Creation of spin-photonic devices
自旋光子器件的创建
基本信息
- 批准号:23656240
- 负责人:
- 金额:$ 2.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2011
- 资助国家:日本
- 起止时间:2011 至 2012
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Creation of optical functional devices using electron-spin controlled semiconductor structures will develop new types of optical and quantum-electronic signal processing. We fabricated vertical-cavity surface-emitting lasers with long electron-spin relaxation times and achieved lasing with a circular polarization over a wide wavelength range. We also achieved fast switching between right and left circular polarizations with nano-size structures. Moreover, we grew quantum wells operating at the optical communication wavelength and evaluated their electron-spin relaxation times.
使用电子自旋控制的半导体结构创建光学功能器件将开发新型光学和量子电子信号处理。我们制造了具有长电子自旋弛豫时间的垂直腔表面发射激光器,并在很宽的波长范围内实现了圆偏振激光。我们还通过纳米尺寸结构实现了左右圆偏振之间的快速切换。此外,我们生长了在光通信波长下工作的量子阱,并评估了它们的电子自旋弛豫时间。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Pump probe measurement of electron spin relaxation time in (110)-oriented GaAs/AlGaAs multiple quantum well microposts
(110) 取向 GaAs/AlGaAs 多量子阱微柱中电子自旋弛豫时间的泵浦探针测量
- DOI:10.1143/apex.5.122401
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:N. Yokota;Y. Tsunemi;K. Ikeda;and H.Kawaguchi
- 通讯作者:and H.Kawaguchi
GaAs/AlGaAs MQW の電子スピン緩和時間測定法に関する検討
GaAs/AlGaAs MQW电子自旋弛豫时间测量方法研究
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:横田信英;池田和浩;片山健夫;黄晋二;河口仁司
- 通讯作者:河口仁司
偏光制御による高機能フォトニックデバイス
使用偏振控制的高性能光子器件
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:龍神康大;市原勲己;中谷允哉;尾崎匠;吉田雄貴;礒田隆聡;片山健夫
- 通讯作者:片山健夫
Circularly polarized lasing over wide wavelength range in spin-controlled Absorption [103/cm] (110) vertical-cavity surface-emitting laser
自旋控制吸收 [103/cm] (110) 垂直腔表面发射激光器在宽波长范围内产生圆偏振激光
- DOI:10.1016/j.ssc.2012.06.009
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Iba;S. Koh;and H. Kawaguchi
- 通讯作者:and H. Kawaguchi
Circularly polarized lasing in (110) quantum well-based spin laser
(110) 量子阱自旋激光器中的圆偏振激光
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Iba;S. Koh;K. Ikeda;and H. Kawaguchi
- 通讯作者:and H. Kawaguchi
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
KAWAGUCHI Hitoshi其他文献
KAWAGUCHI Hitoshi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('KAWAGUCHI Hitoshi', 18)}}的其他基金
Highly functional semiconductor nanophotonic devices and their applications for photonic RAM
高功能半导体纳米光子器件及其在光子RAM中的应用
- 批准号:
24226011 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Multi-bit polarization bistable optical memory operating in the optical fiber transmission wavelength range
工作在光纤传输波长范围内的多位偏振双稳态光存储器
- 批准号:
21360034 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
All-optical signal processing using polarization bistable VCSELs
使用偏振双稳态 VCSEL 进行全光信号处理
- 批准号:
17068003 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Study of ultrafast optical buffer memory using long wavelength VCSELs
使用长波长 VCSEL 的超快光学缓冲存储器的研究
- 批准号:
16360025 - 财政年份:2004
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study of ultrafast optical signal processing using polarization bistable VCSELs
使用偏振双稳态 VCSEL 进行超快光信号处理的研究
- 批准号:
14350027 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study of injection of spin - polarized electrons into semiconductors through ferromagnetic metal
自旋极化电子通过铁磁金属注入半导体的研究
- 批准号:
11450023 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study of four-wave mixing in semiconductor optical amplifiers
半导体光放大器四波混频研究
- 批准号:
11694125 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study of ultrafast all-optical flip-flop operation with vertical-cavity surface-emitting lasers
垂直腔面发射激光器超快全光触发器操作研究
- 批准号:
08455029 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study on ultra-fast nonlinear optical functional devices
超快非线性光学功能器件研究
- 批准号:
07555010 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Study on ultra-fast optical memories using semiconductor lasers
利用半导体激光器的超快光存储器研究
- 批准号:
06452125 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
相似海外基金
膜内部から迫る気体原子スピン緩和防止膜の機能解明
阐明薄膜防止从薄膜内部接近的气态原子自旋弛豫的功能
- 批准号:
23K26538 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
核スピン緩和シミュレーションによる超偏極NMR法の開拓
利用核自旋弛豫模拟开发超极化核磁共振方法
- 批准号:
23K13775 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Xe原子EDM測定に向けた電極素材表面における131Xeスピン緩和機構の解明
阐明用于 Xe 原子 EDM 测量的电极材料表面上的 131Xe 自旋弛豫机制
- 批准号:
20K20928 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
負ミュオンスピン・インジェクションによる非磁性核における核スピン緩和測定法の実現
负μ子自旋注入实现非磁性核中核自旋弛豫测量方法
- 批准号:
19K21859 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
磁性多層膜を含む磁気的不均一系におけるスピン緩和機構の理論研究
包括磁性多层薄膜在内的磁非均匀系统中自旋弛豫机制的理论研究
- 批准号:
12J05058 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
核磁気共鳴法を用いたスピンアイス状態のスピン構造、スピン緩和機構の解明
利用核磁共振方法阐明自旋冰态的自旋结构和自旋弛豫机制
- 批准号:
07J03411 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
GaN半導体の電子スピン緩和メカニズムの解明
阐明 GaN 半导体中的电子自旋弛豫机制
- 批准号:
17760010 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
μeV中性子分光による高分解能スピン緩和の観測
μeV 中子能谱观测高分辨率自旋弛豫
- 批准号:
10874055 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
スピナキュムレーション法による高温超伝導体のスピン緩和の研究
自旋累积法研究高温超导体自旋弛豫
- 批准号:
09750009 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)