刷新
{{item.name}}会员
Development of ultra-high resolution neutron imaging by quasi-direct detection using BGaN detector
利用 BGaN 探测器准直接探测开发超高分辨率中子成像
基本信息
- 批准号：23H00099
- 负责人：
- 金额：$ 30.28万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2027-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
中野 貴之其他文献
BGaN-MOVPE法における脱離過程の解析
BGaN-MOVPE法脱附过程分析
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
江原 一司;望月 健;井上 翼;青木 徹;小島 一信;秩父 重英;中野 貴之 - 通讯作者：
中野 貴之
Squeezed Out法により有機層に機能性発色団を導入した有機－無機層状ペロブスカイト薄膜の作製
挤出法制备有机层引入功能性发色团的有机-无机层状钙钛矿薄膜
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
高橋 祐吏;丸山 貴之;山田 夏暉;江原 一司;望月 健;中川 央也;宇佐美 茂佳;本田 善央;天野 浩;小島 一信;秩父 重英;井上 翼;青木 徹;中野 貴之;江良正直 - 通讯作者：
江良正直
厚膜BGaN結晶成長におけるGaN中間層の影響およびデバイス特性評価
GaN中间层对厚膜BGaN晶体生长的影响及器件特性评估
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
松川 真也;太田 悠斗;宮澤 篤也;中川 央也;川崎 晟也;安藤 悠人;本田 善央;天野 浩;井上 翼;青木 徹;中野 貴之 - 通讯作者：
中野 貴之
H2キャリアガスを用いたBGaN結晶成長メカニズムの解析
使用 H2 载气分析 BGaN 晶体生长机理
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
清水 勇希;江原 一司;新宅 秀矢;井上 翼;青木 徹;嶋 紘平;小島 一信;秩父 重英;中野 貴之 - 通讯作者：
中野 貴之
GaN-QPM結晶を用いた波長変換デバイスの作製および諸特性評価
使用GaN-QPM晶体的波长转换器件的制作和特性评估
- DOI：
- 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
嶋田 慶也;石原 弘基;梅田 颯志;横山 尚生;本田 啓人;井上 翼;上向井 正裕;谷川 智之;片山 竜二;中野 貴之 - 通讯作者：
中野 貴之
中野 貴之的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('中野 貴之', 18)}}的其他基金
所在地別セグメント情報の任意化・強制化の影響分析: EU会計指令による強制化を受けて
自愿/强制位置段信息的影响分析：应对欧盟会计指令的强制实施
- 批准号：
24K05185 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 30.28万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ディスクロージャー制度改革の有効性に関する調査: テキスト分析に基づく実証分析
信息公开制度改革的有效性研究：基于文本分析的实证分析
- 批准号：
20K02052 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 30.28万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
化合物半導体有機金属気層成長におけるサブサーフェスの理解とヘテロ界面制御への展開
了解化合物半导体金属有机蒸气层生长和开发的次表面以控制异质界面
- 批准号：
04J10804 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 30.28万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似海外基金
パルス中性子イメージングの高解像度化を実現する半導体検出器の開発
开发实现高分辨率脉冲中子成像的半导体探测器
- 批准号：
23K25127 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 30.28万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
119番新元素発見に向けた極薄不感層Si半導体検出器の開発
开发超薄死层硅半导体探测器发现新元素119
- 批准号：
24K03198 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 30.28万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ピクセル型半導体検出器を用いた飛行中ミュオン触媒核融合の初測定
首次使用像素型半导体探测器测量飞行中μ介子催化聚变
- 批准号：
23K13130 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 30.28万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
放射線損傷した半導体検出器システムの回復手法（ヒーリング）の実験的研究
辐射损伤半导体探测器系统恢复（愈合）方法的实验研究
- 批准号：
23K03443 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 30.28万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Semiconductor detector for low-dose, high-resolution dental DR imaging
用于低剂量、高分辨率牙科 DR 成像的半导体探测器
- 批准号：
10927579 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 30.28万 - 项目类别：
Semiconductor detector for low-dose, high-resolution dental DR imaging
用于低剂量、高分辨率牙科 DR 成像的半导体探测器
- 批准号：
10544863 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 30.28万 - 项目类别：
Development of Semiconductor Detector for High Spatial Resolution in Pulsed Neutron Imaging
脉冲中子成像高空间分辨率半导体探测器的开发
- 批准号：
22H03873 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 30.28万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SEUを利用した高位置分解能型半導体検出器の開発
使用SEU开发高分辨率半导体探测器
- 批准号：
21K18631 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 30.28万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Research and development of Silicon semiconductor detector for test of Majorana neutrino
马约拉纳中微子测试硅半导体探测器的研制
- 批准号：
19K03892 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 30.28万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of thermal neutron imaging sensor using BGaN semiconductor detector
使用BGaN半导体探测器开发热中子成像传感器
- 批准号：
19H04394 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 30.28万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)