Clarification of Growth Mechanism of Perfect Organic Semiconductor Single Crystal for Electronic Devices
阐明电子器件用完美有机半导体单晶的生长机理
基本信息
- 批准号:20245038
- 负责人:
- 金额:$ 30.95万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2008
- 资助国家:日本
- 起止时间:2008 至 2010
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
We revealed that organic semiconductor rubrene single crystals grown from vapor phase have molecularly flat surface in wide region by using a laser confocal microscope with a differential interference contrast microscope for the first time. The observations of the crystal growth, which is shown the transition of molecular steps on the surface, were contributed to a clarification of growth mechanism. These single crystals have been shown high FET characteristics.
利用激光共聚焦显微镜和微分干涉相衬显微镜,首次发现气相生长的有机半导体红荧烯单晶具有宽范围的分子平坦表面。晶体生长过程的观察表明,晶体生长过程是表面分子台阶的转变,有助于阐明晶体生长机理。这些单晶已显示出高FET特性。
项目成果
期刊论文数量(54)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Growth of Perfect Single Crystals of Organic Semiconductors at Solid/liquid Interface
固/液界面完美有机半导体单晶的生长
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Sato;T. Sawaguchi;T. Minato and K. Itaya
- 通讯作者:T. Minato and K. Itaya
溶液プロセスにより形成した配向制御TIPS-ペンタセン薄膜とその電界効果トランジスタ特性
溶液法取向控制的TIPS-并五苯薄膜及其场效应晶体管性能
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:中島章光;塩川和夫;関華奈子;中村るみ;Baumjohann W.;桂華邦裕;高田拓;Carr C. M.;Fazakerley A.;Reme H.;Dandouras I.;Cornilleau N.;McFadden J. P.;Carlson C. W.;Strangeway R. J.;T.Akasaka;板谷謹悟
- 通讯作者:板谷謹悟
Recent progress in electrochemical surface science with atomic and molecular levels
原子分子水平电化学表面科学最新进展
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S.Ye;T.Kondo;N.Hoshi;J.Inukai;S.Yoshimoto;M.Osawa;K.Itaya
- 通讯作者:K.Itaya
Solution Crystal Growth of [1] Benzothieno [3, 2-b] benzothiophene and Tetrathiafulvalence Derivatives for Field-Effect Transistors
用于场效应晶体管的[1]苯并噻吩[3, 2-b]苯并噻吩和四硫富价衍生物的溶液晶体生长
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Brandel;J.; Sairenji;M.; Ichikawa;K.; Nabeshima;T.;Takeshi Matsukawa
- 通讯作者:Takeshi Matsukawa
Molecular Structures of Organic Single Crystals Investigated by Scanning Probe Microscopes
用扫描探针显微镜研究有机单晶的分子结构
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Minato;H. Aoki;T. Wagner;S. Shiraishi;and Kingo Itaya
- 通讯作者:and Kingo Itaya
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
ITAYA Kingo其他文献
ITAYA Kingo的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('ITAYA Kingo', 18)}}的其他基金
Formation of Surfaces and Interfaces Designed at Atomic/Molecular Level
原子/分子水平设计的表面和界面的形成
- 批准号:
12305055 - 财政年份:2000
- 资助金额:
$ 30.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Structural Analysis of Solid/Liquid Interfaces by Using UHV-EC STM Combining Systems
使用 UHV-EC STM 组合系统进行固/液界面的结构分析
- 批准号:
07459029 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 30.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Analysis of Atomic Surface Structure Using In-Situ AFM
使用原位 AFM 分析原子表面结构
- 批准号:
02555166 - 财政年份:1990
- 资助金额:
$ 30.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
In Situ Scanning Tunneling Microscopy for Analysis of Surface
用于表面分析的原位扫描隧道显微镜
- 批准号:
63850160 - 财政年份:1988
- 资助金额:
$ 30.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
相似海外基金
電気分極由来の傾斜したバンド構造により発現する強誘電体の半導体物性
铁电体的半导体特性通过电极化产生的倾斜能带结构表现出来
- 批准号:
20KK0330 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 30.95万 - 项目类别:
Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (A))
蛍光EXAFS法による半導体中の極希薄原子周辺局所構造と半導体物性の解析
利用荧光 EXAFS 方法分析半导体中超稀原子周围的局域结构和半导体物理性质
- 批准号:
12750259 - 财政年份:2000
- 资助金额:
$ 30.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
炭化ホウ素のCVD合成と熱電半導体物性
碳化硼的CVD合成及热电半导体性能
- 批准号:
01550589 - 财政年份:1989
- 资助金额:
$ 30.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
黒リン単結晶の半導体物性の実験的・理論的研究
黑磷单晶半导体性能的实验与理论研究
- 批准号:
57460018 - 财政年份:1982
- 资助金额:
$ 30.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
弾性表面波の半導体物性研究への応用
声表面波在半导体物性研究中的应用
- 批准号:
X00090----255007 - 财政年份:1977
- 资助金额:
$ 30.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
半導体物性の基礎
半导体物理特性基础
- 批准号:
X42065------4121 - 财政年份:1967
- 资助金额:
$ 30.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Co-operative Research
半導体物性の基礎(継2年)
半导体物理性质基础(第2年)
- 批准号:
X41065------4043 - 财政年份:1966
- 资助金额:
$ 30.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Co-operative Research
半導体物性の基礎
半导体物理特性基础
- 批准号:
X40065------4044 - 财政年份:1965
- 资助金额:
$ 30.95万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Co-operative Research