Far-UV C AlGaN-based electron beam pumped laser
Far-UV C AlGaN-based electron beam pumped laser
批准号:
22H00304
负责人:
岩谷 素顕
金额:
$27.04万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2022
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2022-04-01 至 2025-03-31
中文摘要
本研究課題では、電子線励起による人体に影響がなく且つ殺菌能力の高い深紫外領域のレーザーをAlGaN系材料で実現することを目標としている。その実現には、大きな光学利得を得ることが可能な高品質な結晶と低い光学ロスの実現が不可欠である。初年度である令和4年度はAlGaN結晶の高品質化、基板を剥離する技術、さらには光学ロスを低減するのに必要不可欠な高反射率ミラーの開発を主に検討した。高品質AlGaNの作製に関してはAlNナノピラーを周期的に形成し、その上に結晶を作製する手法のさらなる改善に取り組んだ。結果として、転位密度が1.5×10^8cm^-2という比較的高品質な結晶を得ることに成功したが、表面平坦性が低いなどの課題が残された。令和5年度はAlN基板を導入してその有用性を検証する予定である。また、その基板剥離技術として加熱した水を用いた手法により高Al組成のAlGaNを1cm角程度というウェハーレベルの剥離が可能であることを実証した。こちらに関してはApplied Physics Expressという学術論文として報告した(Eri Matsubara et al 2022 Appl. Phys. Express 15 116502)。さらにミラー形成に関しては、誘電体多層膜を用いた高反射率ミラーの形成方法を検討した。ただ、波長280nm程度までは比較的吸収が少ない誘電体材料を形成することに成功したが、特に高屈折率材料において吸収が十分に低い材料が得られていないため、令和5年度はこの問題を解決するために共同研究先から本学にECRスパッタリング装置を譲渡してもらい、プロセス開発を進めることによって極めて吸収の少ない材料を開発することによって問題の解決を図る予定である。初年度としては、目的に向けて実験を進め問題点を抽出することができており当初の予定通りの研究の進捗であると考えられる。
英文摘要
本研究課題では、電子線励起による人体に影響がなく且つ殺菌能力の高い深紫外領域のレーザーをAlGaN系材料で実現することを目標としている。その実現には、大きな光学利得を得ることが可能な高品質な結晶と低い光学ロスの実現が不可欠である。初年度である令和4年度はAlGaN結晶の高品質化、基板を剥離する技術、さらには光学ロスを低減するのに必要不可欠な高反射率ミラーの開発を主に検討した。高品質AlGaNの作製に関してはAlNナノピラーを周期的に形成し、その上に結晶を作製する手法のさらなる改善に取り組んだ。結果として、転位密度が1.5×10^8cm^-2という比較的高品質な結晶を得ることに成功したが、表面平坦性が低いなどの課題が残された。令和5年度はAlN基板を導入してその有用性を検証する予定である。また、その基板剥離技術として加熱した水を用いた手法により高Al組成のAlGaNを1cm角程度というウェハーレベルの剥離が可能であることを実証した。こちらに関してはApplied Physics Expressという学術論文として報告した(Eri Matsubara et al 2022 Appl. Phys. Express 15 116502)。さらにミラー形成に関しては、誘電体多層膜を用いた高反射率ミラーの形成方法を検討した。ただ、波長280nm程度までは比較的吸収が少ない誘電体材料を形成することに成功したが、特に高屈折率材料において吸収が十分に低い材料が得られていないため、令和5年度はこの問題を解決するために共同研究先から本学にECRスパッタリング装置を譲渡してもらい、プロセス開発を進めることによって極めて吸収の少ない材料を開発することによって問題の解決を図る予定である。初年度としては、目的に向けて実験を進め問題点を抽出することができており当初の予定通りの研究の進捗であると考えられる。
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Fabrication of vertical UV light-emitting devices by separation of sapphire substrates
分离蓝宝石衬底制造垂直紫外发光器件
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Motoaki Iwaya, Toma Nishibayashi, Moe Shimokawa, Ryota Hasegawa, Eri Matsubara, Ryoya Yamada, Yoshinori Imoto, Ryosuke Kondo, Ayumu Yabutani, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake, Kohei Miyoshi, Koichi Naniwae, Akihiro Yamaguchi]
通讯作者:
Akihiro Yamaguchi
Development of AlGaN-based laser diodes in the UV-A to UV-B regions
UV-A 至 UV-B 区域的 AlGaN 基激光二极管的开发
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Motoaki Iwaya, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake]
通讯作者:
Hideto Miyake
High-quality n-type conductive Si-doped AlInN/GaN DBRs with hydrogen cleaning
采用氢清洗的高质量 n 型导电硅掺杂 AlInN/GaN DBR
DOI:
10.35848/1882-0786/ac9bc9
发表时间:
2022
期刊:
Applied Physics Express
影响因子:
2.3
作者:
[Kana Shibata, Tsuyoshi Nagasawa, Kenta Kobayashi, Ruka Watanabe, Takayuki Tanaka, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Toshihiro Kamei]
通讯作者:
and Toshihiro Kamei
A method for exfoliating AlGaN films from sapphire substrates using heated and pressurized water
一种使用加热加压水从蓝宝石衬底上剥离 AlGaN 薄膜的方法
DOI:
10.35848/1882-0786/ac97dc
发表时间:
2022
期刊:
Applied Physics Express
影响因子:
2.3
作者:
[Matsubara Eri, Hasegawa Ryota, Nishibayashi Toma, Yabutani Ayumu, Yamada Ryoya, Imoto Yoshinori, Kondo Ryosuke, Iwayama Sho, Takeuchi Tetsuya, Kamiyama Satoshi, Shojiki Kanako, Kumagai Shinya, Miyake Hideto, Iwaya Motoaki]
通讯作者:
Iwaya Motoaki
AlGaN-Based UV-B Laser Diodes Fabricated on Lattice-Relaxed AlGaN Formed on Sapphire Substrates
在蓝宝石衬底上形成的晶格弛豫 AlGaN 上制造的基于 AlGaN 的 UV-B 激光二极管
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Motoaki Iwaya, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi , Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake]
通讯作者:
Hideto Miyake
共 13 条
AlN系ナイトライドによる次世代小型・超高出力・高効率パワーデバイス
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批准号:18760259
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.3万
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财政年份:2006
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负责人:岩谷 素顕
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依托单位:
国内基金
海外基金
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异质衬底低温AlN缓冲层外延与界面调控机制研究
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批准号:2026JJ80239
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批准年份:2026
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基于自动乳腺超声影像组学的深度学习结合临床特征模型在ALN肿瘤负荷预测中的应用与验证
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批准年份:2025
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低密度、高质量GaN/AlN量子点室温光泵浦单光子源
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