Study of injection of spin - polarized electrons into semiconductors through ferromagnetic metal

自旋极化电子通过铁磁金属注入半导体的研究

基本信息

  • 批准号:
    11450023
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 9.47万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    1999
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1999 至 2001
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

We investigated mainly the following four topics to create new nonlinear optical functional devices based on the pitchfork bifurcation bistable operation of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) and injection of spin-polarized electrons.(1) We studied the bistable switching between the two orthogonal polarization mode existing in the VCSEL with a squared shape waveguide. The relative magnitude of self- and cross-saturation coefficients are crucial to determine the characteristics of polarization switching of laser diodes. The numerical calculation confirmed that the relation between self- and cross saturation coefficients satisfies the condition for polarization bistability in both balk and quantum well active layers. The bistable conduction is satisfied in the wider region for a compressively strained quantum well, especially in the region with large linear gains.(2) All-optical signal processing, such as demultiplexing with a signal bit width conversion function and the conversion between RZ and NRZ formats, were experimentally demonstrated using a polarization bistable VCSEL. We have shown by our simulations that the 3R function (Retiming, Reshaping, and Regenerating) can be obtained using a such VCSEL.(3) We estimated the spin relaxation time of the electrons drifting through the p-n junction from the time- and polarization- resolved photoluminescence. The result showed that the polarization fairly maintained during the drift.(4) We fabricated the light emitting diode (LED) with an n-side electrode made of ferromagnetic metal, CoCr. However, the light output from LED was unpolarized. This result points out that the polarized electrons may be de-polarized at the interface between GaAs and CoCr.
基于垂直腔面发射激光器(VCSELs)的干草叉分岔双稳态工作和自旋极化电子注入,我们主要研究了以下四个主题,以创建新的非线性光学功能器件。(1)利用方形波导研究了VCSEL中存在的两种正交偏振模式的双稳态切换。自饱和系数和交叉饱和系数的相对大小是决定激光二极管偏振开关特性的关键。数值计算证实了自饱和系数和交叉饱和系数之间的关系满足巴尔克和量子阱有源层极化双稳定的条件。压缩应变量子阱在较宽的区域内,特别是在线性增益较大的区域内,可以满足双稳传导。(2)利用偏振双稳态VCSEL实验验证了全光信号处理,如信号位宽转换函数的解复用以及RZ和NRZ格式之间的转换。我们已经通过仿真证明,使用这样的VCSEL可以获得3R函数(重新计时,重塑和再生)。(3)利用时间分辨光致发光和偏振分辨光致发光,估计了电子在p-n结中漂移的自旋弛豫时间。结果表明,在漂移过程中,极化基本保持不变。(4)采用铁磁金属CoCr制备了n侧电极发光二极管(LED)。然而,LED的光输出是非偏振的。这一结果表明,在GaAs和CoCr的界面处,极化电子可能会去极化。

项目成果

期刊论文数量(142)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
H. Kawaguchi: "All-optical signal processing using an ultrafast polarization bistable VCSEL"International Workshop on Optical Signal Processing. 26-28 (2001)
H. Kawaguchi:“使用超快偏振双稳态 VCSEL 进行全光信号处理”国际光信号处理研讨会。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H. Kawaguchi: "All-optical demultiplexing and format conversion using an ultrafast bistable laser diode, (invited paper)"LFNM' 2001 , Kharkiv, Ukraine. 56-60
H. Kawaguchi:“使用超快双稳态激光二极管的全光解复用和格式转换,(特邀论文)”LFNM 2001,乌克兰哈尔科夫。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Y. Takahashi and H. Kawaguchi: "Polarization dependent nonlinear optical gains in semiconductor quantum-well lasers"Extended Abstracts (The 60th Autumn Meeting, 1999); The Japan Society of Applied Physics. 3p-ZB-17. 1016
Y. Takahashi 和 H. Kawaguchi:“半导体量子阱激光器中的偏振相关非线性光学增益”扩展摘要(第 60 届秋季会议,1999 年);
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
田村和丈,山吉康弘,河口仁司: "超高速偏光双安定面発光半導体レーザを用いた全光型信号処理"信学技報. LQE2000-42. 25-30 (2000)
Kazutake Tamura、Yasuhiro Yamayoshi、Hitoshi Kawaguchi:“使用超快偏振双稳态表面发射半导体激光器的全光信号处理”IEICE 技术报告 LQE2000-42 (2000)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H.Kawaguchi,Y.Yamayoshi,and K.Tamura: "All-Optical RZ to NRZ Format Conversion Using an Ultrafast Polarization Bistable Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser"IEEE Lasers and Electro-Optics Society 2000 Annual Meeting LEOS 2000. Vol.2. 575-676 (2000)
H.Kawaguchi、Y.Yamayoshi 和 K.Tamura:“使用超快偏振双稳态垂直腔表面发射激光器进行全光 RZ 到 NRZ 格式转换”IEEE 激光和电光协会 2000 年年会 LEOS 2000。
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