Creation of spin-photonic devices
自旋光子器件的创建
基本信息
- 批准号:23656240
- 负责人:
- 金额:$ 2.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2011
- 资助国家:日本
- 起止时间:2011 至 2012
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Creation of optical functional devices using electron-spin controlled semiconductor structures will develop new types of optical and quantum-electronic signal processing. We fabricated vertical-cavity surface-emitting lasers with long electron-spin relaxation times and achieved lasing with a circular polarization over a wide wavelength range. We also achieved fast switching between right and left circular polarizations with nano-size structures. Moreover, we grew quantum wells operating at the optical communication wavelength and evaluated their electron-spin relaxation times.
利用电子自旋控制的半导体结构制造光学功能器件将发展新型的光学和量子电子信号处理。我们制作了具有长电子自旋弛豫时间的垂直腔面发射激光器,并实现了宽波长范围内的圆偏振激光。我们还利用纳米尺寸结构实现了右圆极化和左圆极化之间的快速切换。此外,我们生长量子威尔斯工作在光通信波长,并评估其电子自旋弛豫时间。
项目成果
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专著数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Pump probe measurement of electron spin relaxation time in (110)-oriented GaAs/AlGaAs multiple quantum well microposts
(110) 取向 GaAs/AlGaAs 多量子阱微柱中电子自旋弛豫时间的泵浦探针测量
- DOI:10.1143/apex.5.122401
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:N. Yokota;Y. Tsunemi;K. Ikeda;and H.Kawaguchi
- 通讯作者:and H.Kawaguchi
GaAs/AlGaAs MQW の電子スピン緩和時間測定法に関する検討
GaAs/AlGaAs MQW电子自旋弛豫时间测量方法研究
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:横田信英;池田和浩;片山健夫;黄晋二;河口仁司
- 通讯作者:河口仁司
偏光制御による高機能フォトニックデバイス
使用偏振控制的高性能光子器件
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:龍神康大;市原勲己;中谷允哉;尾崎匠;吉田雄貴;礒田隆聡;片山健夫
- 通讯作者:片山健夫
Circularly polarized lasing over wide wavelength range in spin-controlled Absorption [103/cm] (110) vertical-cavity surface-emitting laser
自旋控制吸收 [103/cm] (110) 垂直腔表面发射激光器在宽波长范围内产生圆偏振激光
- DOI:10.1016/j.ssc.2012.06.009
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Iba;S. Koh;and H. Kawaguchi
- 通讯作者:and H. Kawaguchi
Circularly polarized lasing in (110) quantum well-based spin laser
(110) 量子阱自旋激光器中的圆偏振激光
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Iba;S. Koh;K. Ikeda;and H. Kawaguchi
- 通讯作者:and H. Kawaguchi
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