Hikihara
フライバックコンバータの電圧波形の振動に関する一検討
反激变换器电压波形振动的研究
反激变换器电压波形振动的研究
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[伊藤英之, 佐藤悠, 小林宏美, 森村成樹, 大沼学, 村山美穂, 橋本和樹，奥田貴史，引原隆士]
通讯作者：
橋本和樹，奥田貴史，引原隆士
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